News Samsung startet Massenproduktion in 73 nm

Tommy · 2. Juni 2005

Samsung hat mit der Serienfertigung der weltweit ersten 4 GBit NAND-Flash Komponenten begonnen. Die Chips werden dabei in fortschrittlicher 73 nm-Fertigung hergestellt – dazu passend hat Infineon heute stolz verkündet, dass man als zweiter Speicherhersteller gut sechs Monate nach Samsung nun die Massenproduktion von DRAM in 90 nm-Strukturen begonnen habe.

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triumvirn · 2. Juni 2005

warum hat samsung 73 nm und Intel später 90 nm? sind die Zahlen willkürlich? oder gibts es da logische vorgegebene Schritte oder könnte man genauso in 66 nm herstellen?

Gandalfx86 · 2. Juni 2005

Soweit ich weiß gibt es da keine logischen Stufen, oder sowas. Das Problem liegt ja beim Belichten der Chips, da man da mit speziellen Tricks arbeiten muss um so schmale Leiterbahnen zu schaffen, da die Wellenlänge des Lichtes zu groß ist. (Sorry ich bin auch kein Profi, kann mit meiner Beschreibung auch leicht daneben liegen)

creclec · 3. Juni 2005

Ahwas kommt schon gut hin, denn wir (die Welt ) nähern uns der technischen Grenze, weil man muss sich ein Lichtstrahl (-welle jaja) vorstellen wie ein Bleistift der mit seinen Schreibbreiten (Fein im diesem Fall) auch nur eine bestimmte Feinstufe im Minimum haben kann (den spitzer will ich sehen)und die Grenze wird immer schwerer zu erreichen sein( spitz spitz).

Lenny · 3. Juni 2005

Das Wettlaufen nach immer leistungfähigereren und noch kleineren Chips hat sicher bald sein (vorläufiges) Ende gefunden, weil die heutigen Verfahren einfach immernoch zu grob sind.

Schön, dass Samsung mal die Nase vorn hat, aber mich würde ein News al'a "Neue Produktionsstädte in Deutschland eröffnet" besser gefallen, leider Utopie :/

Bye

Affe007 · 3. Juni 2005

Ich hab gehört das es bis 40nm technisch noch möglich ist die Waver zu belichten. Kann mich aber auch täuschen

AndrewPoison · 3. Juni 2005

Ma sehn, die Jungs wissen sicherlich schon (oder haben Vorstellungen) wie sie noch geringere Strukturbreiten erreichen können.

beckenrandschwi · 3. Juni 2005

Ja, ich denke auch, dass das Ende der Fahnenstange noch nicht erreicht ist, hab mal was von 25nm breiten Strukturen gehört.

Aber das problem ist das gleiche: Licht hat eine Wellenlänge von 400...700nm, die Strukturen sind aber nur 70nm breit, also viel schmaler, als die Wellenlänge des Lichtes. Es kommt zu unvorhersagbaren Zuständen hinter der Maske (so was ähnliches, wie Inteferenz), wenn ich mich richtig erinnere...

Erhöht man die Frequenz kommt man in Bereiche der Röntgenstrahlung und da nützt auch eine Maske aus Blei nix mehr...

Bleibt abzuwarten, was die Forscher sich noch einfallen lassen. Vielleicht die Technik, mit der man einzelne Atome geziehlt bewegen kann, dürfte aber noch zu teuer sein...

Outbreak86 · 3. Juni 2005

erinnert mich irgendwie an Schule die ich bis vor kurzem noch hatte *gg*
Aber Licht ist korrekterweise auch keine reine Welle, sondern eine elektromagnetische Welle -.- , wenn ich mich recht entsinne..
Aber für den gegebenen Fall spielen ja sowieso hauptsächlich die Welleneigenschaften eine Role...nämlich das Problem mit der Wellenlänge :/
Naja die Idee mit den Atomen find ich schon gut, aber wie bei so vielem kann sich das ein Normalsterblicher sowieso nciht vorstellen was da alles passiert

Hollomen · 3. Juni 2005

Die grenzen sind noch lange nicht erreicht...Durch neue Verfahren z.b mittels Interferenz werden die strukturen weiter schrumpfen.Und wenn das nicht schnell genug geht, um die leistungsfähigkeit zu steigern, dann packt man (die) eben 2,4,8 oder mehr kerne auf ein Chip

Pierre · 3. Juni 2005

Thema neue Verfahren:

https://www.computerbase.de/2004-08/meilenstein-bei-euv-lithographie-erreicht/

Ist schon ein wenig her, aber, denke ich, hier passend. Nur bis zur Umsetzung wird es wohl noch ein kleines Weilchen dauern (2009)...

LCTron · 3. Juni 2005

@8 dats so quatsch...400-700nm ist nur das für menschen sichtbare licht...

Hildebrandt17 · 3. Juni 2005

Also ganz komme ich da jetztz nicht mit, ist von Speicerkarten oder von Ram(was ich eher glaube) die Rede?

Night-Hawk · 3. Juni 2005

also mal zur erklärung aktuell werden bei der lithographie von silizium wellenlängen von ca. 170-250nm eingesetzt, diese werden mittels gewisser tricks durch spezielle masken gepresst, um mit möglichst energiearmen licht zu arbeiten denn die energie steigt mit sinkender frequenz an und bei 65nm sind wir von röntgen strahlung weit entfernt. 65nm entsprechen 6,5x10^-8m wenn wir sagen röntgen strahlung fängt ca. bei energien von 15000 eV an dann entspricht das einer wellenlänge von ca. 3.9x10^-21m, somit handelt es sich hierbei nur um UV-Licht, was aber ausreicht um die elektronen im silizium anzuregen und störstellen zu produzieren, desshalb ist eine verfeinerung des fertigungsprozeß welche mit kürzeren wellenlängen einhergeht so schwierig.

Henman · 3. Juni 2005

@14 das ist sicher nicht richtig!
Schau z.B. mal hier: http://de.wikipedia.org/wiki/Bild:Spektrum.png
So wie ich das sehe beginnt UV Strahlung bei 10^-8m das ist zwar dann weiche Röntgenstrahlung aber Röntgenstrahlung. Der Bereich den du mit 10^-21m angibst ist jenseits von gut und böse.
Persönlich denke ich dass Forscher es mit Tricks noch weiter schaffen werden auch ohne Röntgenstrahlung. Schon früher hat man gesagt das Licht jetzt ausgedient hat, und auf einmal hat man es doch irgendwie wieder hinbekommen.

Hildebrandt17 · 3. Juni 2005

Also gings um die wellenlänge des Lasers? nicht um die Größe der Transistoren?

LeChris · 3. Juni 2005

Hier war ursprünglich von hochkapazitivem Flash-RAM die Rede, also eher von 'USB-Sticks' und 'MP3-Playern' mit (innerhalb der menschlichen Dimensionen) nicht-flüchtigem Speicher. Der Prozeß dürfte aber auch auf DRAM-Zellen anwendbar sein.

Flash-Speicher erzielen *derzeit* gemessen an der Speicherkapazität und somit Waferfläche den größeren Gewinn. Deshalb wird dieser bevorzugt mit dem neuestem Verfahren beglückt.

Der Rest im Thread ist eher peinliches Philosophieren über Lithographietechnik. Dabei weiß jeder Erstklässler, daß bei 193nm der letzte, wirtschaftliche Laser verreckt. Der Rest darunter wird über 'Interferenzrückrechnung' und unscharfe Lacke gemacht. Danach kommt EUV im Fenster 10nm oder 13nm, je nach Optikmaterial. Hier muß aber erstmal eine akzeptable Strahlungsquelle gefunden werden.

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