SK Hynix: Erste EUV-Fabrik M16 ist bereit für Alpha-DRAM (1a)

Michael Günsch
51 Kommentare
SK Hynix: Erste EUV-Fabrik M16 ist bereit für Alpha-DRAM (1a)
Bild: SK Hynix

Nach gut zwei Jahren Bauzeit hat der südkoreanische Halbleiterhersteller SK Hynix die Fabrik M16 am Hauptquartier in Icheon fertiggestellt. In dem Werk fertigt der Hersteller erstmals unter Einsatz der EUV-Lithografie für feinere Strukturbreiten. Im zweiten Halbjahr soll die neue DRAM-Generation „1a“ vom Band laufen.

Die neue Speicherfabrik M16 ist die bisher größte von SK Hynix. Die Anlage wurde nach Unternehmensangaben auf einer Fläche von 57.000 Quadratmetern errichtet, ist 336 Meter lang und 163 Meter breit, misst also selbst knapp 55.000 Quadratmeter. Die Höhe von 105 Metern entspreche einem Wohnhaus mit 37 Stockwerken.

Im November 2018 waren die Bauarbeiten gestartet, sodass die Bauzeit etwa 25 Monate betrug. Seitdem habe das Unternehmen rund 3,5 Billionen Südkoreanische Won investiert, was nach aktuellem Wechselkurs knapp 2,6 Milliarden Euro oder 3,1 Milliarden US-Dollar entspricht.

Das EUV-Debüt für SK Hynix

Um die Strukturbreiten der Chips weiter zu verkleinern, setzen viele Hersteller auf die sogenannte Extrem ultraviolette Strahlung (EUV) als neues Mittel in der Fotolithografie. Entsprechende EUV-Anlagen hat SK Hynix auch experimentell in der M14 eingesetzt, die eigentliche Serienfertigung mit EUV erfolgt aber jetzt in der M16.

EUV für 1-Alpha-DRAM, nicht bei Micron

Genau wie Samsung will SK Hynix in dem neuen EUV-Verfahren unter anderem den sogenannten „1a“-DRAM herstellen. Dahinter verbirgt sich eine neue Generation, die mit noch feineren Strukturen den 1z-Prozess beerbt und wieder beim ersten Buchstaben des allerdings nun griechischen Alphabets anfängt. Somit steht das „a“ für „Alpha“, bisher nutzt aber nur Micron die Schreibweise „1α“. SK Hynix stellt die Produktion von 1a-DRAM-Produkten für das zweite Halbjahr 2021 in Aussicht.

Micron produziert seinen Alpha-DRAM bereits in Serie. Dass der US-Hersteller seinen südkoreanischen Konkurrenten zeitlich voraus ist, liegt vor allem daran, dass statt EUV- noch die herkömmliche DUV-Lithografie (Deep Ultraviolet) eingesetzt wird. Dennoch will Micron die Speicherdichte gegenüber seinem 1z-DRAM um 40 Prozent gesteigert haben und verweist unter anderem auf ein effizienteres Design.