Toshiba / SanDisk : Pilotfertigung von TLC-3D-NAND mit 256 Gbit auf 48 Ebenen

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Toshiba / SanDisk: Pilotfertigung von TLC-3D-NAND mit 256 Gbit auf 48 Ebenen
Bild: Toshiba

Um Samsungs Vorsprung bei 3D-NAND zu verkleinern, heißt es für die anderen großen Hersteller „Klotzen statt Kleckern“. Toshiba und SanDisk kündigen nach der ersten MLC-Variante des „BiCS Flash“ mit 128 Gigabit nun eine TLC-Version mit 256 Gigabit an. Die Zahl der Ebenen bleibt bei 48.

Die beiden Unternehmen kooperieren seit Jahren bei der Entwicklung und Herstellung von Flash-Speicher und hatten Ende März die erste eigene kommerzielle 3D-NAND-Generation „BiCS2“ vorgestellt.

Bei gleicher Anzahl von 48 übereinander liegenden Zellschichten liefert der TLC-3D-NAND die doppelte Kapazität pro Die. Details zur Chipgröße und zum Fertigungsprozess liegen zur Stunde nicht vor. Toshiba peilt den Start der Massenproduktion für das erste Halbjahr 2016 an, denn erst dann wird die dafür bestimmte Produktionsstätte Fab2 fertiggestellt sein. Vorserienmuster sollen allerdings bereits diesen September zur Verfügung stehen. SanDisk nennt den neuen Speicher auch „256 Gb X3 BiCS“ und plant erste Produkte auf dessen Basis noch für 2016.

3D-NAND-Generationen im Vergleich
3D-NAND Ebenen Kapazität Produktion/Verfügbarkeit
Toshiba/SanDisk BiCS 48 128 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle) H2 2015 / 2016
Toshiba/SanDisk BiCS 48 256 Gbit (TLC mit 3 Bit/Zelle) H1 2016 / 2016
SK Hynix 3D NAND 36 128 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle) Q3 2015 (small-scale) / 2016?
SK Hynix 3D NAND 48 ??? Gbit (TLC mit 3 Bit/Zelle) in Entwicklung
Intel/Micron 3D NAND 32 256 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle)
384 Gbit (TLC mit 3 Bit pro Zelle)
Q4 2015 / 2016
Samsung V-NAND Gen 2 32 86/128 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle)
128 Gbit (TLC mit 3 Bit/Zelle)
jetzt
Samsung V-NAND Gen 3 48 ? 2016?

Wie auch Samsung bei dem inzwischen in der zweiten Generation erhältlichen V-NAND verspricht auch Toshiba durch die dreidimensionale Struktur nicht nur höhere Kapazitäten, sondern auch eine höhere Haltbarkeit und Leistung gegenüber 2D-NAND (planar). Den TLC-3D-NAND sieht Toshiba unter anderem für den Einsatz in Consumer-SSDs sowie Smartphones, Tablets und Speicherkarten vor. Auch Enterprise-SSDs werden genannt.

IM Flash Technologies, das Joint-Venture von Intel und Micron, will im kommenden Jahr MLC-3D-NAND mit 32 Lagen und 256 Gbit anbieten und plant eine TLC-Variante mit 384 Gbit. SK Hynix hat erst kürzlich MLC-3D-NAND mit 128 Gbit auf 36 Ebenen für 2016 angekündigt und arbeitet an einer TLC-Version mit 48 Ebenen. Samsungs inzwischen dritte 3D-NAND-Generation soll ebenfalls über 48 Lagen verfügen.