CES 2016

Adata: NVMe-SSD mit PCIe 3.0 x4 und 3D-NAND zur CES

Michael Günsch
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Adata: NVMe-SSD mit PCIe 3.0 x4 und 3D-NAND zur CES

Bislang bieten nur Intel und Samsung schnelle SSDs mit PCIe 3.0 x4 für Verbraucher an. Im kommenden Jahr wird der Kreis der Anbieter wachsen. Adata will ein entsprechendes Produkt Anfang Januar auf der CES 2016 präsentieren.

Noch sind die Informationen spärlich. Der Hersteller spricht von einer „Ultra-fast PCIe Gen3x4 SSD“, die neben der schnellen Schnittstelle auch 3D-NAND bieten soll. Die Rede ist von einer Lösung, die von Marvell und Silicon Motion (SMI) stammt. Beide Unternehmen stellen SSD-Controller her. Von welchem Hersteller der 3D-NAND stammt, ist ebenso unklar. Bislang ist nur Samsungs 3D-NAND in SSDs und Speicherkarten am Markt vertreten. Ab dem kommenden Jahr werden jedoch auch Produkte mit 3D-NAND von Micron/Intel (IMFT), Toshiba/SanDisk und SK Hynix erwartet.

Adata nennt für die PCIe-SSD Transferraten von bis zu 2.900 MB/s lesend und 1.300 MB/s schreibend. Ferner kommen das auf PCIe-SSDs zugeschnittene NVMe-Protokoll sowie Low Density Parity Check (LDPC) zur Fehlerkorrektur zum Einsatz. Zudem ist davon die Rede, dass die „Technik die Herstellung von SSDs mit 2 TB und mehr einfacher macht“. Dies könnte ein Hinweis darauf sein, dass bereits 3D-NAND mit 256 Gigabit eingesetzt wird. Gegenüber den bisherigen 128-Gbit-Chips bedeutet dies die doppelte Kapazität bei gleicher Chip-Anzahl.

Samsung hat bereits vor einigen Monaten mit der Massenproduktion von 3D-NAND mit 256 Gbit begonnen. Als nächstes werden 256-Gbit-Chips von IMFT erwartet. Voraussichtlich später im Jahresverlauf 2016 werden SK Hynix und Toshiba folgen.

3D-NAND-Generationen im Vergleich
3D-NAND Ebenen Kapazität Produktion/Verfügbarkeit
SK Hynix 3D NAND 36 128 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle) Q4 2015 / 2016
SK Hynix 3D NAND 48 256 Gbit (TLC mit 3 Bit/Zelle) Q1 2016 / ?
Samsung V-NAND Gen 3 48 256 Gbit (TLC mit 3 Bit/Zelle) August 2015 / ?
Samsung V-NAND Gen 2 32 86/128 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle)
128 Gbit (TLC mit 3 Bit/Zelle)
Mai 2014 / H2 2014
Samsung V-NAND Gen 1 24 128 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle) August 2013 / H2 2013
Toshiba/SanDisk BiCS 48 128 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle) H2 2015 / 2016
Toshiba/SanDisk BiCS 48 256 Gbit (TLC mit 3 Bit/Zelle) H1 2016 / 2016
Intel/Micron 3D NAND 32 256 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle)
384 Gbit (TLC mit 3 Bit pro Zelle)
Q4 2015 / 2016

Neben der beschriebenen NVMe-SSD will Adata außerdem diverse SSDs für den industriellen Bereich auf der Messe ausstellen, die den Formfaktoren M.2, mSATA, CFast, CF, uSSD, SATA DOM, eUSB und USB DOM angehören. Die DOM-Produkte (Disk on Module) sind besonders kompakte SSDs, die vor allem für Embedded-Systeme konzipiert wurden.

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