News ASML: Vier EUV-Systeme für Foundry und Speicherhersteller

Nur schade das die meisten Leser nicht den Hintergrund haben um zu verstehen was dies alles bedeutet und was es mit ihrem PC zu tun haben sollte. Vor allem da diese Technologien immer 1-2 Jahre in der Zukunft spielen.

Ich denke das man selbst mit Abitur ohne Studium der Halbleitertechnik EUV nicht beschreiben oder pshyikalisch korrekt zuordnen kann ohne zuvor diverse Bücher gewälzt zu haben.
Daher wären Beispiele für reale Bedeutung hilfreicher als Folien vom Hersteller.

Ich finde es viel interessanter was aktuell mit teilweise schon sehr alten Technologien noch hergestellt wird. Z.B. die meisten Sensorchips. Aber auch in anderen, aktuellen Computerteilen finden sich Chips mit teilweise Technik aus den 90er Jahren.
 
nicht den Hintergrund haben

Zumal im Text nicht einmal erwähnt wird, wozu die Abkürzung "EUV" eigentlich steht.
Zwar findet sich weiter unten dann ein Link zum Thema, aber jede Abkürzung gehört
​imho einmal im Text ausgeschrieben.
 
Kann mich noch gut an die ersten versuche mit EUV erinnern.
Schön zu sehen, dass sie alle Probleme in den Griff bekommen haben und die Strukturverkleinerung weiter gehen kann.
7nm in 2017 ist Musik in meinen Ohren...
 
Hmm kann eure aussagen nicht nach vollziehen. Jemand der sich nicht mit Grafikkarten auskennt, wird auch nicht aus dem Titel dreimal GP104 schlau.

Leute die dieses Thema interessiert, wissen schon worum es geht.

Ganz ab davon ist es auch keine Raketenwissenschaft. Problem ist halt, dass wir mittlerweile Strukturen versuchen per Lithographie her zu stellen welche kleiner als die verwendeten Wellenlängen sind. Daher geht man eben runter und da kommt nach dem sichtbaren Licht eben UV bzw. in diesem Fall extremes UV (also eher Richtung Röntgen). Problem hierbei aber: die bekannten physikalischen Gesetze der Optik lassen sich nur bedingt anwenden. Z.B. lassen sich nur kaum oder schwierig Linsen einsetzen. Daher ist die Konstruktion und Forschung so teuer und dauert so lange.
 
Wow, die Fortschritte bei der EUV-Lithographie sind ja wirklich beachtlich :) Vor wenigen Jahren waren es wenige hundert Wafer am Tag, die 1.200-1488 WpD sollten ja schon langsam das Prädikat "wirtschaftlich sinnvoll" haben, sofern die Yields OK sind.
 
Galatian schrieb:
Ganz ab davon ist es auch keine Raketenwissenschaft. Problem ist halt, dass wir mittlerweile Strukturen versuchen per Lithographie her zu stellen welche kleiner als die verwendeten Wellenlängen sind. Daher geht man eben runter und da kommt nach dem sichtbaren Licht eben UV bzw. in diesem Fall extremes UV (also eher Richtung Röntgen). Problem hierbei aber: die bekannten physikalischen Gesetze der Optik lassen sich nur bedingt anwenden. Z.B. lassen sich nur kaum oder schwierig Linsen einsetzen. Daher ist die Konstruktion und Forschung so teuer und dauert so lange.

Naja, das ist der Grobe Rahmen worum es da geht, dass hat jetzt aber noch nichts mit einer Erklärung zu tun. Man kann auch Themen wie die Zeitdilatation in 3-4 Sätzen beschreiben, aber verstehen und begreifen ist das nicht. Im Detail ist das schon eine recht komplexe Technik.

Zumindest eine kleine Einführung in das Thema wie du sie gegeben hast wäre für viele Leser doch schon ganz nett. Sprich was ist EUV, was verspricht man sich davon und was sind die Probleme. Es muss ja nicht bis ins letzte Detail erklärt werden, aber so eine kleine einleitung (wer sich damit auskennt kann es ja überspringen) wäre schon nett. Zum einen wirkt der Artikel dann deutlich wertiger und nicht nur wie die Kopie einer Pressemitteilung, zum anderen kann man auch andere Leser ein wenig abholen und vielleicht für solche Themen interesse wecken.


@Topic: Bin ja mal gespannt, wann dann wirklich 7nm auf den markt kommen und wo dann wirklich schluss ist. Man geht ja aktuell von 5-3nm aus. Die Spannende Frage ist, was kommt danach?
 
EUV wird der letzte Schritt sein mit klassischer Lithographie. Nach EUV bleibt dann nur noch Radioaktive Strahlung. Was noch geringere Wellenlängen bietet. Von daher denke ich, dass über kurz oder lang alle auf EUV gehen werden und das für viele Jahre der Stand der Technik bleibt. Im Endprodukt wird das dann bei 2-5nm enden. Noch kleiner wären dann ja schon keine ganzen Atome mehr.
 
Galatian schrieb:
Problem hierbei aber: die bekannten physikalischen Gesetze der Optik lassen sich nur bedingt anwenden. Z.B. lassen sich nur kaum oder schwierig Linsen einsetzen. Daher ist die Konstruktion und Forschung so teuer und dauert so lange.

Die physikalischen Gesetze stimmen alle weiter, da ändert sich nichts. Auch Linsen zu benutzen geht theoretisch, wenn du ein Material findest das da transparent ist.

Die Physik ändert sich nicht. Man verändert nur die Variable Wellenlänge und bekommt deshalb was anderes aus den Formeln raus.
 
Wie ich so gelesen habe sollte zukünftig auch weniger das Problem in der Wellenlänger der Bestrahlung liegen, sondern einfach im Material. Sprich die Siliziumatome sind zu groß, um noch kleinere Abstände zu realisieren. Vielleicht erwartet und ja auch in der Zukunft ein Wechsel weg von Silizium Chips. (IBM soll da ja an alternativen forschen). na ich bin einfach mal sehr gespannt. Denke aber auch das wir wohl dann lange zeit bei ~5nm stehen bleiben werden, bis grundlegend neue techniken geschaffen wurden. Aber wie man bei den GPUs sieht, kann man auch aus einem Fertigungsprozess viel rausholen. Es ist schon erstaunlich, wie sehr Nvidia den 28nm Prozess verfeinert und ausgereizt hat.
 
Shoryuken94 schrieb:
Wie ich so gelesen habe sollte zukünftig auch weniger das Problem in der Wellenlänger der Bestrahlung liegen, sondern einfach im Material. Sprich die Siliziumatome sind zu groß, um noch kleinere Abstände zu realisieren. Vielleicht erwartet und ja auch in der Zukunft ein Wechsel weg von Silizium Chips. (IBM soll da ja an alternativen forschen). na ich bin einfach mal sehr gespannt. Denke aber auch das wir wohl dann lange zeit bei ~5nm stehen bleiben werden, bis grundlegend neue techniken geschaffen wurden. Aber wie man bei den GPUs sieht, kann man auch aus einem Fertigungsprozess viel rausholen. Es ist schon erstaunlich, wie sehr Nvidia den 28nm Prozess verfeinert und ausgereizt hat.

Nicht die Atome selbst sind zu groß, sondern der Abstand im Gitter. Der beträgt ca. 0,5nm, d.h. bei 1-2nm ist Schluss mit Silizium. Wobei man schon vorher massive Probleme mit Quanteneffekten etc. bekommen wird (und auch schon hat).
 
Schön zu sehen, dass das endlich was mit EUV wird.

EUV heißt auch weiche Röntgenstrahlung. In der Maschine sind keine Linsen vorhanden, sondern ausschließlich Spiegel und Vakuum. Die Zeiss-Optik in der EUV-Maschine funktioniert schon länger einwandfrei, nur wegen der Absorption des Materials kommt recht wenig beim Wafer an (86% Verlust). Deswegen wird eine hochleistungsstarke Lichtquelle (größer 200 Watt) benötigt, die aber noch nicht verfügbar ist, so dass der Wafer-Durchsatz für die Serienproduktion (wenig Licht -> hohe Belichtungszeit pro Wafer) nicht ausreicht.
 
Ich hätte noch eine Frage zu der Abgebildeten Grafik: Was bedeutet 3xL oder 2xH ? Sind das Größenangaben wie die "nm" bei den Logic schaltungen? Wenn ja, wie lassen sich diese ins Metrische System übersetzen?

Über eine Antwort würde ich mich sehr freuen!

Grüße

der Regulator
 
Joshua schrieb:
Zumal im Text nicht einmal erwähnt wird, wozu die Abkürzung "EUV" eigentlich steht.
Zwar findet sich weiter unten dann ein Link zum Thema, aber jede Abkürzung gehört
​imho einmal im Text ausgeschrieben.

Extrem UltraViolett. Wer sich halbwegs mit Halbleiterherstellung auskennt (und nur solche interessieren solche Meldungen, würde ich mal annehmen), der weiß dass dort "belichtet" wird. Daher kann man sich schon irgendwie aus den Fingern saugen, dass das was mit ultraviolettem Licht zu tun haben könnte.
Ergänzung ()

Bully|Ossi schrieb:
EUV wird der letzte Schritt sein mit klassischer Lithographie. Nach EUV bleibt dann nur noch Radioaktive Strahlung. Was noch geringere Wellenlängen bietet. Von daher denke ich, dass über kurz oder lang alle auf EUV gehen werden und das für viele Jahre der Stand der Technik bleibt. Im Endprodukt wird das dann bei 2-5nm enden. Noch kleiner wären dann ja schon keine ganzen Atome mehr.

Wobei da wieder die Frage auftritt, ob das echte 5nm sind, oder ob das selbst von ASML mit Marketing verwässert wird.
 
Shoryuken94 schrieb:
Zumindest eine kleine Einführung in das Thema wie du sie gegeben hast wäre für viele Leser doch schon ganz nett. Sprich was ist EUV, was verspricht man sich davon und was sind die Probleme.

Das kann man ja machen, wenn man einen Artikel dazu rausbringt, aber zu jeder News über den aktuellen Stand dann einen solchen Absatz rein zu kopieren halte ich für Schwachfug.
Es steht ja auch nicht in der jeder News zu Grafikkarten, wozu man denn im Rechner eine Grafikkarte braucht und wie sie funktioniert. Es geht nur um ein Update zur aktuellen Entwicklung. Wem der Hintergrund fehlt, der kann ja jederzeit google anschmeißen und sich wunderbar in unzähligen ausführlichen Erklärungen einlesen ;)
 
Der Name des Fertigungsprozesses hat ja schon lange nichts mehr mit der REalität zu tun. Sogar im Marketingmaterial von Intel ist man da ehrlich:
14nmFeatureSize.png
 
Das hat einen technischen Hintergrund, yast. Lediglich bis zur 90nm Fertigung wurden alle Größen der planaren Transistoren gleichmäßig skaliert. Bereits bei diesem waren aber einige kritisch, wie die Isolierung zum Gate. Die Schicht wurde zu dünn und verlor zunehmend die isolierende Wirkung. Seitdem ist es eigentlich nicht mehr möglich, die Fläche der Transistoren mit nur einer eindimensionalen Größe zu definieren. Schon gar nicht bei den sogenannten FinFets, da hier neben Länge und Breite auch zunehmend eine gewisse Bauhöhe mit reinspielt. Man benötigt die reale Angabe der Transistordichte. Bis jetzt war es durchaus noch so, dass sich diese bei einem Full-Node Schritt verdoppelt hat, zB bei 22nm zu 14nm.
 
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