DRAM & 3D XPoint : Micron gibt Statusbericht zu neuen Speichertechnologien

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DRAM & 3D XPoint: Micron gibt Statusbericht zu neuen Speichertechnologien
Bild: Micron

Micron sprach jüngst nicht nur über 3D-NAND, sondern auch DRAM und 3D XPoint. Beim DRAM soll die 20-nm-Fertigung noch in diesem Jahr die Oberhand gewinnen. Die Vorbereitungen für die Massenfertigung der 10-nm-Klasse (1Xnm) laufen. Bis sich 3D XPoint als Speicherergänzung in Servern etabliert, dauert es noch länger.

DRAM

Mit der Umstellung von der 25-nm-Fertigung auf die 20-nm-Fertigung steigert sich laut Micron die Speicherdichte pro Wafer um über 40 Prozent. Mehr Speicherkapazität pro Wafer bedeutet geringere Kosten pro Gigabit. Die Ausbeute (Yield) funktionstüchtiger 20-nm-Chips übertrifft laut Hersteller bereits jene der 25-nm-Generation. Entsprechend sollen die Produktionskapazitäten zügig auf die neue Generation umgestellt werden. Im dritten Quartal des Fiskaljahres 2016 will Micron bereits über die Hälfte des DRAM im 20-nm-Verfahren herstellen.

Der nächste Schritt lautet 1X nm und bedeutet Microns erste DRAM-Generation in einem Herstellungsprozess der 10-nm-Klasse – dem Bereich zwischen 10 und 19 nm. Statt die Strukturgröße weiterhin in Nanometern anzugeben, sprechen die Halbleiterfertiger oftmals nur noch von Begriffen wie 1X nm, 1Y nm oder 1Z nm, wobei mit der alphabetischen Reihenfolge die Strukturbreite abnimmt.

Gegenüber dem 20-nm-DRAM soll die Speicherdichte nochmals um über 45 Prozent erhöht werden. Die Kosten sollen um über 20 Prozent gesenkt werden. Im laufenden Quartal werde die 1X-nm-Fertigung in den Werken in Taiwan anlaufen. Auch im japanischen Hiroshima soll die neue DRAM-Generation gefertigt werden.

3D XPoint

Erneut eher zurückhaltend zeigte sich Micron beim Thema 3D XPoint, der mit Intel gemeinsam entwickelten Speichertechnik, die als neue Klasse zwischen schnellem aber teurem DRAM und langsamerem aber günstigerem NAND-Flash neue Märkte erschließen soll. Micron nennt Fortschritte bei der Vorserienfertigung und verspricht, dass die Vorbereitungen zur Massenproduktion nach Plan verlaufen. Dass Testmuster an ausgewählte Kundschaft ausgeliefert wurden, ist bereits bekannt.

Während Intel trotz Gerüchten um eine Verzögerung offiziell daran festhält, dass die ersten High-End-SSDs mit dem Crosspoint-Speicher noch 2016 verfügbar sein sollen, gibt Micron eine vorsichtige Prognose für den Server-Markt ab: Eine Grafik veranschaulicht die Schätzung, dass 3D XPoint im Bereich der x86-Server mit zwei und vier CPU-Sockeln erst ab 2018 geringe Marktanteile erreichen werde, 2022 soll aber bereits über ein Viertel dieser Systeme mit 3D-XPoint-Speicherriegeln bestückt sein.