V-NAND V8: Samsungs Terabit-TLC-Speicher geht in Serie
Es ist soweit: Wie auf dem Tech Day angekündigt, hat Samsung nun mit der Massenfertigung der inzwischen achten Generation 3D-NAND alias V-NAND V8 begonnen. Samsung verspricht nicht weniger als die höchste Bitdichte der Branche, untermauert dies aber nicht mit Fakten.
TLC-Chips mit 1 Terabit und 2,4 Gbit/s I/O
Mit technischen Details wartet Samsung auch heute nicht auf. Wie schon zuvor verraten, wurde das Speichervolumen pro Die von vormals 512 Gbit auf 1 Tbit verdoppelt. Das ist die bisher höchste Speicherkapazität für TLC-NAND mit 3 Bit pro Speicherzelle. Allerdings bietet dies Micron bei seinem 232-Layer-NAND schon seit Monaten.
Beim NAND-Interface setzt Samsung jetzt auf Toggle DDR 5.0 mit bis zu 2,4 Gbit/s, was 20 Prozent schneller als beim Vorgänger V7 mit 2,0 Gbit/s ist (Eckdaten am Ende der Meldung). Auch hier zieht Samsung jetzt mit Microns neue Generation gleich.
Das war es dann auch schon fast mit den Fakten, denn die angeblich „höchste Bitdichte der Branche“ steht ohne Beleg frei im Raum. Da Micron auf satte 14,6 Gbit/mm² und damit QLC-Niveau bei seinem 232-Layer-TLC-NAND erhöht hat, müsste Samsung diesen Wert noch überbieten. Doch hatte Samsung vor einigen Wochen noch von einer Steigerung der Bitdichte um 42 Prozent gesprochen. Dies würde rechnerisch „nur“ rund 12 Gbit/mm² bedeuten, denn der Vorgänger bringt es auf 8,5 Gbit/mm².
Layer weiterhin nicht genannt
Auffällig ist, dass Samsung auch weiterhin keine offizielle Angabe zur Anzahl der Layer macht. So bleibt es bei inoffiziellen Angaben wie die 236 Layer, die Business Korea nannte, oder die 238 Layer, die Techinsights angeführt hatte.
Übrigens ging auch Techinsights bisher von „nur“ etwa 11,5 Gbit/mm² aus. Damit wäre Samsung von der branchenweit höchsten Speicherdichte bei TLC-NAND eigentlich noch ein gutes Stück weit entfernt. ComputerBase hat Samsung um Klärung gebeten.
Wann Samsungs V8 in ersten Endprodukten wie SSDs oder Smartphones verfügbar sein wird, ist ebenfalls unklar.
| Micron B58R | Kioxia/WD BiCS6 | Kioxia/WD BiCS5 | Samsung V8 | Samsung V7 | Samsung V6 | SK Hynix V7 | SK Hynix V6 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Typ (Bit/Zelle) | TLC (3 Bit) | |||||||
| Kapazität | 1 Tbit | 512 Gbit | 1 Tbit/512 Gbit | 512 Gbit | ||||
| Planes | 6 | 4 | ||||||
| Layer (WL) | 232 (2×116) | 162 (2×81) | 112 (2×56) | 230+ (?) | 176 (2×88) | 128 | 176 (2×88) | 128 (2×64) |
| Die-Fläche | ~70 mm² | 98 mm² | 66 mm² | ? | ~60 mm² | 101,58 mm² | ~47 mm² | ~66 mm² |
| Dichte | 14,6 Gb/mm² | 10,4 Gb/mm² | 7,8 Gb/mm² | ? | 8,5 Gb/mm² | 5,0 Gb/mm² | 10,8 Gb/mm² | 7,8 Gb/mm² |
| Read (tR) | ? | 50 µs | 56 µs | ? | 40 µs | 45 µs | 50 µs | 56 µs |
| Program | ? | 160 MB/s | 132 MB/s | 164 MB/s (?) | 184 MB/s | 82 MB/s | 168 MB/s | 132 MB/s |
| I/O | 2,4 Gb/s | 2,0 Gb/s | 1,066 Gb/s | 2,4 Gb/s | 2,0 Gb/s | 1,2 Gb/s | 1,6 Gb/s | 1,066 Gb/s |
Die Antwort von Samsung auf die Frage der Redaktion, wie groß denn die Bitdichte des V-NAND V8 nun ist, hat lange auf sich warten lassen. Jetzt kam eine Rückmeldung, die allerdings nicht befriedigt: Laut dem Produkt-Manager könne Samsung nicht verraten, wie viele Gbit/mm² es nun sind, da diese Information (patentrechtlich) geschützt sei. Dennoch bleibt das Unternehmen bei der Behauptung, dass es „jetzt die höchste Bit-Dichte“ habe.
Das würde den bisherigen Schätzungen, auch auf Basis von Samsungs früheren Angaben, allerdings widersprechen.
Mit Spannung darf die im Februar stattfindende ISSCC 2023 abgewartet werden. Im Rahmen der Fachkonferenz werden regelmäßig nähere Details zu NAND-Flash-Produkten bekannt gegeben.