NVDIMM-N: Micron verdoppelt Kapazität auf 16 GByte pro Modul

Parwez Farsan
2 Kommentare
NVDIMM-N: Micron verdoppelt Kapazität auf 16 GByte pro Modul
Bild: Crucial

Seit Ende Juni bietet Micron unter der Marke Crucial NVDIMMs mit einer Speicherkapazität von 8 GByte für den Server-Markt an. Nun legt das Unternehmen nach und fertigt erste Muster von NVDIMMSs mit 16 GByte Speicherkapazität. Im Herbst soll die Serienproduktion anlaufen.

Zur den genauen Spezifikationen der neuen Module macht Micron noch keine Angaben, vermutlich liegen sie aber auf dem Niveau der seit Juni verfügbaren 8-GByte-Module. Die DDR4-Speicherriegel arbeiten mit einer Datenrate von 2.133 MT/s, einer CAS-Latenz von 15 und einer typischen Betriebsspannung von 1,2 Volt. Im Firmenblog verrät Marketing-Direktor Ryan Baxter außerdem, dass für die nahe Zukunft weitere Kapazitätssteigerungen auf dem Plan stehen.

Zwei Welten vereint

Bei Microns NVDIMM (Non-Volatile Dual In-line Memory Module) handelt es sich um sogenannten Persistenten Speicher (Persistent Memory/PM), auch Storage Class Memory genannt, der als neue Speicherkategorie die Brücke zwischen teurem, hochperformantem, aber flüchtigem Speicher wie SRAM oder DRAM und langsamerem, aber nicht flüchtigem und vergleichsweise günstigem Speicher wie SSDs schlagen soll. Je nach Gewichtung von Leistung und Preis gibt es dabei wiederum verschiedene Lösungsmöglichkeiten, die durch neue Speichertechnologien wie dem von Micron und Intel entwickelten 3D XPoint nochmals vervielfältigt werden.

Speicher-Hierarchie
Speicher-Hierarchie (Bild: Micron)

Flash-Speicher sichert Daten bei einem Stromausfall

Die NVDIMM-N von Micron fallen dabei in die Kategorie leistungsoptimierten persistenten Speichers, denn sie kombinieren normales DDR4-RAM mit NAND-Flash auf einem Speichermodul und bieten die gleiche Leistung wie gewöhnliche RDIMMs. Der Flash-Speicher dient lediglich der Sicherung der im DRAM liegenden Daten im Falle eines Stromausfalls, wozu das Modul mit einem (Super)Kondensator oder einer Batterie verbunden wird. Ist die Stromversorgung wieder hergestellt, werden die Daten ohne Umweg über das Speichersubsystem direkt wieder in das DRAM geladen, was deutlich schneller geht als mit anderen Sicherungsmaßnahmen.

3D XPoint ist eher auf Kosten optimiert

Während die ersten NVDIMMs mit der Kombination aus DRAM und NAND-Flash die Leistung in den Vordergrund rücken, setzen Micron und bei 3D XPoint stärker auf den Kostenfaktor. Wie Intel erst vor ein paar Tagen wieder auf dem IDF darlegte, soll 3D Xpoint zwar rund 3,5 Mal so teuer wie MLC-NAND sein, aber nur halb so teuer wie DRAM. Auch die Lebensdauer des Speichers und die Leistung bewegt sich zwischen diesen beiden Welten.

Den neuen Speicher wollen beide Unternehmen daher sowohl in Form sehr schneller PCIe-SSDs mit NVMe-Inteface als auch in Form von Speichermodulen auf den Markt bringen, die zu herkömmlichem DDR4-RAM kompatibel sind.

Nvidia GTC 2024 (18.–21. März 2024): ComputerBase ist vor Ort!