QLC

News, Tests und Berichte

• 

  BiCS3 X4 Leistung des QLC-NAND-Flash nahe an TLC

  Einen Monat nach der Ankündigung des QLC-3D-NAND von Toshiba lässt Partner Western Digital eine weitere folgen.

  • 21 Kommentare
  • 25.07.2017
• 

  Western Digital Update BiCS4-3D-NAND nutzt 96 Layer und TLC oder QLC

  Western Digital und Toshiba haben die nächste Generation 3D-NAND-Flash-Speicher entwickelt: BiCS4 ist als TLC- und QLC-Flash geplant.

  • 30 Kommentare
  • 28.06.2017
• 

  3D-NAND SK Hynix arbeitet an 96- und 128-Layer-Speicher

  Die nächsten Generationen 3D-NAND werden deutlich mehr Zellschichten (Layer) bieten. Bei SK Hynix sind bereits 96 und 128 Layer in Planung.

  • 42 Kommentare
  • 07.06.2017
• 

  Micron Winziger 3D-NAND-Chip, GDDR6 und CEO-Abtritt

  Im gleichen Zuge wie der bevorstehende Rücktritt von CEO Mark Durcan bekannt wird, gibt Micron einen Ausblick auf künftige Produkte.

  • 25 Kommentare
  • 03.02.2017
• 

  Toshiba QLC-Flash und Die-Stacking mit TSV für 100-TB-SSDs

  Auf dem Flash Memory Summit hat Toshiba neue Techniken für SSDs mit 100 TByte und mehr beschrieben: TSV-Die-Stacking und QLC-Flash machen es möglich.

  • 19 Kommentare
  • 10.08.2016
• 

  BiCS3 Update Toshiba und Western Digital fertigen 64-Layer-3D-NAND

  Western Digital und Toshiba haben 3D-NAND mit 64 übereinander liegenden Zellebenen (Layer) entwickelt. In puncto Layer-Anzahl wurde Samsung überholt.

  • 28 Kommentare
  • 27.07.2016
• 

  Quadruple-Level Cell Toshibas QLC-NAND mit 4 Bit pro Zelle für Archiv-SSDs

  Während zunehmend SSDs mit 3 Bit pro Speicherzelle (TLC) auf den Markt kommen, arbeitet die Branche längst an Speicherchips mit 4 Bit pro Zelle (QLC).

  • 25 Kommentare
  • 12.08.2015
• 

  Quad-Level Cell Intel sieht 3D-NAND als Wegbereiter für 4 Bit pro Zelle

  Nach TLC mit drei Bit pro Speicherzelle lautet der nächste Schritt zur Kapazitätssteigerung bei NAND-Flash QLC.

  • 26 Kommentare
  • 31.03.2015