QLC
Quad-Level Cell oder Quadruple-Level Cell steht für NAND-Flash-Speicher mit vier Bit pro Speicherzelle. …
News, Tests und Berichte
Feed-
Intel SSD 660p Die erste QLC-SSD für Privatkunden ist da
Das Rennen um die erste SSD für Endkunden mit neuem QLC-NAND hat Intel für sich entschieden. Die Intel SSD 660p startet in den USA.
-
Samsung Consumer-SSD mit QLC‑NAND geht in Produktion
Samsung hat seine erste QLC-SSD für Verbraucher vorgestellt. Sie nutzt QLC-3D-NAND mit 64-Layer-Architektur und 1 Terabit pro Die.
-
Microsemi SSD-Controller mit PCIe 4.0 für über 8 GB/s
Die Microchip-Tochter Microsemi hat den SSD-Controller Flashtec NVMe 3016 sowie PCIe-Switches mit PCI Express 4.0 angekündigt.
-
D5-P4320 Intels QLC-SSD ist auf 1.600 Schreibzyklen ausgelegt
Intel hat Details zur ersten Data-Center-SSD mit QLC-NAND verraten. Die D5-P4320 soll 7,68 TB Speicherplatz im 2,5-Zoll-Gehäuse bieten.
-
Intel SSD 660P Die ersten QLC-SSDs sind die günstigsten mit PCIe 3.0 x4
Die ersten Verbraucher-SSDs mit QLC-Speicher zeigen sich im ComputerBase-Preisvergleich: die Intel SSD 660p im M.2-Formfaktor mit PCIe.
-
3D-NAND Intel produziert erste QLC-SSDs mit PCIe fürs Data Center
Intel soll mit der Produktion der ersten Enterprise-SSD mit QLC-3D-NAND begonnen haben. Die PCIe-SSD sei Teil der neuen D5-Produktfamilie.
-
Flash-Speicher BiCS4-QLC-NAND erreicht 1,33 Terabit pro Chip
Western Digital und Toshiba Memory legen die Messlatte für die Speicherkapazität von NAND-Flash ein Stück höher.
-
3,6 GB/s und QLC Marvells neue Controller für schnelle Client-SSDs
Nach neuen Modellen für Server-SSDs hat Marvell nun zwei NVMe-Controller für schnelle Client-SSDs vorgestellt.
-
Massenspeicher Intel plant 20-TB-SSD im 2,5-Zoll-Format mit QLC-Flash
Am Rande einer Presseveranstaltung hat Intel auch erste SSDs auf Basis des neuen QLC-NAND-Flash angekündigt. Sie fassen bis zu 20 TB.
-
Quad-Level Cell Intel und Micron liefern ersten QLC-3D-NAND für SSDs
Mit QLC-NAND-Flash steht eine neue Klasse von 3D-NAND für SSDs und Co. bereit. Intel und Micron sind die ersten Hersteller.
-
QLC-3D-NAND Micron bringt noch dieses Jahr ersten Terabit-Flash
Laut einer Roadmap will Micron noch in diesem Jahr QLC-Flash-Chips mit 1 Terabit Speicherkapazität liefern.
-
Quadruple-Level Cell Micron kündigt erste SSDs mit QLC-NAND-Flash an
Günstigerer QLC-Flash-Speicher mit vier Bit pro Speicherzelle rückt näher. Noch in diesem Jahr wird Micron Enterprise-SSDs damit ausrüsten.
-
Intel SSD 660p & 760p Update 2 Erste QLC-Flash-SSD und neues Topmodell für M.2
Die Intel 660p könnte eine der ersten SSDs mit QLC-NAND-Flash werden. Die PCIe-SSD soll mit 64-Layer-QLC-Flash bestückt sein.
-
SSD-Controller Marvell-Chip kann QLC und 670K IOPS (mit TLC)
Phison und Silicon Motion haben bereits neue SSD-Controller mit PCIe vorgestellt. Auch Marvell arbeitet an einem neuen High-End-Controller.
-
ISSCC 2018 QLC-NAND von Samsung, 96-Layer-NAND von WD/Toshiba
Auf der ISSCC 2018, die am 11. Februar in Kalifornien startet, werden auch technische Neuheiten aus dem Bereich 3D-NAND präsentiert.
-
BiCS3 X4 Leistung des QLC-NAND-Flash nahe an TLC
Einen Monat nach der Ankündigung des QLC-3D-NAND von Toshiba lässt Partner Western Digital eine weitere folgen.
-
Western Digital Update BiCS4-3D-NAND nutzt 96 Layer und TLC oder QLC
Western Digital und Toshiba haben die nächste Generation 3D-NAND-Flash-Speicher entwickelt: BiCS4 ist als TLC- und QLC-Flash geplant.
-
3D-NAND SK Hynix arbeitet an 96- und 128-Layer-Speicher
Die nächsten Generationen 3D-NAND werden deutlich mehr Zellschichten (Layer) bieten. Bei SK Hynix sind bereits 96 und 128 Layer in Planung.
-
Micron Winziger 3D-NAND-Chip, GDDR6 und CEO-Abtritt
Im gleichen Zuge wie der bevorstehende Rücktritt von CEO Mark Durcan bekannt wird, gibt Micron einen Ausblick auf künftige Produkte.
-
Toshiba QLC-Flash und Die-Stacking mit TSV für 100-TB-SSDs
Auf dem Flash Memory Summit hat Toshiba neue Techniken für SSDs mit 100 TByte und mehr beschrieben: TSV-Die-Stacking und QLC-Flash machen es möglich.
-
BiCS3 Update Toshiba und Western Digital fertigen 64-Layer-3D-NAND
Western Digital und Toshiba haben 3D-NAND mit 64 übereinander liegenden Zellebenen (Layer) entwickelt. In puncto Layer-Anzahl wurde Samsung überholt.
-
Quadruple-Level Cell Toshibas QLC-NAND mit 4 Bit pro Zelle für Archiv-SSDs
Während zunehmend SSDs mit 3 Bit pro Speicherzelle (TLC) auf den Markt kommen, arbeitet die Branche längst an Speicherchips mit 4 Bit pro Zelle (QLC).
-
Quad-Level Cell Intel sieht 3D-NAND als Wegbereiter für 4 Bit pro Zelle
Nach TLC mit drei Bit pro Speicherzelle lautet der nächste Schritt zur Kapazitätssteigerung bei NAND-Flash QLC.
