News SK Hynix: Erster DDR4-SDRAM in 1y-Fertigung ist effizienter

Volker

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#1
Auf die Fertigungsstufe 1x folgt in der DRAM-Produktion 1y. Diese geht mit ähnlichen Verbesserungen einher, wie das bei der Fertigung von Halbleiterelementen auf dem SoC-, CPU- und GPU-Bereich die Regel ist, nur die Namensgebung ist eine andere. SK Hynix liefert jetzt erste SO-DIMM-Module nach Standard DDR4-3200 damit aus.

Zur News: SK Hynix: Erster DDR4-SDRAM in 1y-Fertigung ist effizienter
 
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#2
mich würde mal eine Übersicht bisheriger RAM-Generationen bezüglich 1x 1y 1z interessieren. Wie hieß beispielsweise PC100 Speicher?
 
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#3
wird man als Endkunde denn irgendwie erkennen können, ob es sich um den effizienteren RAM handelt? Ansonsten ist das doch lediglich eine Kostensenkung für den Hersteller, da die technischen Daten identisch bleiben.
 
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#5
Hat man schon Vorstellungen von möglichen Preisen?
 
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#6
20% Bretzel holen aber die Preisverdopplung seit 2016 auch nicht raus. Billig muss er sein und funktionieren.
Wen interessiert schon x,y,z Effizienz beim RAM. Zumal die Riegel eh nie mehr als 5W verbraten. Ist ja nicht so als würde das Gerät nun eine Stunde länger laufen.
 
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#7
Wichtiger wäre dass die bei 3200 auch mit 1,2V auskommen und nicht mit 1,35V befeuert werden müssen wie bisher.
Öh?

Wen interessiert schon x,y,z Effizienz beim RAM. Zumal die Riegel eh nie mehr als 5W verbraten.
Für Apple spielte das zumindest laut offiziellen Angaben eine sehr große Rolle. Die wollten eigentlich DDR4L für die neue Macbook-Generation haben. Dafür macht so eine neue Fertigung schon Sinn.
 
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#8
Traurig ist bei DDR4 Speicher, dass der Vorsprung von Samsung gegenüber der gesammelten Konkurrenz mit ihrem B-Die Speicherchips immens ist, ein bisschen wie bei SSDs. Selbst der brandneue Hynix C-Die ist schlechter zu takten und verträgt lahmere Timings, als der bereits seit 2 Jahren verfügbare B-Die von Samsung, auch wenn die Lücke immerhin erheblich kleiner wird.

Wer eine oberklasse RAM Performance will, muss zwangsweise auf RAMs mit B-Die Chips setzen. Meine 1,5 Jahre alten, mittelmäßig klassifizierten B-Die Riegel (3600 CL17) laufen im Quad Channel mit DDR4-4000 17-17-17 full stable (inkl. HCI Memtest) bei nur 1,40v, sowas ist mit Micron, Hynic und co völlig unvorstellbar. Einzig mit den Hynix C-Die wäre mit viel Glück DDR4-4000 bei 18-22-22 drin, der gesamte Rest läuft bestenfalls mit 3200 15-15-15.
 
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#9
4000er bei den paar Volt stable? wow. ich hab in einem X99 noch 3000er Predator von Kingston erster Serie drin. die laufen zwar mit ihrem XMP Profil bei 3000MHz, aber nur mit ihren 1,35V. Mehr V bringt nahezu nix. Die CPU (5960X) hab ich auch nie schneller als 4,2 GHz stable bekommen. Lag sowas am RAM?

ich hab den PC noch irgendwo Rumkugeln und könnte es ja nochmal probieren mit eurer Hilfe.
 
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#11
Traurig ist bei DDR4 Speicher, dass der Vorsprung von Samsung gegenüber der gesammelten Konkurrenz mit ihrem B-Die Speicherchips immens ist, ein bisschen wie bei SSDs. Selbst der brandneue Hynix C-Die ist schlechter zu takten und verträgt lahmere Timings, als der bereits seit 2 Jahren verfügbare B-Die von Samsung, auch wenn die Lücke immerhin erheblich kleiner wird.

Wer eine oberklasse RAM Performance will, muss zwangsweise auf RAMs mit B-Die Chips setzen. Meine 1,5 Jahre alten, mittelmäßig klassifizierten B-Die Riegel (3600 CL17) laufen im Quad Channel mit DDR4-4000 17-17-17 full stable (inkl. HCI Memtest) bei nur 1,40v, sowas ist mit Micron, Hynic und co völlig unvorstellbar. Einzig mit den Hynix C-Die wäre mit viel Glück DDR4-4000 bei 18-22-22 drin, der gesamte Rest läuft bestenfalls mit 3200 15-15-15.

es geht hier aber um SO dimms nicht normale ddr4 module..
 

NMA

Lieutenant
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#12
Interessante Angabe und Einschätzung, bezüglich der Belichtungsverfahren und deren Strukturgrößen, im DRAM Halbleiter Sektor, zwischen Marketing und Realität.

Wie bereits mehrfach erwähnt, wäre speziell zu diesen Themen, ein nach Möglichkeit, gut recherchierter Artikel extrem aufklärend und würde tatsächliche und reele Fakten, abseits des Marketing, an den Tag legen.
 

DenMCX

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#13
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#14
@Stunrise +1

Es ist schon beeindruckend [oder beängstigend, ganz wie man es sehen will] wie weit Samsung der Konkurrenz [mit seinen B-Dies] enteilte ist. Hier lassen sich ganz klare Parallelen zur Situation im SSD-Sektor ziehen.

Die neuen SK Hynix C-Dies lassen zwar auch bis zu DDR4-3600/3733 zu, aber die Timings sind im Vergleich zu Samsung B-Dies schlechter.

Allerdings sind die neuen C-Dies nicht ganz so zickig was die Spannung angeht. Mit 1,35 bis 1,375 V geht da fast alles.

Liebe Grüße
Sven
 

andi_sco

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#15
...
Wen interessiert schon x,y,z Effizienz beim RAM. Zumal die Riegel eh nie mehr als 5W verbraten. Ist ja nicht so als würde das Gerät nun eine Stunde länger laufen.
Bei Low Power Geräten ist es wichtig! Da fällt es schon auf, ob nur ein oder doch zwei RAM Module verbaut sind.
Das waren bei mir, laut BatteryBar und ohne Display, 6-6,5 gegen 7,5-8 W bei Youtube.

Keine Riesenunterschiede, aber Kleinvieh macht auch Mist.
 

Firesign

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#17
Traurig ist bei DDR4 Speicher, dass der Vorsprung von Samsung gegenüber der gesammelten Konkurrenz mit ihrem B-Die Speicherchips immens ist, ein bisschen wie bei SSDs. Selbst der brandneue Hynix C-Die ist schlechter zu takten und verträgt lahmere Timings, als der bereits seit 2 Jahren verfügbare B-Die von Samsung, auch wenn die Lücke immerhin erheblich kleiner wird.

Wer eine oberklasse RAM Performance will, muss zwangsweise auf RAMs mit B-Die Chips setzen. Meine 1,5 Jahre alten, mittelmäßig klassifizierten B-Die Riegel (3600 CL17) laufen im Quad Channel mit DDR4-4000 17-17-17 full stable (inkl. HCI Memtest) bei nur 1,40v, sowas ist mit Micron, Hynic und co völlig unvorstellbar. Einzig mit den Hynix C-Die wäre mit viel Glück DDR4-4000 bei 18-22-22 drin, der gesamte Rest läuft bestenfalls mit 3200 15-15-15.
Welcher Hersteller setzt denn ausschliesslich Samung RAM Chips ein? Die Riegel, die das Samsung Logo tragen, sind max. DDR4-2666 MHz.
 
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#18
Wie bereits mehrfach erwähnt, wäre speziell zu diesen Themen, ein nach Möglichkeit, gut recherchierter Artikel extrem aufklärend und würde tatsächliche und reele Fakten, abseits des Marketing, an den Tag legen.
Dann schon einmal der kleine Hinweis für Dich, daß bei DRAM die Größenangabe den Half-Pitch (Abstand gemessen von Mitte zu Mitte) von Bahnen im Transistor angibt, während bei Logic-Chips die Gatelänge des Transistors als Grundlage dient(e).
Die Angaben haben also sehr wenig miteinander zu tun - davon abgesehen, daß sie bei Logic-Chips schon lange nicht mehr mit der Wirklichkeit übereinstimmen und eh nur für planare Transistoren galten. Wollte man die DRAM- und Logic-Prozesse vergleichen, könnte man eher die Angabe des Fin-Pitches bei Logic heranziehen; bei TSMCs 7FF beträgt er 34nm.
Und nicht zu vergessen: Die RAM-Bänke sind vergleichsweise lahm getaktet; beim 3200er-RAM hier läuft der Datenbus mit 1600MHz, der 8-fach-Prefetch mit 2 Bank-Groups ergibt 400MHz Takt in den RAM-Bänken.
 
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