QLC
Quad-Level Cell oder Quadruple-Level Cell steht für NAND-Flash-Speicher mit vier Bit pro Speicherzelle. …
Nach SLC mit einem Bit, MLC mit zwei Bit und TLC mit drei Bit pro Zelle ist QLC die nächste Etappe auf dem Weg zu mehr Speicherkapazität. Toshiba will ab 2018 den BiCS genannten 3D-NAND als Variante mit QLC produzieren. Ein Termin für die Massenfertigung steht noch nicht fest. Auch andere Hersteller wie Micron forschen seit Jahren an QLC-NAND-Flash.
News, Tests und Berichte
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QLC-3D-NAND Micron bringt noch dieses Jahr ersten Terabit-Flash
Laut einer Roadmap will Micron noch in diesem Jahr QLC-Flash-Chips mit 1 Terabit Speicherkapazität liefern.
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Quadruple-Level Cell Micron kündigt erste SSDs mit QLC-NAND-Flash an
Günstigerer QLC-Flash-Speicher mit vier Bit pro Speicherzelle rückt näher. Noch in diesem Jahr wird Micron Enterprise-SSDs damit ausrüsten.
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Intel SSD 660p & 760p Update 2 Erste QLC-Flash-SSD und neues Topmodell für M.2
Die Intel 660p könnte eine der ersten SSDs mit QLC-NAND-Flash werden. Die PCIe-SSD soll mit 64-Layer-QLC-Flash bestückt sein.
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SSD-Controller Marvell-Chip kann QLC und 670K IOPS (mit TLC)
Phison und Silicon Motion haben bereits neue SSD-Controller mit PCIe vorgestellt. Auch Marvell arbeitet an einem neuen High-End-Controller.
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ISSCC 2018 QLC-NAND von Samsung, 96-Layer-NAND von WD/Toshiba
Auf der ISSCC 2018, die am 11. Februar in Kalifornien startet, werden auch technische Neuheiten aus dem Bereich 3D-NAND präsentiert.
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BiCS3 X4 Leistung des QLC-NAND-Flash nahe an TLC
Einen Monat nach der Ankündigung des QLC-3D-NAND von Toshiba lässt Partner Western Digital eine weitere folgen.
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Western Digital Update BiCS4-3D-NAND nutzt 96 Layer und TLC oder QLC
Western Digital und Toshiba haben die nächste Generation 3D-NAND-Flash-Speicher entwickelt: BiCS4 ist als TLC- und QLC-Flash geplant.
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3D-NAND SK Hynix arbeitet an 96- und 128-Layer-Speicher
Die nächsten Generationen 3D-NAND werden deutlich mehr Zellschichten (Layer) bieten. Bei SK Hynix sind bereits 96 und 128 Layer in Planung.
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Micron Winziger 3D-NAND-Chip, GDDR6 und CEO-Abtritt
Im gleichen Zuge wie der bevorstehende Rücktritt von CEO Mark Durcan bekannt wird, gibt Micron einen Ausblick auf künftige Produkte.
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Toshiba QLC-Flash und Die-Stacking mit TSV für 100-TB-SSDs
Auf dem Flash Memory Summit hat Toshiba neue Techniken für SSDs mit 100 TByte und mehr beschrieben: TSV-Die-Stacking und QLC-Flash machen es möglich.
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BiCS3 Update Toshiba und Western Digital fertigen 64-Layer-3D-NAND
Western Digital und Toshiba haben 3D-NAND mit 64 übereinander liegenden Zellebenen (Layer) entwickelt. In puncto Layer-Anzahl wurde Samsung überholt.
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Quadruple-Level Cell Toshibas QLC-NAND mit 4 Bit pro Zelle für Archiv-SSDs
Während zunehmend SSDs mit 3 Bit pro Speicherzelle (TLC) auf den Markt kommen, arbeitet die Branche längst an Speicherchips mit 4 Bit pro Zelle (QLC).
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Quad-Level Cell Intel sieht 3D-NAND als Wegbereiter für 4 Bit pro Zelle
Nach TLC mit drei Bit pro Speicherzelle lautet der nächste Schritt zur Kapazitätssteigerung bei NAND-Flash QLC.
