Intel-SSDs: Die neue Generation mit 144‑Layer‑NAND-Flash

Neben den neuen Optane-Produkten hat Intel im Rahmen des Memory and Storage Moment 2020 auch SSDs mit herkömmlichem NAND-Flash-Speicher vorgestellt. Verbraucher können bald die M.2-SSD 670p erwarten. Unternehmen bekommen mit D7-P5510 und D5-P5316 mehr Auswahl. Allen gemein ist der Einsatz des neuen 144-Layer-NAND.

SSD 670p mit 144L-QLC-NAND

Im ersten Quartal 2021 soll mit der Intel SSD 670p der Nachfolger der SSD 660p beziehungsweise SSD 665p auf den Markt kommen. Im gewohnten M.2-Formfaktor mit 80 mm Länge verpackt Intel die neue 3D-NAND-Generation mit 144-Layer-Architektur. Im Falle der 670p handelt es sich um die QLC-Variante mit vier Bit pro Speicherzelle, die nicht nur günstiger, sondern auch schneller und haltbarer als vorherige QLC-Generationen ausfallen soll.

Zwar hat Intel noch kein ausführliches Datenblatt vorgelegt, doch ist bekannt, dass die 670p PCIe 3.0 nutzt, mit Speicherkapazitäten von 512 GB, 1 TB und 2 TB erscheint und eine Anpassung beim SLC-Cache erfährt, wie Grafiken veranschaulichen. Der mit zunehmendem Füllstand kleiner werdende dynamische SLC-Cache soll demnach langsamer schrumpfen als bei der 660p. Augenscheinlich gibt es zur jüngeren 665p diesbezüglich keinen Vorteil, weshalb diese nicht für den Vergleich herhielt. Der immer verfügbare statische SLC-Cache bleibt mit 6 GB bis 24 GB unangetastet. Intel spricht zudem von einem Next-Gen-Controller und 150 TBW pro 512 GB.

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144-Layer-NAND für Enterprise-SSDs

Der 144-Layer-NAND hält so langsam auch in den Enterprise-SSDs von Intel Einzug. Den Auftakt macht die SSD D7-P5510, die eine TLC-Variante der neuen Speichergeneration nutzt, die mit 3 Bit pro Speicherzelle schneller und haltbarer als die QLC-Version ist. Die D7-P5510 wird im 2,5-Zoll-Gehäuse mit U.2-Anschluss und mit Speicherkapazitäten von 3,84 TB oder 7,68 TB angeboten. Die Verfügbarkeit soll noch dieses Jahr gegeben sein. Als Einsatzgebiet wird beispielhaft Cloud-Speicher genannt. Der Vorgänger soll bei der Leistung teils deutlich geschlagen werden. Intel spricht von bis zu 7 GB/s und 930.000 IOPS lesend sowie rund 4,2 GB/s und 190.000 IOPS schreibend.

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Dank QLC-NAND mit 128 GB pro Die liefert die D5-5316 höhere Speicherkapazitäten von bis zu 30,72 TB wobei sowohl U.2-Versionen als auch die an ein Lineal erinnernde E1.L-Ausführung geplant ist. Mit Leistungswerten von bis zu 6,8 GB/s und 800.000 IOPS beim Lesen wirbt Intel, ohne jedoch Angaben zur Schreibleistung zu machen. Die D5-5316 soll innerhalb der ersten Jahreshälfte 2021 verfügbar sein.

Intel sieht Floating Gate im Vorteil

Während Ex-Partner Micron nach der Trennung einen radikalen Architekturwechsel vollzog, setzt Intel weiterhin auf Floating-Gate-Speicherzellen (FG) und sieht darin Vorteile gegenüber der Charge-Trap-Flash-Technik (CTF), die praktisch alle Konkurrenten nutzen. Insbesondere mit Hinblick auf QLC sieht Intel FG-Zellen im Vorteil, da diese besser abgeschirmt seien und dadurch Informationen länger beibehalten könnten. Der Ladungsverlust sei vor allem über eine längere Zeit deutlich geringer, wie eine Grafik veranschaulicht. Zudem hält Intel das FG-Prinzip auch für zukünftigen PLC-NAND mit 5 Bit pro Zelle für vielversprechend.

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Ob im Zuge der bevorstehenden Übernahme der NAND-Sparte von Intel durch SK Hynix auch künftige Generationen FG-Technik nutzen werden, bleibt abzuwarten.

ComputerBase hat Informationen zu diesem Artikel von Intel unter NDA erhalten. Die einzige Vorgabe war der frühest mögliche Veröffentlichungszeitpunkt.