Samsung B-Die im Test: Corsair Vengeance LPX DDR4-4600 auf Ryzen 3000

Manuel Prislan 141 Kommentare
Samsung B-Die im Test: Corsair Vengeance LPX DDR4-4600 auf Ryzen 3000
Bild: Corsair

tl;dr: RAM kann man übertakten oder gleich ab Werk mit sehr hohen Taktraten und guten Timings kaufen. Ein Beispiel ist Corsairs Vengeance LPX DDR4-4600 mit Samsungs angesehenen B-Dies. Im Test zeigt sich allerdings, dass Speicher an der absoluten Leistungsspitze nicht grundlos nur eine Randerscheinung ist.

Spezifikationen und Details zum RAM-Kit

In der Vengeance-LPX-Serie bietet Corsair traditionell den Speicher mit dem höchsten Takt ab Werk an. Bis zu DDR4-5000 CL18 werden hier im März 2020 geboten, im Handel ist derzeit allerdings noch bei DDR4-4700 Schluss. ComputerBase hat die Variante nach DDR4-4600 im Test.

Das Testmuster besteht aus zwei Riegeln zu je 8 GB im Single-Rank-Design. Spezifiziert sind die Timings mit 19-26-26-46 bei DDR4-4600 und einer Spannung von 1,50 Volt. Im Handel ist das Kit derzeit ab 600 Euro gelistet.

Auf dem achtschichtigen PCB sind Samsungs B-Die-Speicherchips im A0-Layout verbaut. Die Modulhöhe liegt bei der Vengeance-LPX-Serie bei nur 31 mm und bietet deshalb selbst unter sehr großen Kühlern ausreichend Platz. Damit war es auch möglich, im Testsystem mit einem Noctua NH-D15 ohne Einschränkungen den vorderen Lüfter zu verbauen.

Ein zusätzlicher RAM-Kühler ist ebenfalls in der Box enthalten. Hierbei handelt es sich um den „Corsair Vengeance AirFlow“ mit 60-mm-Lüfter und maximal 3.500 U/min. Die Kühloberfläche kann in drei farblichen Varianten geändert werden.

Technische Daten
Produktcode CMK16GX4M2K4600C19
Produktseite Corsair.com
Taktfrequenz DDR4-4600
Größe 16 GB – 2 × 8 GB
Timings 19-26-26-46
Spannung 1,50 Volt
Speicherchip Samsung B-Die
Aufbau Single Rank
Garantie 10 Jahre in der EU
Bandbreite PC4-36800
Thermal-Sensor Nein
Modulhöhe 31 mm

Testergebnisse

Für die Leistungsmessung wurde das nachfolgende System verwendet. Das eingesetzte Windows 10 in Version 1909 war auf dem aktuellen Stand. Alle verfügbaren Sicherheits-Updates waren aktiv. Das System wurde darüber hinaus mit dem neuesten AMD-Chipsatztreiber (Revision 2.01.15.2138) versehen.

  • AMD Ryzen 5 3600
  • Noctua NH-D15 chromax.black
  • ASUS X570 Crosshair VIII Hero (Mod-BIOS 1201xR mit AGESA 1.0.0.4 Patch b)
  • MSI GeForce GTX 1070 Ti Gaming 8G (GeForce 442.50)
  • Samsung SSD 960 EVO 500 GB (M.2, NVMe)
  • Windows 10 Pro (1909)

Overclocking

RAM-Module mit Chips des Typs Samsung B-Die stellen im Vergleich zu Riegeln mit anderen Speicherchips immer noch die Speerspitze dar und sind weiterhin bei Overclockern sehr beliebt. Der gewünschte Speichertakt skaliert nahezu linear mit Spannung und Timings.

Alle im Anschluss erwähnten Testprofile stellten sich einem Stabilitätstest mit Aida64 („Stress Cache, Stress System Memory und FPU“), GSAT („stressapptest“) sowie Karhu RAM Test („Cache Enabled“) für mindestens 60 Minuten. Nachfolgend gibt es eine kleine Einsicht in den Testparcours:

Stabilitätstest
Stabilitätstest (Bild: CB)

Das XMP-Profil bei DDR-4600 und einem Takt auf dem Infinity Fabric von 1800 MHz startete nicht auf dem getesteten System. Erst bei einer Verringerung der Frequenz auf DDR4-4533 war ein Start ins Betriebssystem möglich – das Infinity Fabric verweilte weiterhin bei 1800 MHz. Bei einer Steigerung des Inifinty-Fabric-Taktes auf 1900 MHz war ein stabiler Betrieb erst ab DDR4-4400 möglich. Hier limitiert der Speichercontroller des Testsystems, auch die Teiler verlaufen in dieser Konstellation nicht mehr 1:1:1 (MEMCLK:FCLK:UCLK) und bringen eine Straflatenz mit sich.

Das getestete RAM-Kit hat große Stärken bei „CAS Latency“ (tCL) und „Row Refresh Cycle Timing“ (tRFC) und benötigt auch für sehr straffe Werte überschaubare Spannungswerte. Für eine Taktfrequenz von DDR4-3800, einer „CAS Latency“ von 16 sowie einem „Row Refresh Cycle Timing“ von 140 Nanosekunden (entspricht einer tRFC von 266) ist eine Spannung von 1,39 Volt bereits ausreichend. Bei einer Straffung der tCL auf 14 war es nötig, die Spannung auf 1,44 Volt zu steigern.

Auch eine Taktfrequenz von DDR4-4400, eine tCL von 16 und eine tRFC von 160 Nanosekunden (entspricht einer tRFC von 352) konnten mit 1,51 Volt realisiert werden – dies ist bei einer Latenz von 7,27 Nanosekunden sehr beachtlich. Mit anderen Speicherchips ist es nicht möglich, eine so geringe tRFC einzustellen. Bei Micron-E-Die-ICs trifft man bereits bei rund 290 bis 310 Nanosekunden und bei Hynix-CJR-ICs bei circa 260 Nanosekunden auf eine Wand – diese lässt sich auch mit höherer Spannung nicht umgehen.

Auswirkungen von Takt und Timings auf die Latenz
Typ Geschwindigkeit (MT/s) CAS-Latency (CL) Latenz (ns)
DDR4-2133 2.133 16 15,00
DDR4-3000 3.000 16 10,67
DDR4-3200 3.200 16 10,00
DDR4-3200 3.200 15 9,38
DDR4-3200 3.200 14 8,75
DDR4-3600 3.600 16 8,89
DDR4-3600 3.600 14 7,78
DDR4-3800 3.800 16 8,42
DDR4-3800 3.800 14 7,37
DDR4-4000 4.000 16 8,00
DDR4-4400 4.400 16 7,27

Dass die Module gezielt auf DDR4-4600 mit Haupt-Timings von 19-26-26-26 optimiert wurden, zeigt sich mit einer Schwäche bei „RAS to CAS Delay“ (tRCD – bei AMD in „read and write“ aufgeteilt) und „RAS Precharge“ (tRP). Normalerweise skalieren auch diese Werte relativ linear mit der Spannung. Bei dem getesteten Kit sind jedoch bereits relativ früh starke Grenzen ersichtlich. Erste Anzeichen hierfür gibt es schon bei DDR4-3800.

tCL skaliert ohne Probleme bei DDR4-3800 mit einer Spannungserhöhung bis 1,44 Volt auf einen Wert von 14 – tRCDRD hingegen kann auch mit einer Erhöhung der Spannung nicht mehr unter einen Wert von 17 gedrückt werden. Auch bei tRP ist es nicht möglich, die Werte unter 16 stabil zu bekommen.

Dieselben Schwächen traten bei höheren Taktfrequenzen noch mehr in Erscheinung. Bei DDR4-4400 mussten tRCD (RD und WR), tRP sowie weitere Subtimings schnell und relativ stark nach oben korrigiert werden, um einen stabilen Betrieb zu gewährleisten. Der Versuch, die Haupt-Timings (tRCD und tRP) weiter zu straffen, endete häufig in Bluescreens oder der Start wurde überhaupt verweigert. Schlussendlich waren Werte mit DDR4-4400 16-22-24-23-40-56-352-1T mit einer Spannung von 1,51 Volt möglich.

Synthetische Benchmarks

Übersicht der Timings inklusive Spannungen
Takt Timings Spannung
DDR4-3800 16-16-17-16-32-42-266-1T 1,39 Volt
DDR4-3800 14-14-17-16-28-38-266-1T 1,44 Volt
DDR4-4400 16-22-24-23-40-56-352-1T 1,51 Volt
Übersicht Timings
Übersicht Timings (Bild: cm87)

Da es sich hier rein um OC-Profile handelt, fällt der Unterschied untereinander nur gering aus. Schön zu sehen ist der gesteigerte Kopierdurchsatz bei asynchronem Teiler mit DDR4-4400CL16. Im Gegenzug wird die Latenz auf über 70 Nanosekunden befördert, da der halbierte Speichercontroller-Takt eine ordentliche Straflatenz nach sich zieht.

Spiele-Benchmarks

Bei Forza Horizon 4 (Test) wurde der interne Benchmark in einer Auflösung von 2.560 × 1.440, 144 Hz und den Ultra-Grafikeinstellungen verwendet. Für die Auswertung spielten vor allem CPU-Simulation und CPU-Render eine Rolle.

In realen Spiele-Benchmarks spielt die Straflatenz bei DDR4-4400CL16 keine allzu große Rolle. Im Gegenteil, denn die min. FPS in der CPU-Simulation können sich gegenüber dem Profil bei DDR4-3800CL16 um 5 Prozent abheben. Dieser Aspekt ist dem gesteigerten Kopierdurchsatz geschuldet. In CPU-Render kann sich das Profil mit DDR4-4400CL16 in allen drei Regionen von DDR4-3800CL16 absetzen. Ohne große Überraschung stellt sich aber das Profil mit DDR4-3800CL14 auf die oberste Stufe und lässt die anderen OC-Profile in CPU-Simulation und CPU-Render bei min. FPS bis zu 12 Prozent hinter sich.

Fazit

Viele Module, die ab Werk DDR4-4600 garantieren, gibt es derzeit im Handel nicht. Corsair bietet sie in der Serie Vengance LPX und Vengance RGB.

Das getestete LPX-Kit mit zwei 8 GB großen Riegeln bietet sehr große Stärken bei „CAS Latency“ (tCL) und „Row Refresh Cycle Timing“ (tRFC). Die Skalierung dieser Werte ist wirklich lobenswert. Abstriche gibt es hingegen bei „RAS to CAS Delay“ (tRCD – bei AMD in „read and write“ aufgeteilt) und „RAS Precharge“ (tRP). Bei diesen Timings ist eine Skalierung über die Spannung nur teilweise möglich.

Auch das hochpreisige RAM-Kit kommt nicht ohne Abstriche bei den Timings, per Overclocking sind solche Ergebnisse auch von deutlich günstigeren, weil ab Werk langsamer klassifizierten Modulen mit Samsung-B-Die erreichbar – wenn auch mit etwas höherer Spannung.

Corsair Vengeance LPX DDR4-4600C19
Corsair Vengeance LPX DDR4-4600C19 (Bild: Corsair)

Der fehlende Thermalsensor hinterlässt in dieser Preisklasse einen faden Beigeschmack. Der mitgelieferte RAM-Kühler ist eine nette Spielerei, der Lüfter allerdings jederzeit gut wahrnehmbar.

Wie so oft in der Vergangenheit zahlen Kunden beim DDR4-4600 von Corsair damit in erster Linie für einen garantierten Takt, den Ryzen-3000-Nutzer allerdings nicht effizient nutzen können. Bessere Timings als langsamere Samsung-B-Die-Module konnte der Speicher bei Taktraten bis gut nutzbaren DDR4-3800 nicht erreichen.

Kontinuierlich angepasste RAM-Empfehlungen der RAM-OC-Community bietet die Kaufberatung aus der Community: RAM-Empfehlungen für AMD Ryzen und Intel Core.

ComputerBase hat die Vengeance LXP DDR4-4600 leihweise von Corsair zum Testen erhalten. Eine Einflussnahme auf den Testbericht fand nicht statt, eine Verpflichtung zur Veröffentlichung bestand nicht. Es gab kein NDA.

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