Corsair führt „Force“-SSDs mit 25-nm-NAND ein

Parwez Farsan
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OCZ machte im Dezember den Anfang und stellte die ersten Solid State Drives mit SandForce-Controller auf 25-nm-Flash um. Wie dies nach außen kommuniziert wurde, stieß allerdings bei vielen Nutzern auf Unverständnis und Verärgerung, da es zunächst weder ein offizielles Statement gab noch erkennbar war, welche SSDs betroffen sind.

Dies veranlasste OCZ nun zu einer kostenlosen Umtauschaktion für unzufriedene Kunden. Die Konkurrenz konnte das Schauspiel in der Zwischenzeit in Ruhe beobachten und ihre Schlüsse ziehen, um ein ähnliches PR-Desaster zu vermeiden. So gibt es von Corsair bereits vorab eine Mitteilung zu der auch für die „Force“-Laufwerke des Herstellers bevorstehenden Umstellung auf 25-nm-NAND. Dass es sich auch hierbei um ein Produkt auf Basis des SF-1200-Controllers von SandForce handelt, dürfte nicht von ungefähr kommen. Denn im Gegensatz zu anderen Controllern, die eher mehr Daten schreiben als nötig, schreiben die SandForce-Controller dank Echtzeit-Datenkompression in der Regel weniger Daten. Dies kommt der tendenziell geringeren Lebenserwartung des 25-nm-NANDs natürlich sehr entgegen.

Corsair Force F80-A
Corsair Force F80-A

Zu verhindern ist die Umstellung auf kleinere Strukturgrößen allerdings nicht, da die Flash-Hersteller ihre Produktion nach und nach umstellen und die SSD-Hersteller nur das verbauen können, was der Markt hergibt. Für den Kunden haben die kleineren Speicherchips aber den Vorteil, dass sie günstiger sind, so dass die SSD-Preise durch die Umstellung weiter sinken werden.

Corsair gibt an, dass die neuen Laufwerke auf Basis von 25-nm-NAND im ATTO-Benchmark zirka drei bis vier Prozent langsamer sind als die bisherigen Modelle, was angeblich auch durch Realtests wie das Kopieren von Dateien oder die Bootzeit von Windows bestätigt werde. Um diesem Umstand Rechnung zu tragen, gibt Corsair die maximalen Transferraten fünf Megabyte pro Sekunde niedriger mit 280 MB/s beim Lesen und 270 MB/s beim Schreiben an. Einen recht ausführlichen, von Corsair selbst durchgeführten Vergleich verschiedener Varianten in mehreren Benchmarks zeigen die beiden folgenden Bilder:

Leistungsvergleich Corsair Force (1)
Leistungsvergleich Corsair Force (1)
Leistungsvergleich Corsair Force (2)
Leistungsvergleich Corsair Force (2)

Da die neuen Laufwerke aber auch einen größeren Teil des Speicherplatzes als Reserve vorhalten, ändert Corsair für alle neuen Modelle die Produktbezeichnung. Aus dem bisherigen Laufwerk mit 120 GB Speicherplatz wird mit 25-nm-NAND ein Laufwerk mit 115 GB Speicherplatz, das die Bezeichnung F115-A trägt. Das „-A“ am Ende der Produktbezeichnung ist auch das Erkennungsmerkmal für Corsairs 25-nm-Laufwerke. Zeitgleich mit dem 115-GB-Laufwerk wird das Unternehmen ab Ende Februar auch das Modell F80-A anbieten. Im Vergleich zu den bisherigen Modellen bieten sie eine Preisersparnis im mittleren zweistelligen Bereich.

Modell unformatierte Speicherkapazität Preis
F120 120 GB (34 nm) 249 US-Dollar
F115-A 115 GB (25 nm) 215 US-Dollar
F80 80 GB (34 nm) 199 US-Dollar
F80-A 80 GB* (25 nm) 169 US-Dollar
*mit zusätzlichen Speicherchips

Gegen Ende März plant Corsair auch die Force-Modelle mit 40, 60, 180 und 240 GB Speicherkapazität auf 25-nm-NAND umzustellen. Die Varianten mit 40 und 60 GB sollen, da sie bereits eine vergleichsweise geringe Speicherkapazität bieten, mit einem anderen Design ausgestattet werden, das die bisherige Speicherdichte erhält und sogar die Leistung steigern soll. Dafür werden diese Laufwerke aber etwas teurer als bisher. Vermutlich wird Corsair, ebenso wie OCZ, für diese Laufwerke auf kleinere 32-Gbit-Speicherchips zurückgreifen, um die Speicherkanäle des Controllers mit mehr Speicherchips effizienter zu nutzen. Die Modelle F180-A und F240-A GB sollen dank zu erwartender Firmware-Verbesserungen auch ohne zusätzliche Speicherchips die bisherige Speicherkapazität bieten.

Die bisherigen Produktvarianten wird Corsair noch so lange vertreiben, bis die aktuellen Lagerbestände abverkauft wurden, was für Mitte bis Ende März erwartet wird.