Leserartikel AMD Ryzen - RAM OC Community

eRacoon schrieb:
Wird im CB Artikel leider weiterhin fälschlich als Samsung B Dies ausgewiesen, hatte ich damals auch schon mal drauf hingewiesen.
Nur die CL16 inkl. Subtimings und darunter sind B Dies, alles darüber nicht mehr.
@RYZ3N schau da mal nach. Es gibt da zwei Neo Kits, einmal mit 16-16-16 mit Bdies und einmal 16-19-19 mit Hynix CJR.
 
stinger2k schrieb:
@nospherato hast du auch die Prefetcher dazu aktiviert...
Ne hatte ich unterschlagen.
Mit aktivierten sieht es so aus:

off
cstate1_off.jpgcstate2_off.jpg

on (cstate enabled + prefetcher)
cstate1.jpgcstate2.jpg

Sieht für mich erst mal positiv aus, auch wenn bei je 6-7 Läufen ehrlich gesagt kaum ein Unterschied festzustellen war.
 
cm87 schrieb:
Klar ist OC mit dem Kit möglich. Hynix CJR sind sogar gut. Ich hab die 3600cl19er auf 3800cl16 gebracht. Da müsste bei deinen ja mehr Luft drin sein.

Zickig sind tRFC, tRP, trcd Werte, SCL zum Teil und twwrd auf 4 und tRDWR auf 10.
DRAM Calculator sagt:
https://i.imgur.com/jgjkoMI.png

Hab angefangen nur mit CL14 und selbst 1,42V wollte er nicht booten, gleiche bei tRFC

So sieht DOCP aus bei mir:
https://i.imgur.com/EO6uc0b.png
Was ich auch nicht verstehe ist das Speicher VDDIO und VTT 0 angezeigt wird, ist aber bei anderen auch teils so, andere haben da allerdings auch Werte drin,....
 
eRacoon schrieb:
Wird im CB Artikel leider weiterhin fälschlich als Samsung B Dies ausgewiesen, hatte ich damals auch schon mal drauf hingewiesen.
Nur die CL16 inkl. Subtimings und darunter sind B Dies, alles darüber nicht mehr.
cm87 schrieb:
@RYZ3N schau da mal nach. Es gibt da zwei Neo Kits, einmal mit 16-16-16 mit Bdies und einmal 16-19-19 mit Hynix CJR.

Wurde korrigiert und durch das Kit mit 16-16-16 ersetzt, welches tatsächlich Samsung B-Dies hat.

Danke für den Hinweis.
 
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Cstates bringen bei mir nichts bei Memory. Oder gibt es wieder drei Stellen im C6H-Bios, wo es aktiviert werden muss?
Prefetcher dagegen bringt 0,2ns.
 
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@cm87
1,45V ? Ist das bedenkenlos? Die Neo haben leider kein Tempsensor :/
Aber die timings finde ich jetzt auch nicht pralle dafür Oo
 
@DanHot zumindest für Samsung B-Die ICs sind 1,45v im Alltag gar kein Problem.

Ich gehe bis 1,46v für Alltags- und 1,48v für Test-Settings.

SK Hynix CJR‘s sollten auch in dem Bereich laufen, oder @cm87?
 
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Gibt es eigentlich einen Grund warum bei mir Aida und andere Tools immer 99.8 als FSB anzeigen aber im BIOS sehe ich eher 101.3?
Das ändert sich aber auch nicht wenn ich 100 MHz fix im BIOS einstelle 🤔
 
Kenobi schrieb:
Cstates bringen bei mir nichts bei Memory. Oder gibt es wieder drei Stellen im C6H-Bios, wo es aktiviert werden muss?
Prefetcher dagegen bringt 0,2ns.
Also bei mir ist es von 70,2ns auf 69,5ns gedroppt. (@ 3.4GHz CPU 3800CL16)
 
Welche Spannung war für die Samsung B-Die 3200CL14 für Daily nochmal ok wenn man über 1.35 V geht?
 
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Flossenheimer schrieb:
Welche Spannung war für die Samsung B-Die 3200CL14 für Daily nochmal ok wenn man über 1.35 V geht?

Bis 1,44 ohne aktiver Kühlung, darüber mit aktiver Kühlung bis 1,5V
 
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stinger2k schrieb:
Bis 1,44 ohne aktiver Kühlung, darüber mit aktiver Kühlung bis 1,5V

Sehe ich auch so und wenn’s der Airflow im Case hergibt, sind auch 1,46v kein Problem.
 
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Ok, hatte eben mal dieses Preset getestet mit 1.42V, aber hier ist wohl der IMC vom 1st Gen einfach nicht in der Lage. Geht zu Booten, aber Spiele stürzen ab.
 

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Ich wollte fragen, ob meine Werte jetzt realistischer sind oder immer noch die interne RAM Fehlerkorrektur greift?

Bin mir extrem unsicher, weil die Werte so niedrig sind im Vergleich zu anderen.

Oder was kann ich noch machen eurer Meinung?
 
Hier mal @ 4.2GHz, könnte besser sein, aber was will man erwarten mit 3800CL16 @ 1.36V :D
Denke da kann man zufrieden mit sein.
Hab mal noch einen CB 20 run auch @ 4.2GHz 1.286V mit rein gepackt, nach oben ist noch bissl Luft mit 3800CL14 und beim Takt 4.275GHz, mehr ist leider nicht drin bei meinem 3600, nur dann verabschiede ich mich zu weit vom sweet spot her und das kommt ja mal gar nicht in Frage.
 

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