News IDF: Neuer Ultra-Low-Power 65 nm-Prozess

Tommy

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Im Rahmen des Intel Developer Forum hat Intel letzte Woche erste Details zu einem neuen Fertigungsprozess veröffentlicht, mit dem die unbeliebten Leckströme für besonders mobile Ultra-Low-Power-Geräte, wie im Mobiltelefone oder PDAs, um den Faktor 1000 reduziert werden sollen.

Zur News: IDF: Neuer Ultra-Low-Power 65 nm-Prozess
 
Eine voll funktionsfähige 50 MBit-SRAM-Zelle mit über 0,35 Mrd. Transistoren konnte Intel bereits herstellen.
o.O - das hat ja schon G70 Maßstäbe hier... 350 Mio. Transistoren
 
Zudem liegt Intel im Trend, nicht mehr und nicht weniger ... das geschnitten Brot haben sie nicht damit erfunden. NEC gelingt Durchbruch bei Leckstrom-Reduzierung und das ist echte Schaltlogik.

Man darf in diesem Zusammenhang auch noch mal Transmeta mit Long Run 2 erwähnen, das ist nicht nur eine Softwarelösung, sondern greift tief in das Schaltungsdesign ein, um damit bedeutend die Ströme (Leckströme) zu reduzieren. SONY, NEC und andere lizensierten dieses Long Run 2 schon länger.

MFG Bobo(2005)
 
Ich würd mal sagen das waer was fuer ATi. :D

@4 sehr produktiver beitrag.

Ich denk mal die lizens dafuer wuerde fuer intel sehr teuer werden und sie suchen lieber selber ne lösung.
 
Find ich geil, den in mein nächstes Subnotebook rein und dann gehts ab :D
 
ja geht total ab oO

@2
bedenke, dass es sich heirbei um kaskadierte strukturen handelt, und nicht um logikschaltungen.
 
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