Schneller Arbeitsspeicher: Samsung spricht über DDR6, DDR6+ und GDDR7

Michael Günsch
69 Kommentare
Schneller Arbeitsspeicher: Samsung spricht über DDR6, DDR6+ und GDDR7
Bild: Pixabay

Gerade ist DDR5 auf dem Markt, schon gibt es Appetitanreger für den Nachfolger. Im Rahmen des Tech Day 2021 hat Samsung auch über DDR6 respektive DDR6+ gesprochen. Auch beim Grafikspeicher steht mit GDDR7 eine neue Generation bevor. Mehr Durchsatz bringen alle mit.

Mit DDR5 wird die Datenrate gegenüber DDR4 auf bis zu 6.400 MT/s verdoppelt, nimmt man die offiziell von der JEDEC abgesegneten Geschwindigkeiten als Maßstab. Die Speicherhersteller planen aber auch deutlich schnellere Module, Samsung spricht dabei von DDR5+ und stellt bis zu 8.500 MT/s in Aussicht.

DDR6 setzt auf das Doppelte

Mit DDR6 geht die Verdoppelung weiter und für DDR6 sind entsprechend bis zu 12.800 MT/s geplant, bei DDR6+ sollen es 17.000 MT/s sein. Samsung arbeitet gemeinsam mit anderen JEDEC-Mitgliedern aus Kreisen der DRAM- und SoC-Hersteller an der Fertigstellung des DDR6-Standards, die nach derzeitiger Planung im Jahr 2024 erwartet wird. Im Vorfeld hatte einer der Chef-Ingenieure von SK Hynix angedeutet, dass es bei dieser Generation etwas länger dauern kann. Samsung räumt jetzt ein, dass man sich noch in der „frühen Phase der Entwicklung“ von DDR6 befinde.

Standard Maximale Datenrate
JEDEC-Module Overclocking-Module
DDR4 bis 3.200 MT/s bis 5.600 MT/s
DDR5 bis 6.400 MT/s bis 8.400 MT/s
DDR6 bis 12.800 MT/s bis 17.000 MT/s
kursiv = noch inoffiziell

Die Zahl der Speicherkanäle (Channel) pro Modul soll mit DDR6 auf vier steigen und somit gegenüber DDR5 nochmals verdoppelt werden. Ebenfalls um den Faktor zwei steigt die Zahl der Speicherbänke (Banks) auf 64, was wiederum das Vierfache von DDR4 bedeutet.

LPDDR6 mit mehr Effizienz

Parallel wird an der sparsameren Variante Low Power DDR (LPDDR) für Mobilgeräte wie Smartphones weitergearbeitet. Hier ist LPDDR5 (bis 6.400 MT/s) respektive LPDDR5X (bis 8.500 MT/s) der aktuelle Stand der Entwicklung. Seinen neuen LPDDR5X hat Samsung bereits letzte Woche vorgestellt. Anfang 2022 will Samsung LPDDR5X im 1a-nm-Prozess in Serie fertigen.

Neben mehr Leistung steht hier vor allem auch die Energieeffizienz im Fokus, die mit jeder Generation verbessert wird. So soll LPDDR6 bis zu 17.000 MT/s erreichen, aber nochmals 20 Prozent effizienter arbeiten.

GDDR7 mit 32 Gbit/s

Samsung bezeichnet seinen vor allem für Grafikanwendungen bestimmten GDDR6 mit 18.000 MT/s als „derzeit schnellsten DRAM der Welt“. Noch diesen Monat will Samsung auf 24.000 MT/s im 1z-nm-Prozess erhöhen und nennt diese Stufe GDDR6+. Noch ohne öffentlichen Termin steht der Nachfolger GDDR7 auf der Roadmap. Bei diesem soll der Durchsatz um ein Drittel auf 32.000 MT/s steigen. Eine weitere Neuerung bei GDDR7 sei ein „real-time error protection feature“, das Samsung aber noch nicht näher erläutert hat.

Nächstes Jahr geht HBM3 in Serie

Erst letzten Monat hatte SK Hynix die Fertigstellung seines ersten HBM3 mit 819 GByte/s verkündet, der nächstes Jahr in Produkten eingesetzt werden soll. Die dritte Generation des High-Bandwidth-Memory, einer auf höchste Übertragungsraten getrimmten DRAM-Variante mit gestapelten Dies und kurzen Leitungswegen, steht auch bei Samsung auf dem Plan. Der Hersteller spricht von 800 GByte/s für HBM3 und 450 GByte/s für die Zwischenstufe HBM2E. Samsung will HBM3 im zweiten Quartal 2022 in Serie herstellen und betont die Eignung für KI-Anwendungen.

Update 14.12.2021 11:48 Uhr

Wie vor drei Wochen angekündigt ist der schnellere GDDR6-Speicher mit 24 Gbps nun da. Noch im Sampling-Status werden die neuen Chips parallel zu Lösungen mit 20 Gps vertrieben.

Samsung GDDR6 mit 24 Gbps
Samsung GDDR6 mit 24 Gbps (Bild: Samsung)