SK Hynix: Erster DDR4-SDRAM in 1y-Fertigung ist effizienter

Volker Rißka 35 Kommentare
SK Hynix: Erster DDR4-SDRAM in 1y-Fertigung ist effizienter
Bild: SK Hynix

Auf die Fertigungsstufe 1x folgt in der DRAM-Produktion 1y. Diese geht mit ähnlichen Verbesserungen einher, wie das bei der Fertigung von Halbleiterelementen auf dem SoC-, CPU- und GPU-Bereich die Regel ist, nur die Namensgebung ist eine andere. SK Hynix liefert jetzt erste SO-DIMM-Module nach Standard DDR4-3200 damit aus.

Die Stufe 1y sorgt vor allem im Bereich der Packdichte für einen Vorteil, gepaart mit einer geringeren Leistungsaufnahme, auch wenn die Module weiterhin offiziell mit 1,2 Volt spezifiziert werden. Unterm Strich soll die Leistungsaufnahme aber um 15 Prozent geringer ausfallen. Darüber hinaus spricht SK Hynix von 20 Prozent Produktivitätszuwachs, höchstwahrscheinlich bezogen auf die Fertigung. Es bleibt vorerst bei einer Speicherkapazität von 8 GBit (1 GByte) pro Die, je nach Einsatzgebiet einseitig oder doppelseitig bestückte Speichermodule erreichen so die gängigen 8 oder 16 GByte.

Mit maximal effektiven 3.200 MHz Datenrate werden ebenfalls keine Rekorde gebrochen, dort kommt es am Ende jedoch ohnehin auf das Binning nach der Produktion an. Auch im regulären Handel entsprechen viele Speichermodule mit Spezifikationen jenseits von DDR4-4000 im Kern doch maximal DDR4-3200, entsprechend vorselektierte Chips, die mit höherer Spannung betrieben werden, ermöglichen am Ende erhöhte Taktraten.

Ausgeliefert werden die ersten Chips jedoch erst zu Beginn des Jahres 2019 für den mobilen Markt, später soll auch das PC- und Server-Segment adressiert werden. Samsung hatte eine 1y-Produktion bereits vor einem Jahr angekündigt, Micron wollte zum Jahresende 2018 nachziehen.

Von 1x zu 1y und später zu 1z

Exakte Angaben zu den technischen Details macht SK Hynix aber wie die großen Mitbewerber Samsung und Micron nicht. In der Regel steht die Fertigungsstufe 1y als zweiter Schritt in der 10-nm-Serie, die auf 1x folgt. 10-nm-Serie heißt bei DRAM aber, dass 1x ungefähr 18 nm entspricht, während 1y rund um 15/16 nm angesiedelt wird, wenn der Vergleich zu klassischer Halbleiterfertigung gezogen werden soll. Da es eine exakte Definition nicht gibt, kann die Einordnung auch noch großzügiger erfolgen: 1x deckt demnach alles zwischen 16 nm und 19 nm ab, 1y zwischen 14 nm und 16 nm und der nächste Schritt 1z von 12 nm bis 14 nm. Marketing-Angaben sind auch in dem Bereich wie allen anderen der Halbleiterfertigung zugegen.