Universal Flash Storage: Samsung fertigt 256 GB UFS für -40 bis +105 °C im Auto

Michael Günsch 14 Kommentare
Universal Flash Storage: Samsung fertigt 256 GB UFS für -40 bis +105 °C im Auto
Bild: Samsung

Mehr Flash-Speicher fürs Auto: Nach 64 und 128 GByte produziert Samsung UFS-Chips für das Automotive-Segment auch mit 256 GByte in Serie. Die Speicherchips entsprechen dem UFS-2.1-Standard und erreichen bis zu 850 MB/s. In puncto Temperaturspanne werden schon die Anforderungen von UFS 3.0 erfüllt.

UFS für den Einsatz unter extremen Temperaturen

Seit Ende September stellt Samsung speziell für den Automobileinsatz bestimmte UFS-Chips in Serie her. Der Hersteller spricht auch von eUFS, was für Embedded Universal Flash Storage steht. Für das spezielle Einsatzgebiet wird ein besonders großer Temperaturspielraum vorausgesetzt. Mit der neuen Spezifikation UFS 3.0 wurde eine Temperaturspanne von -40 °C bis +105 °C für Automotive-UFS-Speicher festgelegt. Diese Anforderungen sollen Samsung neue 256-GB-Chips bereits erfüllen, obgleich diese in anderen Punkten noch dem Standard UFS 2.1 angehören. Der konkurrierende Speicherstandard eMMC 5.1 sei dagegen nur für Temperaturen von -40 °C bis +85° C bei Inaktivität ausgelegt, im Betrieb reduziere sich die Spanne auf -25 °C bis 85 °C.

Sollte der Temperaturbereich, in dem die Speicherchips funktionieren sollen, dennoch am oberen Ende überschritten werden, soll eine Schutzfunktion greifen. Ähnlich wie bei Prozessoren und Grafikchips wird die Taktfrequenz herabgesetzt (Drosselung), um das Temperaturniveau zu senken.

Daten werden mit bis zu 850 MB/s gelesen

Damit sind die Speicherchips laut Samsung auch für extreme Umgebungen gut gerüstet. In puncto Leistung bleibt es beim UFS-2.1-Niveau: Mit bis zu 850 MB/s sollen Daten gelesen werden, die Schnittstelle ermöglicht maximal 1.160 MB/s abzüglich Overhead über zwei Leitungen. Mit UFS 3.0 sind dagegen doppelt so hohe Transferraten möglich. Samsung nennt überdies bis zu 45.000 IOPS für die 256-GB-Chips, was ebenfalls dem Niveau der Varianten mit 64 und 128 GB entspricht.

Refresh-Funktion für alte Daten

Damit die gespeicherten Daten auch unter extremen Bedingungen lange erhalten bleiben, werden diese „aufgefrischt“ (refresh). Dabei werden ältere Daten im Hintergrund auf andere, weniger genutzte Speicherzellen verschoben. Da die Temperaturen wesentlichen Einfluss auf die Haltbarkeit der im NAND-Flash gesicherten Daten hat, ist dieser Punkt für dieses Segment besonders wichtig.

Samsung und Toshiba auf Augenhöhe

Als Marktführer bei NAND-Flash und DRAM will Samsung auch in dem aufstrebenden Bereich der Speicherchips für Automobile eine Führungsrolle übernehmen. Die Konkurrenz schläft allerdings nicht. Toshiba hat im Dezember seinerseits UFS-2.1-Speicher für Automotive-Anwendungen vorgestellt. Mit bis zu 256 GB, sehr ähnlichen Leistungsdaten (850 MB/s, 50.000 IOPS) und dem gleichen Temperaturbereich, herrscht in diesen Punkten praktisch Gleichstand zu Samsung. Allerdings werden Toshibas 256-GB-Chips voraussichtlich erst im zweiten Quartal erhältlich sein.