News Foundry: TSMCs Fabrik für 3-nm-Chips kostet 20 Milliarden US-Dollar

[Volker]

TSMCs bereits geplanter Neubau einer großen Chipfabrik wird an die 20 Milliarden US-Dollar verschlingen. Die neue Fabrik wird parallel zu weiteren TSMC-Einrichtungen im Tainan Science Park im Süden Taiwans gebaut und soll für 3-nm-Chips und darüber hinaus geeignet sein.

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[Mr.Smith]

Das sind aber keine echten 3nm, ne?
Dachte so tief runter geht es wegen leckströmen, interferenzen etc. nicht.

 

[Recharging]

Die neue Fabrik wird parallel zu weiteren TSMC-Einrichtungen im Tainan Science Park im Süden Taiwans gebaut und soll für 3-nm-Chips und darüber hinaus geeignet sein.

... "und darunter hinaus geeignet sein" wäre wohl in diesem Fall passender.

 

[Piak]

@CB: Wie sieht es denn mit der Konkurrenz zu ASML in Form von Nikon und Canon raus?

 

[jusaca]

Ja, die "3nm" sind nicht mehr auf reale Strukturbreiten in dieser Größe bezogen, das ist nichtmal bei Intels Angaben der Fall. Im Endeffekt handelt es sich nur noch um willkürliche Namen für die Fertigungstechniken. Verstehe zwar den Sinn davon nicht wirklich, da ich ja ein Produkt nicht danach auswähle, in welcher Strukturbreite es gefertigt wurde, sondern danach, welche Leistung/Effizienz es liefert, aber Marketing hat eben überall seine Finger im Spiel...

 

[jurilein]

Und trotzdem kann ich irgendwie immer noch nicht daran glauben, dass EUV wirklich mal irgendwann so richtig zum Fliegen kommt. Super, wenn es wirklich vorangeht - aber irgendwie gibt es ständig neue Dinge, die Probleme bereiten.

Gruß

Micha

 

[davidzo]

Hä, ich checke nicht wieso Intel und Samsung gerade ihre Anteile an ASML zurückgefahren haben wenn jetzt gerade das große Geschäft kommt?
Außer natürlich diese Geschäfte liegen hinter den Erwartungen bzw. das ist gar keine Expansion sondern mehr oder weniger Ersetzen von Altfabs und Altausrüstung.

 

[IIIIIIIIIIIIIII]

Würde mich freuen, wenn CB einmal in so eine Fabrik dürfte und ein wenig berichten dürfte.

 

[smalM]

Im Endeffekt handelt es sich nur noch um willkürliche Namen für die Fertigungstechniken. Verstehe zwar den Sinn davon nicht wirklich

Na ich bin froh, daß die Prozesse bei TSMC nicht Jhuweizih, Guanshihcuo, Fanweikeng oder Yongguang heißen. Und Gyeongsang, Chungcheong, Gangwon oder Gyeonggi-Do bei Samsung wären auch nicht so eingängig

Hä, ich checke nicht wieso Intel und Samsung gerade ihre Anteile an ASML zurückgefahren haben wenn jetzt gerade das große Geschäft kommt?

Es heißt ja immer so schön, an der Börse werde die Zukunft gehandelt, also wurde das schon eingepreist. Und mit 200% Kurs-Gewinn ist es für Intel und Samsung ja auch nicht sooo schlecht gelaufen...

 

[Fred_EM]

Puuuh, ich bin mir recht unsicher in wie weit wir solchen Herstellungsprozessen noch "trauen können".

Ich meine, Consumer-Elektronik ok, aber kritische Anwendungen in der Industrie, Medizin, Verkehr etc.

Darüber hinaus muss man eigentlich schon ein Physiker mit Halbleiter-Expertise sein
um solche Entwicklungen überhaupt noch bewerten zu können.

Wo werden die 3 nm gemessen, wie unterscheidet sich der Prozess von anderen Prozessen,
wo sind die kritischen Stellen usw.


TSMC geht da gigantische Risiken ein.
So richtig genau weiß man da nämlich nix es sein denn man macht es.

Deshalb sind die neuen Fabs wohl so ausgelegt dass alles schrittweise voran schreitet.
Die fangen da nicht plötzlich an mit 3 nm zu produzieren.

Spannende Angelegenheit,
Mit Verzögerungen ist zu rechnen.

.

 

[CS74ES]

Ja, die "3nm" sind nicht mehr auf reale Strukturbreiten in dieser Größe bezogen, das ist nichtmal bei Intels Angaben der Fall.

Wie groß ist den die tatsächliche Strukturbreite, sagen wir mal von den Leiterbahnen/Verbindungen. Es hieß mal, kleiner wie 10nm geht nicht. Ist das noch aktuell?

 

[smalM]

Deshalb sind die neuen Fabs wohl so ausgelegt dass alles schrittweise voran schreitet.
Die fangen da nicht plötzlich an mit 3 nm zu produzieren.

Aber das ist doch genau die Aussage dieses Artikels.
TSMC hatte ursprünglich die neue Fab für den 5nm-FinFET-Prozeß und den 3nm-Gate-all-around-FET-Prozeß vorgesehen, jetzt nur noch für 3nm-GaaFET.
Das schrittweise Vorangehen ist zwar richtig, aber man nimmt schrittweise mehr parallel laufende Produktionsstraßen in Betrieb, die jeweils langsam im Durchsatz hochgefahren werden. Es hat ja keiner gesagt, daß das einfach ist, deswegen wird die Phase der Risk-Production ja auch ca. ein Jahr lang sein, ehe die Massenproduktion startet.

Wie groß ist den die tatsächliche Strukturbreite, sagen wir mal von den Leiterbahnen/Verbindungen.

Bei den in der Entwicklung befindlichen 3nm-GaaFETs wurden schon Bilder gezeigt, da sind die Nanowires im Gate 8nm dick. Die sie umschließenden Oxid- und Nitrid-Schichten sind dann natürlich wesentlich dünner.

 

[Colindo]

@CS74ES Infos zur aktuellen Strukturbreite findest du auf Wikipedia https://en.wikipedia.org/wiki/10_nanometer#10_nm_process_nodes

 

[smalM]

Da werden Abstände angegeben, keine Strukturbreiten.

 

[Fragger911]

Der nackte Überwahnsinn diese Entwicklung innerhalb eines Menschenlebens und der Fortschritt gegenüber der vorhergehenden Generation.

 

[dynastes]

Hä, ich checke nicht wieso Intel und Samsung gerade ihre Anteile an ASML zurückgefahren haben wenn jetzt gerade das große Geschäft kommt?
Außer natürlich diese Geschäfte liegen hinter den Erwartungen bzw. das ist gar keine Expansion sondern mehr oder weniger Ersetzen von Altfabs und Altausrüstung.

Es wurde in ASML investiert, um deren Forschung voranzutreiben und endlich die Technologie zu verwirklichen, die noch bessere Fertigungsprozesse ermöglichen würde. Dieses Ziel ist jetzt erreicht, folglich werden die erworbenen Anteile wieder abgestoßen, solange sie mit (großem) Gewinn verkauft werden können. Es besteht für Intel und Samsung nun offenbar schlicht kein Grund mehr, die Beteiligung auf altem Niveau aufrechtzuerhalten. Warum genau das so ist, werden die zuständigen Abteilungen der Konzerne schon wissen.

Wie auch immer, gut, dass es weiterhin fast jährliche Fortschritte in Sachen Fertigung geben wird, davon können wir als Kunden schließlich spätestens mittelfristig beinahe nur profitieren. An den vermeintlich falschen Namen muss man sich dabei wirklich nicht aufhängen ... besser so, als spektakuläre Marketingbezeichnungen xD

 

[ich_nicht]

„Auch AMSL nennt ein ähnliches Zeitfenster: Bei 7 nm beginnt die Nutzung von EUV, bei 5 nm wird es großflächiger, 3 nm ab dem Jahr 2022 dürften nicht mehr ohne EUV auskommen.“

„AMSL“ Duchstabenbreher 😉

 

[HardRockDude]

Aus Neugier hab ich mal gucken wollen, wie der Gerät NXE:3400 von ASML aussieht, und in den teknikel Schpezifikation steht folgendes:

Resolution: 13 nm
Full wafer CDU isolated lines: 1.1 nm
Overlay - Dedicated chuck: 1.4 nm
Overlay - Matched-machine: 2.0 nm
Focus Control: 60 nm

Quelle: hier

 

[Jesterfox]

„AMSL“ Duchstabenbreher 😉

Ne Amsl ist doch nen Vogl, oder?

*scnr*

 

[Smartbomb]

asml ist richtig.
amsl... above mean sea level
Amsel... Vogel