3D-NAND
Mit 3D-NAND wird Flash-Speicher bezeichnet, bei dem die Speicherzellen nicht in einer Ebene sondern in mehreren Schichten vorliegen.
Die übereinander liegenden Zellschichten (Layer) sind vertikal miteinander verbunden. Der dreidimensionale Aufbau ermöglicht mehr Kapazität auf gleicher Fläche und höhere Zellabstände, was der Haltbarkeit zugute kommt. Auch in puncto Leistung und Leistungsaufnahme bietet 3D-NAND-Flash Vorteile gegenüber planarem „2D“-NAND-Flash.
Samsung produziert 3D-NAND unter der Bezeichnung „V-NAND“ bereits seit August 2013 in Serie. Andere Hersteller wie Intel/Micron, Toshiba/SanDisk und SK Hynix folgten erst Ende 2015. Inzwischen haben die Hersteller die Produktion weitgehend von 2D- auf 3D-NAND umgestellt.
Der 3D-NAND wird unter anderem in SSDs eingesetzt. Im Verbrauchersegment war Samsungs 850 Pro die erste SSD-Serie mit 3D-NAND.
3D-NAND News
Feed-
V-NAND V9 Samsung hat das schnellste Interface und die kleinsten Zellen
Samsung hat jetzt verkündet, mit der Serienfertigung seiner neunten Generation 3D-NAND alias V-NAND V9 begonnen zu haben.
-
Berichte aus Korea Samsung soll bei 3D-NAND in Kürze auf 290 Layer erhöhen
Laut Medienberichten wird Samsung noch diesen Monat mit der Serienfertigung seiner 9. Generation 3D-NAND alias V-NAND V9 beginnen.
-
Gestiegene Preise NAND-Flash-Hersteller setzten 25 Prozent mehr um
Vom sogenannten Schweinezyklus profitieren in diesen Tagen die Speicherhersteller. NAND-Flash-Hersteller machten knapp 25 % mehr Umsatz.
-
Trotz gestiegener Preise Samsung drosselt NAND-Produktion um 50 Prozent
Laut einem Bericht aus Südkorea hat Samsung seine NAND-Flash-Produktion um 50 Prozent reduziert und behält diesen Kurs bei.
-
Fusion mit Western Digital Kioxia soll SK Hynix mit einem Angebot überreden
Nach dem Veto von Anteilseigner SK Hynix soll ein Angebot diesen überreden, der Fusion zwischen Kioxia und Western Digital zuzustimmen.
-
Für 3D-NAND-Fertigung Kioxia und Western Digital erhalten 150 Mrd. Yen vom Staat
Mit bis zu 150 Milliarden Yen will die japanische Regierung die örtlichen 3D-NAND-Fabriken von Kioxia und Western Digital unterstützen.
-
28,5 Gbit/mm² Samsungs 280-Layer-NAND schlägt bei Flächendichte alles
Auf der ISSCC 2024 wird Samsung neuen Flash-Speicher vorstellen, der mit 28,5 Gbit/mm² die mit Abstand größte Flächendichte bietet.
-
Krise vorbei Micron ist mit DRAM und HBM zurück im Geschäft
DRAM und HBM ziehen Micron aus dem Loch. Letztere Technologie ist bereits für das ganze Jahr 2024 ausverkauft. Bei NAND dauert es noch.
-
Steigende NAND-Preise Samsung soll quartalsweise 20 Prozent aufschlagen
Laut einem Bericht aus Asien will Samsung die Preise für NAND-Flash-Speicher bis Mitte nächstes Jahr um 20 Prozent pro Quartal anheben.
-
Nur noch HDDs Western Digital will Flash-Sparte ausgliedern
Seit der Übernahme von SanDisk fuhr Western Digital mit HDDs und SSDs zweigleisig. Jetzt erfolgt die Aufspaltung.
-
Flash-Speicher aus China YMTC legt bei Speicherdichte von QLC-NAND vor
Laut einer Analyse von TechInsights besitzt der neue QLC-NAND-Flash-Speicher des chinesischen Herstellers YMTC die höchste Speicherdichte.
-
Mögliche Fusion Update Diesen Monat sollen Kioxia und Western Digital „Ja!“ sagen
Wieder einmal nehmen die Berichte zu einer bevorstehenden Fusion der Flash-Speicher-Partner Kioxia und Western Digital an Fahrt auf.
-
2 × 2,5 Bit = 5 Bit SK Hynix will PLC-NAND so schnell wie TLC machen
Um künftig 5 Bit in einer Speicherzelle unterzubringen, forscht SK Hynix ähnlich wie Kioxia und Western Digital an einer „geteilten“ Zelle.
-
Flash Memory Summit Update SK Hynix entwickelt 321-Layer-TLC-NAND
Als erster Hersteller präsentiert SK Hynix auf dem Flash Memory Summit 2023 eine neue Generation 3D-NAND mit mehr als 300 Zellebenen.
-
Tiefpunkt überwunden SK Hynix klettert mit tiefroten Zahlen aus dem Speicherloch
44 Prozent mehr Umsatz als im ersten Quartal interpretiert SK Hynix als das Herausklettern der Speicherbranche aus dem tiefen Loch.
-
Technologiediebstahl Foxconn plante 20-nm-DRAM-Fab mit Geheimnissen von Samsung
Es klingt wie ein Spionageroman und kommt dem wohl auch ganz nahe: Foxconn plante eine 20-nm-DRAM-Fab mit Geheimnissen von Samsung.
-
NAND-Flash SK Hynix fertigt 238-Layer-Generation jetzt in Serie
Rund 10 Monate nach der Vorstellung auf dem Flash Memory Summit fertigt SK Hynix seinen neuen 238-Layer-NAND-Speicher nun in Serie.
-
Fusionsgespräche Update Kioxia und WD sollen schon Anteile aushandeln
Wie Reuters berichtet, sollen die Verhandlungen zwischen Kioxia und Western Digital bezüglich einer Fusion an Fahrt aufnehmen.
-
Speicherbranche im freien Fall DRAM-Preise geben noch einmal um bis zu 23 Prozent nach
Das Ende des Preisverfalls bei DRAM und NAND ist noch nicht erreicht, im aktuellen Quartal geht es weiterhin steil bergab.
-
YMTC geht voran Erster 3D-NAND wird nur mit lokaler Technik gefertigt
Es wäre ein Meilenstein, sofern er stimmt: Der chinesische Halbleiterhersteller YMTC will ersten 3D-NAND nur mit lokaler Technik fertigen.
-
BiCS8 Flash Update Kioxia und WD erhöhen auf 218 Layer mit Waferbonden
Die Flash-Partner Kioxia und Western Digital haben Details zu ihrer nächsten Generation 3D-NAND-Speicher „BiCS8“ enthüllt.
-
TrendForce Preise für SSDs sollen im 2. Quartal weiter sinken
Was die Hersteller in Verluste treibt, freut die Endkunden: Die Preise für SSDs sinken voraussichtlich weiter.
-
Sinkende Preise Umsätze mit NAND-Flash sind stark eingebrochen
Aufgrund der geringen Nachfrage bei zugleich hohen Lagerbeständen brach der Umsatz mit NAND-Flash-Speicher im 4. Quartal 2022 deutlich ein.
-
3D-NAND Intel und SK Hynix setzen neue Maßstäbe bei der Flächendichte
Intel und SK Hynix stellen NAND-Chips in Aussicht, die erstmals eine Flächendichte von über 20 Gbit/mm² aufweisen sollen.
-
Mehr Leistung Micron stattet erste SSD mit 232-Layer-NAND aus
Bereits im Sommer hatte Micron die Serienfertigung seines 232-Layer-NAND gestartet, doch erst jetzt erscheint die erste damit bestückte SSD.
-
V-NAND V8 Update Samsungs Terabit-TLC-Speicher geht in Serie
Wie auf dem Tech Day angekündigt, hat Samsung nun mit der Massenfertigung der inzwischen achten Generation 3D-NAND alias V-NAND V8 begonnen.
-
Neue Generation Solidigms QLC bietet 192 Layer und mehr Schreibleistung
Solidigm hat die kommende vierte Generation des von Intel übernommenen QLC-NAND-Flash angekündigt, die mehr Layer und mehr Leistung bringt.
-
Crooke ist weg Solidigm braucht einen neuen CEO
Nachdem Robert „Rob“ Crooke das Unternehmen überraschend verlassen hat, sucht SK Hynix einen neuen CEO für die SSD-Tochter Solidigm.
-
Neue US-Sanktionen Update 2 Yangtze Memory Technologies und 30 weitere blockiert
Das „Spiel mit dem Feuer“ könnte für Apple Probleme bereiten: Der Speicherhersteller YMTC ist auf der Liste der US-Sanktionen gelandet.
-
Um bis zu 80 Prozent Update Speicherhersteller SK Hynix kürzt Ausgaben massiv
Die Krise hat die Speicherbranche voll erfasst. Nach Micron und Kioxia kürzt auch SK Hynix seine kurzfristigen Ausgaben massiv.
-
Produktionsanpassung Kioxia senkt NAND-Wafer-Fertigung um bis zu 30 Prozent
Kioxia wird aufgrund der weltweiten Absatzkrise und hohen Inventarbeständen die Produktion in zwei großen Fabriken um 30 Prozent kürzen.
-
Deal mit YMTC Apple kauft auch 3D-NAND aus China für das iPhone 14
Das iPhone 14 könnte auch mit 3D-NAND aus China bestückt sein. Laut Business Korea ist der chinesische Hersteller nun Apple-Lieferant.
-
3D-NAND Samsungs V-NAND V8 angeblich in den Startlöchern
Laut einem Bericht von Business Korea könnte Samsung noch in diesem Jahr mit der Produktion von 236-Layer-3D-NAND beginnen.
-
XL-Flash Gen2 Kioxia verdoppelt die Kapazität des Turbo-NAND
Bei der zweiten Generation des auf hohe Leistung getrimmten NAND-Speichers XL-Flash erhöht Kioxia von 1 Bit auf 2 Bit pro Zelle.
-
YMTC X3-9070 Neuer TLC-NAND aus China umgeht das Layer-Spiel
Auch der chinesische Newcomer bei den Herstellern von Flash-Speicher präsentiert zum Flash Memory Summit 2022 eine neue Generation 3D-NAND.
-
SK Hynix 238-Layer-NAND Die meisten Speicherschichten auf dem kleinsten Chip
Das Layer-Rennen beim 3D-NAND geht in die nächste Runde. SK Hynix rühmt sich nun mit der branchenweit höchsten Anzahl an Speicherschichten.
-
Demo Phison E26 mit Micron 232-Layer-NAND auf Ryzen 7000
Gleich drei Neuheiten bot ein Demo-System auf dem Flash Memory Summit: Eine SSD mit Phison E26 und Micron 232L sowie einen AMD Ryzen 7000.
-
Micron B58R mit 232 Layern Der fortschrittlichste 3D-NAND geht in Serie und beeindruckt
Micron beginnt mit der Massenfertigung des 232-Layer-NAND für SSDs und Smartphones. Dieser ist der fortschrittlichste seiner Art.
-
IMW 2022 Kioxia experimentiert mit 7 Bit pro NAND-Speicherzelle
Kioxia hatte bereits die Möglichkeit, 6 Bit in einer NAND-Flash-Zelle zu speichern (HLC), demonstriert, und legt jetzt noch ein Bit hinzu.
-
DigiTimes YMTC überspringt 192L und geht direkt auf 232L-3D-NAND
Bisher ist es ein Gerücht: Laut Quellen von DigiTimes wird der chinesische NAND-Flash-Hersteller YMTC die 192-Layer-Generation überspringen.
-
3D-NAND YMTC soll bereits Muster der 192-Layer-Generation liefern
YMTC, der erste NAND-Flash-Hersteller aus China, mausert sich. Jetzt sollen schon Muster der 192-Layer-Chips ausgeliefert werden.
-
3D-NAND Micron erhöht auf 232 Layer und QLC-Kapazität mit TLC
Im Layer-Rennen hat Micron die Nase vorn: Ende des Jahres will der Speicherhersteller die Produktion des neuen 232-Layer-3D-NAND beginnen.
-
3D-NAND von WD & Kioxia Auf BiCS6 folgt BiCS+ mit viel mehr Leistung
Auf dem Investor Day hat Western Digital sowohl über den bald erscheinenden BiCS6 als auch dessen Nachfolger „BiCS+“ gesprochen.
-
YMTC Apple erwägt erstmals NAND-Flash aus China für iPhones
Laut Medienberichten hat Apple den chinesischen Hersteller YMTC als zusätzliche Quelle für NAND-Flash-Speicher für iPhones ins Auge gefasst.
-
Fab2 in Kitakami Kioxia baut erdbebensichere Anlage für 3D-NAND
In Kürze wird Kioxia mit den Bauarbeiten einer neuen erdbebensicheren Fertigungsanlage für 3D-NAND-Flashspeicher beginnen.
-
3D-NAND-Produktion Update 3 Kontaminiertes Material kostet über 6,5 Exabyte
Durch eine Kontamination von Materialien für den Herstellungsprozess ist die NAND-Flash-Produktion bei Kioxia und Western Digital gestört.
-
35 Jahre NAND-Flash Vom 4-Mbit-EEPROM bis zur 100-TB-SSD
Kioxia (früher Toshiba) feiert 35 Jahre NAND-Flash, der heute in Produkten wie SSDs, Smartphones und Speicherkarten zu finden ist.
-
Tsinghua Unigroup Vorzeigeprojekte im DRAM- und NAND-Markt gestoppt
Mit dem Rücken zur Wand hat die chinesische Tsinghua Unigroup neue Investoren gefunden, muss dafür aber Großprojekte aufgeben.
-
ISSCC 2022 Treffen der hochdichten Flash-Speichergenerationen
Im Fokus der kommenden ISSCC steht neuer QLC-NAND-Speicher mit vielen Zellschichten und entsprechend hoher Datendichte.
-
Mit 176 Layer QLC NAND Update Micron-2400-SSD mit 2 TB auf 3 cm kurzem M.2‑Modul
Micron lässt auf die TLC-Variante seines 176-Layer-NAND die QLC-Version mit 4 Bit pro Zelle folgen. Die Micron 2400 SSD ist erster Abnehmer.
-
Western Digital 162-Layer-NAND BiCS6 kommt frühestens Ende 2022 in Fahrt
Die sechste 3D-NAND-Generation von Kioxia und Western Digital wird frühestens Ende 2022 ein Massenprodukt. Bis dann hält BiCS5 die Stellung.
-
TrendForce NAND-Flash gibt es im Überfluss
Im dritten Quartal haben die NAND-Flash-Hersteller 15 Prozent mehr umgesetzt. Engpässe gibt es nicht, die Lager sind voll.
-
V-NAND V8 Samsung verrät Details zum kommenden SSD-Speicher
Auf dem Samsung Tech Day 2021 hat das Unternehmen über die Weiterentwicklung der eigenen 3D-NAND-Technik V-NAND gesprochen.
-
Mögliche Fusion Update Western Digital und Kioxia angeblich kurz vor Einigung
Laut einem Bericht des Wall Street Journal will Western Digital mit Kioxia fusionieren und könnte dafür mehr als 20 Mrd. US-Dollar zahlen.
-
Samsung SSD 970 Evo Plus Update V-NAND mit 96 Lagen für ein + an Leistung
Die Samsung 970 Evo Plus im M.2-Format verspricht dank V-NAND der 5. Generation deutlich mehr Leistung. Der Test bestätigt das.
-
UFS 3.1 mit BiCS5 Kioxias Embedded-Flash wird schneller und dünner
Mit 3D-NAND der fünften Generation (BiCS5) hat Kioxia seinen unter anderem für Smartphones bestimmten UFS-3.1-Speicher verbessert.
-
X-NAND Update Startup verspricht QLC-Kapazität mit SLC-Leistung
Das Unternehmen NEO Semiconductor hat auf dem Flash Memory Summit 2020 Details zum sogenannten X-NAND preisgegeben.
-
SK Hynix Update Aus Intels NAND-Sparte wird ein neues Unternehmen
Die NAND- und SSD-Sparte von Intel wird im Zuge der Übernahme durch SK Hynix zu einem neuen, global agierenden Unternehmen.
-
Flash-Speicher Tiefgefrorener HLC-NAND mit 6 Bit pro Zelle
Eine funktionierende HLC-Speicherzelle hat Kioxia bereits demonstriert, doch wurde dafür eine extreme Kühlung nötig.
-
Asgard AN4 SSD Erste Benchmarks vom YMTC-3D-NAND aus China
Aus Asien kommen Benchmarks der PCIe-4.0-SSD Asgard AN4, die mit NAND-Flash vom chinesischen Hersteller YMTC bestückt ist.
-
3D-NAND-Flash Update Samsung über V8 mit 200+ und künftige 1.000+ Layer
Analog zum Nanometer-Rennen bei CPUs wetteifern die NAND-Hersteller um die Zahl der Layer. Samsung spricht über kommende Generationen.
-
Fab7 Kioxia startet Bau der NAND-Fabrik für BiCS6-Flash
Wie schon im vergangenen Herbst angekündigt, hat Kioxia mit dem Bau der Fab7 als Fertigungsanlage für 3D-NAND der BiCS-Familie begonnen.
-
ISSCC 2021 Die neuen 3D-NAND-Generationen im Vergleich
Auf der ISSCC 2021 haben viele große Hersteller von NAND-Flash-Speicher Details zu ihren neuen Generationen 3D-NAND preisgegeben.
-
3D-NAND Update Kioxia und Western Digital setzen bei BiCS6 auf 162 Layer
Die sechste Generation 3D-NAND von Kioxia und Western Digital besitzt ein 162-Layer-Design mit 40 Prozent kleinerer Chip-Fläche.
-
Kioxia Zwei 3D-NAND-Fabriken entstehen im Gleichschritt
Kioxia hat den Bau einer weiteren Produktionsstätte für 3D-NAND-Speicher angekündigt. Mit K2 und Fab7 entstehen parallel zwei neue Werke.
-
SK Hynix Neuer 176-Layer-NAND wird bemustert
SK Hynix verschickt Muster seiner neuen 3D-NAND-Generation. Wie bei Micron sind 176 Zellschichten (Layer) übereinander gestapelt.
-
3D-NAND Micron stapelt erstmals 176 Layer übereinander
Micron gibt Vollgas beim eigenen 3D-NAND. Mit neuer Replacement-Gate-Technik waren 128 Layer nur ein kleiner Zwischenschritt.
-
3D-NAND-Speicher Kioxia erweitert Produktion für 8 Milliarden Euro
Die globale Nachfrage nach NAND-Flash wächst weiter, was für Kioxia Grund genug ist, die Produktionskapazität zu erhöhen.
-
Neue Transcend-SSDs Vielfalt von mSATA bis NVMe und 64 GB bis 2 TB
Transcend bestückt vier neue SSD-Serien mit 3D-TLC-NAND der 96-Layer-Generation und bietet diese in zahlreichen Varianten an.
-
FuzeDrive SSD Enmotus gießt SLC-Caching-Software in Hardware
Das im Januar vorgestellte Konzept des MiDrive bringt Enmotus jetzt als FuzeDrive SSD auf den Markt.
-
Pyeongtaek-Komplex Samsung stockt 3D‑NAND‑Produktion auf
Samsung rüstet sich für die wachsende Nachfrage nach Flash-Speicher für Rechenzentren und Mobilgeräte mit einer weiteren Anlage für 3D-NAND.
-
Samsung PM9A3 E1.S PCIe-4.0-SSD mit 7,68 TB und 6,5 GB/s als 11‑cm‑Modul
Junge Schnittstelle trifft auf jungen Formfaktor: Samsung bietet die neue Datacenter-SSD PM9A3 mit PCIe 4.0 auch im E1.S-Format an.
-
M.2-SSDs mit NVMe Micron stockt bei Leistung und Speicherplatz auf
Für den Einsatz in Firmen-PCs und Notebooks hat Micron zwei neue SSD-Serien mit NVMe-Technik im M.2-Format vorgestellt.
-
BarraCuda Q1 SSD Update 2 Seagate setzt erstmals auf QLC-3D-NAND
Die neue Seagate BarraCuda Q1 SSD basiert auf QLC-NAND und bietet 480 GB oder 960 GB Speicherplatz im 2,5-Zoll-Format.
-
3D-NAND aus China YMTC hat Adata, Phison und Silicon Motion als Partner
Laut einem Bericht besitzt der chinesische NAND-Flash-Hersteller YMTC auch jenseits von China namhafte Partner aus der SSD-Branche.
-
3D XPoint Intel kündigt „Optane Update“ für Juni an
Intel hat erneut über die Pläne im Speichersegment mit 144-Layer-NAND und der zweiten Generation 3D XPoint gesprochen.
-
V-NAND V7 Samsung setzt für 160 Layer oder mehr auf Double-Stack
Laut einem Bericht aus Südkorea wird Samsung bei der siebten Generation seines „V-NAND“ genannten 3D-NAND auf mindestens 160 Layer setzen.
-
YMTC Chinas Speicherjüngling protzt mit 128-Layer-QLC-NAND
Der aufstrebende chinesische Speicherhersteller YMTC will den Rückstand zur Konkurrenz bei 3D-NAND-Flash-Speicher wettgemacht haben.
-
Quartalsbericht Microns Fahrplan für DDR5, 128-Layer-NAND und HBM
Das zweite Quartal in Microns Geschäftsjahr 2020 lieferte solide Zahlen angesichts globaler Krisen und aktuelle Fahrpläne für DRAM und NAND.
-
Micron uMCP 12 GB LPDDR5-6400 und 256 GB 3D-NAND vereint
Nachdem Micron Anfang Februar mit der Auslieferung von LPDDR5-Arbeitsspeicher begonnen hat, folgen jetzt Lösungen mit integriertem Flash.
-
Memxpro PC32 SSD nutzt kompletten TLC-Speicher als Pseudo-SLC
Nicht nur einen Teil, sondern den kompletten TLC-NAND-Speicher betreibt die NVMe-SSD Memxpro C32 im schnelleren und haltbareren SLC-Modus.
-
Western Digital BiCS5-NAND ist kompakter, günstiger, schneller und fertig
Eine höhere Speicherdichte, geringere Kosten und zugleich mehr Leistung verspricht Western Digital mit der neuen 3D-NAND-Generation BiCS5.
-
SK Hynix auf der CES NVMe-SSDs mit 128-Layer-NAND sowie DDR5 gezeigt
SK Hynix hat zur CES 2020 unter anderem neue NVMe-SSDs mit 128-Layer-NAND sowie (LP)DDR5-Speicher mitgebracht.
-
Brand in NAND-Fabrik Kioxia und Western Digital geben Entwarnung
Am Montag hat es in einer Flash-Speicher-Fabrik von Kioxia und Western Digital gebrannt. Der Produktionsausfall sei überschaubar.
-
Kioxia Twin BiCS Flash Neues Speicherzellendesign für PLC mit 5 Bit
Kioxia (vormals Toshiba Memory) hat eine neue Technik zur Erhöhung der Speicherdichte von Flash-Speicher entwickelt.
-
Intel SSD 665p Intel traut 96-Layer-QLC mehr Leistung und Haltbarkeit zu
Mit der SSD 665p bringt Intel den Nachfolger der M.2-NVMe-SSD 660p mit neuem Speicher, mehr Leistung und mehr Haltbarkeit auf den Markt.
-
SK Hynix Produkte mit 128L-Flash alias „4D NAND“ werden bemustert
SK Hynix hat diesen Monat mit der Auslieferung von Testmustern erster Produkte auf Basis des neuen 128-Layer-3D-NAND begonnen.
-
Seagate-SSDs Update Ablöse und Modellpflege bei BarraCuda und FireCuda
Seagate räumt im SSD-Portfolio auf. Die BarraCuda 120 ersetzt den Vorgänger und bei BarraCuda 510 und FireCuda 510 gibt es Anpassungen.
-
SX8100 mit Realtek-Controller Update Adata hat nun acht PCIe-M.2-SSD-Serien zur Auswahl
Sieben PCIe-SSD-Serien im M.2-Format sind nicht genug, dachte sich wohl Adata und hat nun die SX8100 als achte vorgestellt.
-
Fauxpas Update Micron enthüllt SSD-Serie 5300 vor dem Start
Noch vor dem offiziellen Startschuss lagen ausführliche Informationen zur Micron 5300 als neue Enterprise-SSD-Serie vor.
-
Kingston DC450R Neue SATA-SSDs für den Datenabruf im Server
Parallel zur KC600-Serie für Consumer hat Kingston auch eine neue SSD-Serie für Unternehmen vorgestellt.
-
SSD-Prototyp Intels 144-Layer-Flash trifft auf SM2265‑Controller
Bei einem SSD-Prototypen kombiniert Intel den kommenden 144-Layer-Flash-Speicher mit einem SM2265-Controller von Silicon Motion.
-
Intel SSD 665p Nachfolger der 660p ist im Benchmark deutlich schneller
In Südkorea hat Intel die Leistung der kommenden Mainstream-SSD 665p mit 96-Layer-QLC-NAND demonstriert.
-
Ohne Micron Intel entwickelt 144-Layer-NAND und 3D XPoint Gen 2
Wie geht es nach der Trennung vom Partner Micron in Intels Speichersparte mit 3D XPoint und 3D NAND weiter? Intel liefert Antworten.
-
Flash-Speicher YMTC soll nun 64-Layer-3D-NAND in Serie fertigen
Der chinesische NAND-Flash-Hersteller Yangtze Memory Technologies soll mit der Serienfertigung von 64-Layer-3D-NAND begonnen haben.
-
SK Hynix Konkrete PCIe-4.0-SSDs und 800-Layer-NAND-Vision
Neben Toshiba Memory hat auch SK Hynix erste PCIe-4.0-SSDs für den Server-Markt angekündigt und einen Blick auf 800-Layer-3D-NAND gewagt.
-
Patriot P200 Update 2 Neue SSD-Serie setzt auf verschiedene Controller
Üblicherweise nutzen alle Modelle einer SSD-Serie den gleichen Controller. Bei der neuen SATA-SSD P200 von Patriot Memory ist dies anders.
-
Enterprise-SSDs Western Digitals Ultrastar DC SN640 speichert bis zu 30 TB
Western Digital erweitert seine Enterprise-Serie Ultrastar um zwei neue NVMe-SSD-Produktfamilien mit 96-Layer-3D-NAND.
-
V-NAND V6 Samsungs 3D-NAND mit über 100 Schichten geht in Serie
Die sechste 3D-NAND-Generation (V-NAND V6) von Samsung erhöht auf 100+ Layer und gibt ihr Debüt in einer SATA-SSD.
-
XL-Flash Toshibas Turbo-NAND ist fertig
Ein Jahr nach der Ankündigung ist Toshibas XL-Flash fertig. Samples des nicht flüchtigen Speichers zwischen DRAM und NAND gibt es in Kürze.
