Toshiba Fab 6: Bau der 3D-NAND-Fabrik wie geplant gestartet Notiz

Michael Günsch 0 Kommentare
Toshiba Fab 6: Bau der 3D-NAND-Fabrik wie geplant gestartet
Bild: Toshiba

Wie im Vorfeld angekündigt, haben in diesem Monat die Bauarbeiten an der neuen NAND-Flash-Fabrik von Toshiba begonnen. Die mit Unterstützung von Partner Western Digital entstehende Fab 6 am Standort Yokkaichi, Japan, ist eigens für die Herstellung von 3D-NAND bestimmt. Bei Toshiba heißt der Speicher BiCS Flash.

Neben der Produktionsanlage soll am gleichen Standort auch ein neues Forschungs- und Entwicklungszentrum, das „Memory R&D Center“, entstehen. Damit soll die Weiterentwicklung des 3D-NAND vorangetrieben werden. Die Fertigstellung ist für Dezember 2017 vorgesehen.

Die Errichtung der Fab 6 wird wie bei der Fab 5 in zwei Phasen verlaufen. Der Abschluss der ersten Phase wird für den Sommer 2018 eingeplant. Kapazität und Ausrüstung will der Hersteller je nach Marktlage dimensionieren. Nähere Details zur neuen Halbleiterfabrik hatte Toshiba bereits im November bekanntgegeben. Nun gibt es auch erste Illustrationen der geplanten Objekte.