Micron/Crucial: SSDs mit 3D-NAND und SMI-Controller im ersten Halbjahr

Update Michael Günsch
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Micron/Crucial: SSDs mit 3D-NAND und SMI-Controller im ersten Halbjahr

Die Markteinführung erster SSDs mit dem von Intel und Micron entwickelten 3D-NAND-Speicher steht bevor. Laut einem Bericht machen SSDs für Verbraucher den Anfang und werden voraussichtlich in der ersten Jahreshälfte verfügbar sein.

Im Gespräch mit Microns Kevin Kilbuck erfuhr The SSD Review, dass erst nach den Client-Modellen, die Micron bekanntlich unter der Marke Crucial vertreibt, SSDs für Unternehmen und Mobilgeräte folgen werden. Dabei ist vom späteren Verlauf 2016 oder Anfang 2017 die Rede. Im Enterprise-Segment werde Micron Controller von PMC einsetzen. Schnelle PCIe-SSDs mit NVMe und 3D-NAND sind dabei denkbar.

Das Debüt des dreidimensionalen Flash-Speichers von Micron bilden demnach zunächst Client-SSDs in den Formfaktoren 2,5 Zoll und M.2. Beide Formate sollen mit der MLC- (256 Gigabit) und TLC-Variante (384 Gigabit) des 3D-NAND bedient werden. Nach bisherigen Aussagen von Micron und Intel wird die MLC-Version den Anfang machen.

Crucial-SSDs mit 3D-MLC-NAND und SMI-Controller

Als Controller-Lieferant für die Verbraucher-SSDs (Crucial) habe Micron Silicon Motion (SMI) auserkoren. Der Hersteller konnte mit dem effizienten SM2246EN-Controller im vergangenen Jahr große Marktanteile bei SSDs erobern. Der Chip arbeitet mit der SATA-Schnittstelle und unterstützt neuerdings auch 3D-NAND. Schon bei der beliebten Crucial BX100 setzt Micron auf den SM2246EN. Der Nachfolger BX200 besitzt ebenfalls einen SMI-Chip (SM2256), offenbarte aber aufgrund der schwachen Leistung des 2D-TLC-NAND von Micron große Schwächen beim Schreiben.

Auf Basis dieser Informationen sind neue Crucial-SSDs mit 3D-MLC-NAND von Micron und SM2246EN-Controller von SMI zu erwarten, die im 2,5-Zoll-Gehäuse oder als M.2-Modul angeboten werden. Hinweise auf eine schnelle PCIe-SSD für Verbraucher gibt es derzeit keine. Bislang setzt der Hersteller die schnellere PCIe-Schnittstelle ausschließlich in der Familie der Enterprise-SSDs mit Micron-Logo ein.

Zweite 3D-NAND-Generation soll 2017 folgen

Auch PC World liefert Hinweise auf die bevorstehende Markteinführung von SSDs mit Microns 3D-NAND. Demnach habe man bereits mit der Auslieferung der Speicherchips in Serie begonnen. Bekanntlich bietet Micron den eigenen NAND-Flash auch SSD-Drittanbietern an.

Laut The SSD Review plant Micron für 2017 die zweite Generation des 3D-NAND. Dass auch bereits Überlegungen zur dritten Generation laufen, ist aufgrund der langfristigen Planungen in der Halbleiterbranche keine Überraschung. Erst kürzlich hatte Micron einen Ausblick auf einen 3D-NAND-Chip mit 768 Gigabit gegeben, über dessen Zukunft jedoch noch nicht entschieden wurde.

In diesem Jahr wird die erste Generation mit 32 Lagen auf den Markt kommen. Die TLC-Variante wird mit 384 Gigabit voraussichtlich vorerst die höchste Speicherdichte pro Chip im Markt bieten. Später seien auch 48 Lagen vorgesehen, um die Speicherkapazität weiter zu steigern. Samsungs jüngste 3D-NAND-Generation bringt es auf 256 Gigabit.

Update

Eine Micron-Präsentation liefert weitere Details und bestätigt den Start der Serienfertigung der ersten 3D-NAND-Generation. Im zweiten Quartal 2016, voraussichtlich im Sommer, sollen die ersten SSDs mit dem neuen Speicher erscheinen. Eine Folie spricht von Consumer-SSDs mit bis zu 2 TByte Speicherplatz. Für das dritte Quartal ist eine einseitig mit Speicherchips bestückte und entsprechend flache M.2-SSD mit 1 TByte geplant – SanDisk hat bereits eine solche im Portfolio.

Erst gegen Ende des Jahres respektive Anfang 2017 sollen die besagten Enterprise-Lösungen folgen. Die Rede ist von Hyperscale-SSDs mit 8 TByte und mehr sowie High-End-Laufwerken mit PCIe und SAS.

Gegenüber Microns in 16 nm gefertigtem 2D-NAND soll die erste 3D-NAND-Generation die Kosten pro Bit um mehr als 25 Prozent senken. Bei der zweiten Generation ist eine weitere Verringerung um über 30 Prozent vorgesehen. Micron erzielt beim 3D-NAND trotz herkömmlicher Floating-Gate-Technik eine hohe Speicherdichte, indem der Logikteil zum Großteil in einer separaten Ebene unterhalb der Speicherschichten untergebracht wird.