Samsung: 24-Gbit-Chips ermöglichen 12 GB LPDDR4X als uMCP

Michael Günsch 10 Kommentare
Samsung: 24-Gbit-Chips ermöglichen 12 GB LPDDR4X als uMCP
Bild: Samsung

Künftig bietet Samsung bis zu 12 GB LPDDR4X-Speicher kombiniert mit Universal Flash Storage (UFS) in einem Chipgehäuse an. Diese UFS-basierten Multi-Chip-Packages (uMCP) gehen nun in die Massenproduktion und sollen in Smartphones Verwendung finden.

Erste DRAM-Chips mit 24 Gbit (3 GB)

Bereits vor gut einem halben Jahr hatte Samsung den Beginn der Serienfertigung von LPDDR4X-Speicherchips mit 16 Gigabit (2 GByte) bekannt gegeben. Jetzt erhöht Samsung erstmals auf 24 Gigabit (3 GB) pro Chip. Bis zu vier der 24-Gigabit-Dies aus der 1y-nm-Fertigung werden in dem uMCP gestapelt und ergeben so 12 GB Arbeitsspeicher als maximale Option. In dem Package steckt außerdem auf NAND-Flash basierender Embedded UFS 3.0, der als Massenspeicher dient.

Die Kombination aus RAM und Flash in einem Chipgehäuse spart Platz auf der Platine und soll 12 GB RAM künftig auch in Smartphones der Mittelklasse ermöglichen. Bei High-End-Smartphones wie dem Galaxy S10+ kommt 12 GB LPDDR4X als separates Package auf Basis von sechs gestapelten 16-Gbit-Chips zum Einsatz.

Beim 10-GB-uMCP setzt Samsung auch 16-Gbit-Chips ein

Neben dem beschriebenen 12-GB-uMCP bietet Samsung auch eine Lösung mit 10 GB LPDDR4X an, bei der zwei 24-Gigabit-Chips mit zwei 16-Gigabit-Chips kombiniert werden. Bei beiden Lösungen macht Samsung bisher keine Angaben zur Speicherkapazität des UFS-Speichers. Die Datenrate des LPDDR4X soll erneut bei 4.266 Mbit/s pro Pin liegen.

12GB LPDDR4X uMCP: four 24Gb (3GB) chips + eUFS 3.0

10GB LPDDR4X uMCP: two 24Gb (3GB) chips + two 16Gb (2GB) chips + eUFS 3.0

Samsung

Micron ist schon bei 1z nm, aber noch 16 Gbit

Micron fertigt bereits LPDDR4X-Speicher in einem 1z-nm-Verfahren in Serie. Allerdings hat Micron bisher noch keine 24-Gbit-Chips vorgestellt und verbleibt zunächst bei 16 Gbit. Als einzelnes LPDDR4X-Package stapelt Micron bis zu acht Dies für 16 GB RAM im Smartphone übereinander. In der Multi-Chip-Bauweise uMCP bietet Micron hingegen maximal 8 GB LPDDR4X und 256 GB UFS in Kombination.

LPDDR5 für 50 Prozent höhere Datenrate

Mit LPDDR5 wurde bereits der Nachfolger von LPDDR4(X) von der JEDEC als neuer Standard des Low-Power DDR SDRAM beschlossen. Mit LPDDR5 steigt die maximale Datenrate um 50 Prozent auf bis zu 6.400 Mbit/s pro Pin. Im Juli hat Samsung den Beginn der Massenfertigung von LPDDR5-5500 mit 12 Gigabit pro Die angekündigt, der mit 5.500 Mbit/s noch nicht das Maximum erreicht.