Shadow86 schrieb:
1. Da hätte ich doch mehr erwartet für satten 1 MB L2 Cache mehr!
2. Seit wann nutzt Intel Strained Silicon?
Die werden doch low-k nutzen nachdem ihnen die Technik von Strained Silicon nicht zustand...
Strained Si ist ein Verfahren, in denen Ge in das Kristallgitter des Si-Grundmaterials eingebracht wird.
Die Bearbeitungsseite des Wafers/Die ist sozusagen oberflächig "gewürzt" mit Germanium. Die Atombindungen der oerflächigen Si-Ge-Si Bindungen sind etwas länger als die Si-Si Bindungen. Deswegen sind die bindeneden Elektronen mobiler bei Strained Si.
Der Vorteil ist, dass deswegen
1.deutlich geringere Spannungen notwendig sind, damit ein Transistor schaltet.
2. Alternativ könnte auch die Taktfrequenz höher gekitzelt werden.
Der Nachteil ist aber, dass auch Leckströme leichter auftreten können.
SOI SiliconOnIsolator ist aber etwas ganz anderes.
SOI bedeutet, dass eine zusätzliche Oxidschicht auf der Bearbeitungsschicht/Substrat des Wafers/Dies eingebracht wird. Die Schichten des Prozessors wachsen gleichsam isoliert von der Waferfläche auf.
Das Problem ist zum einen diese Schicht dick und zugleich dünn genug zu machen.
Das andere Problem ist, dass SOI im Vergleich zur bisherigen Technik die Rohwafer bisher deutlich teurer (doppelt so teuer? ) sind. Die zusätzliche Si-Oxidschicht wird schon während der Waferherstellung aufgebracht. Dieser Arbeitsschritt ist aber schon bei den Herstellern der Wafer fällig.
AMD und IBM kaufen diese Wafer, bei der Waferherstellung sind sie selber gar nicht beteiligt.
Low/High K Dielktrika sind weitere Massnahmen.
Diese Isolatoren sollen die Stromleitungen auf dem Die besonders "flutschig" für die Elektronen in den Leiterbahnen machen. Am Aufbau der Transistoren hat dies meines Wissens nach keinen Einfluss.
Das ist in etwa vergleichbar, als hätte man alle Stromleitungen zu Hause durch Supraleiter ersetzt ... na ja so in etwa ... ist ein krummer Vergleich.
AMD hatte verlautbart, dass SOI in der späteren Entwicklungsphase nicht mehr das Problem war, sondern die Mischung der Low/High K Isolatoren (Dielektrika).
Strained Si soll den Aussagen von IBM/AMD nach, sich auch gut vertragen mit der Fertigung von SOI. Aber dies ist erst nur projektiert ... man will ja nicht alle Pfeile auf einmal verballern
.
Low K High K ist eine willkürliche Festlegung. Ab einer bestimmten Dielektrikakonstante sagt man High K.
Dielektrika sind die unterschiedlichsten Werkstoffe. So kennt man für Koaxialkabel für Radio/TV/Satellit sowohl PVC (was dafür besonders gut geeignet ist) aber auch Polypropylen (was kein Chlor enthält-> "Umweltfreundlich" ) .
In der Fertigungstechnik der Prozessoren sind dies häufig Gläser mit hohem Bohr und/oder Fluoranteil, es sind aber auch verschiedene andere Werkstoffe im Umlauf.
MFG Bokill
