Samsung: Das erste SoC in 10 nm geht in Massenfertigung

Samsung hat den Start der Massenfertigung der ersten SoCs mit effektiv 10 nm Strukturbreite im FinFET-Prozess bekannt gegeben. Dabei dürfte es sich um den Qualcomm Snapdragon 830 und den Samsung Exynos 8895 handeln. Erste Produkte auf Basis der Chips sollen „Anfang 2017“ auf den Markt kommen.

Erst Effizienz, dann Höchstleistung

Gegenüber der aktuellen Produktion in 14 nm will Samsung mit dem neuen Prozess 30 Prozent mehr Transistoren auf gleicher Fläche unterbringen. Die Vorteile in der Energieeffizienz könnten wahlweise in 40 Prozent weniger Verbrauch bei gleicher Leistung oder 27 Prozent mehr Leistung bei gleichem Verbrauch umgesetzt werden. Und das betrifft bereits den ersten, von Samsung 10LPE (Low Power Early) genannten Schritt.

In der zweiten Jahreshälfte will der Hersteller bereits mit der zweiten Generation der neuen Technologie in Serie gehen. Der dann 10LPP (Low Power Plus) genannte Prozess soll nochmals deutlich mehr Leistung möglich machen. Welche Technologie für SoCs in den Smartphones des Jahres 2018 zum Einsatz kommt, scheint damit bereits gesetzt.

10 nm FinFET für das Galaxy S8

10LPE dürfte bei Samsung das Debüt im Galaxy S8 (edge) feiern, dessen Vorstellung zum Mobile World Congress Ende Februar 2017 erwartet wird. Der für Qualcomm gefertigte Snapdragon 830 könnte allerdings auch schon früher in Smartphones der Konkurrenz zum Einsatz kommen.

Auch TSMC und Intel mit 10 nm

Das Jahr 2017 wird nicht nur bei Samsung den Wechsel auf 10 nm in der Fertigung bedeuten, auch TSMC soll den A11 für Apples nächstes iPhone in dieser Strukturbreite fertigen. Und Intel hatte im August 2016 sogar verkündet, den „besten 10-nm-Prozess für ARM“ bieten zu können; einen relevanten Großauftrag kann der Konzern bisher aber noch nicht vorweisen.