Samsung V7 QLC: 4-Bit-Speicher für SSDs soll deutlich schneller werden
Auf dem Samsung Tech Day 2021 hat der südkoreanische Speicherhersteller nicht nur über DDR6, GDDR7 und HBM3 gesprochen, sondern auch die inzwischen dritte Generation QLC-NAND-Flash mit 4 Bit pro Speicherzelle angekündigt. Basierend auf dem 176-Layer-Design des V-NAND V7 soll es auch deutlich mehr Leistung geben.
V7 QLC mit drastisch erhöhtem Durchsatz
Im Jahr 2018 hatte Samsung seinen ersten QLC-NAND mit 4 Bit pro Zelle zum Beispiel in der 860 QVO SSD (Test) eingeführt, der noch auf der vierten Generation V4 mit 64 Layern basierte. Während letztes Jahr V5 QLC mit 96 Layern für die 870 QVO (Test) folgte, überspringt Samsung Generation V6 (128 Layer). Stattdessen wird jetzt direkt an V7 QLC mit 176 Layern gearbeitet, der 2022 erscheinen soll.
Die Achillesferse von QLC-NAND ist die gegenüber TLC geringere Haltbarkeit sowie die niedrigere Leistung. Während die Haltbarkeit zumindest für den Verbraucheralltag ausreicht, kann der Leistungsnachteil durchaus stören. Werden große Datenmengen am Stück geschrieben, dann wird nur ein Teil davon im SLC-Schreibpuffer beschleunigt, danach kann die Schreibrate auf HDD-Niveau sinken. So schafft Samsungs QLC-SSD 870 QVO dann im besten Fall nur noch 160 MB/s.
Brachte der Schritt von V4 QLC auf V5 QLC nur etwas mehr Leistung, soll es mit V7 QLC und dem Wechsel auf ein 4-Plane-Design deutlichere Steigerungen geben. Samsung prognostiziert eine Steigerung beim Schreibdurchsatz um den Faktor 2,7 und beim Lesen um den Faktor 2,6. In beiden Fällen wird mit V4 QLC verglichen. Die nicht für die Öffentlichkeit bestimmten Grafiken aus der Samsung-Präsentation deuten an, dass sich gegenüber V5 QLC die Werte in etwa verdoppeln. Sollte der 870-QVO-Nachfolger dann rund 320 MB/s erreichen, wäre dies noch immer langsamer als bei den meisten TLC-SSDs mit SATA, aber ein guter Fortschritt.
QLC auch für Smartphones
Mit der Weiterentwicklung des QLC-NAND will Samsung diesen auf mehr Produktsegmente ausweiten. War die erste Generation noch auf Consumer-SSDs beschränkt, folgten bei Generation zwei bereits erste Enterprise-Lösungen. Mit der dritten Generation alias V7 QLC soll zusätzlich das Mobile-Segment in Form von entsprechendem Universal Flash Storage (UFS) bedient werden. Mit nachfolgenden Generationen seien weitere Bereiche denkbar. „Jetzt ist es Zeit für QLC zu glänzen“, mit diesen Worten beendete Jaihyuk Song, Head of Flash Product & Technology bei Samsung, dieses Kapitel der Präsentation.