News Pilotproduktion für 450-mm-Wafer und 7 nm von TSMC angepeilt

Volker

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Asiatische Medien berichten heute in Berufung auf die chinesisch-sprachige Tageszeitung Economic Daily News (EDN), dass TSMC größere Flächen Land nahe seiner bestehenden Fabriken gekauft hat, um dort eine Anlage für die Pilotproduktion von 450 mm großen Wafern zu bauen.

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Deswegen Erforschen die ja auch Quantencomputer ;)

mfg
 
Die Roadmaps von TSMC kennen wir ja alle.

In 5 Jahren sind wir dann erst bei 10nm oder erst bei 16nm+3D. Bei den Problemen die seit 40nm regelmäßig auftauchen mit schlechten Yields, glaube ich nicht so richtig daran.

Aber wenn es klappen sollte dann ist es natürlich super!
 
Damien White schrieb:
7 nm? O.o

Das sind ca. 3 Atome nebeneinander O.O

Atomradien liegen in der Größenordnung von 10^−10 m (=1 Ångström =100 pm =0,1 nm, Kovalenzradius im Wasserstoffmolekül 32 pm, Metallradius von 12-fach koordiniertem Cäsium 272 pm).

Quelle: wikipedia

also eher mehr als 3 ;)
 
@Damien White

Nee, mitnichten. Ein Silicium-Atom hat die Größe von 110 pikometern, also 0,110 Nanometern, da passen also noch locker 63 Atome dazwischen ;)


Edit: Ich meine hier den kovalenten Radius, der irgndwie gleich dem errechneten Radius ist ^^
 
Zuletzt bearbeitet:
Solche Meldungen über größere Scheiben kommen in schöner Regelmäßigkeit einmal pro Jahr. Bis zum nächsten Jahr dann wieder!
 
Ineressant wär ein vergleich wo intel dann schon ist ob TSMC langsam aufschließen kann oder an boden weiterhin verlieren
 
Intel ist bei 22 nm und wenn TSMC Anfang nächsten Jahres bei 20 nm ist, dann haben sie Intel doch eingeholt? Die Frage ist allerdings für welche Art von komplexen Chips das gilt. Soweit ich weiß gilt das dann für Speicherkarten oder ähnlichem, ob die dann auch GPU's in der Größe hinbekommen ist dann noch offen.
 
Suxxess schrieb:
Intel ist bei 22 nm und wenn TSMC Anfang nächsten Jahres bei 20 nm ist, dann haben sie Intel doch eingeholt?
[...]
Ich denke das Ende dieses Jahr schon erste 14 nm Produkte im Labor aufzufinden sind und diese Produktion getestet wird. Aber der Abstand könnte vlt geringer werden, die Entwicklung noch kleinerer Fertigungen wird ja nicht einfacher.
 
7nm klingt nett aber wenn ich mir intels Chips angucke.... oh oh

Von 32nm auf 22nm haben die zwar stromsparen können aber der Verbrauch pro mm² stieg an und somit auch die temperatur. (was meines erachtens ein Problem in der zukunft darsellen wird)

Das einziege was nur noch helfen kann sind Supraleiter.
Und ich ahbe da gleich mal eine patentschrift eines Raumtemperatur-Supraleiters.
http://www.patent-de.com/20100325/DE102008047334A1.html

MfG
 
Von 32nm auf 22nm haben die zwar stromsparen können aber der Verbrauch pro mm² stieg an und somit auch die temperatur. (was meines erachtens ein Problem in der zukunft darsellen wird)

Das ist nur ein Gerücht weil Intel beim Ivy Bridge am Wärmeleiter zwischen Chip und Deckel gespart hatte.
 
nicht wirklich, wurden ja schon versuche ohne Heatspreader gemacht. Gab kein unterschied bei den temperaturen.
 
Interessant ist an der Meldung eigentlich nur das beigefügte Bildchen.

Es sieht so aus, als gäbe es demnächst nur noch einen "Einheits-"Produktionsprozeß, ein Mittelstück namens "HighPerformance Low Power". :p
 
kisser schrieb:
Atome lassen sich aber nicht einfach wie Bälle auf einen Haufen werden, sondern bilden ein Kristallgitter.
Und das Gitterparameter von Silizium beträgt etwa 543 pm.

543 pm ist die Seitenlänge der Elementarzelle, diese besteht bei Diamantstruktur aus 8 Atomen. Wobei die Atome untereinander einen Abstand von 0,15 nm haben. Bei 7 nm (genauer 7,059) Strukturbreite hat man also 13 Elementarzellen, entspricht also 104 Atome.

Zur News.

Na hoffentlich schaffen sie zumindest ihr 16nm FinFet planmäßig. Bei den 10nm können wir sicher noch das ein oder andere Jahr draufrechnen.
 
Zuletzt bearbeitet:
Voyager10 schrieb:
Das ist nur ein Gerücht weil Intel beim Ivy Bridge am Wärmeleiter zwischen Chip und Deckel gespart hatte.

Verringert man die Strukturbreite und steckt weiterhin die selbe Energie rein, muss diese ja auch in Wärme abgegeben werden, wobei die Wärmeentwicklung pro Flächeneinheit bei kleineren Strukturgrößen natürlich höher ist. Von daher ist das durchaus ein Problem bei immer feineren Strukturen (klar, irgendwann ist da auch das Limit erreicht).
Aus diesem Grund sind 3D-Transistoren auch ein guter Schritt, allerdings scheinen sie bei Ivy-Bridge noch nicht so viel gebracht zu haben, die Wärmeentwicklung ist ja trotz eben dieser und einer geringeren TDP eher gestiegen.

Deswegen könnte ich mir vorstellen, dass man zukünftig auch den Energieverbrauch weiter reduziert (wie von Sandy auf Ivy), um die Wärmeentwicklung besser unter Kontrolle zu haben.

Zum Thema: Da TSMC in den letzten Jahren immer Probleme hatte die angepeilten Ziele zu erreichen, z.B. bei der Ausbeute, wäre ich sehr überrascht, wenn man diesen Fahrplan wirklich einhalten könnte. Es wird eben immer schwieriger bei solch winzigen Größen, sieht man ja an der Diskussion über die Anzahl der verbleibenden Atome bei 7nm.
 
Zuletzt bearbeitet:
Wer's glaubt. TSMC ist nunmal ein asiatisches Unternehmen und dort laufen die Kurse nur dann gut, wenn man tolle Versprechungen macht. Das davon nichts so eintreten wird, ist jedem klar.
Aber wenn sie sagen würden, dass sie 7nm erst in 2022 haben, würde jeder Aktionär davon ausgehen, dass sie das in Wirklichkeit erst 2028 auf die Beine stellen können...

Grüße
jusaca
 
Bezüglich Smartphones, Unterhaltungselektronik, Sprach- und Dialogsysteme etc. soll es mir wurscht sein, who cares.

Auch Supercomputer für wissenschaftliche Anwendungen (Wetter u.ä.), Simulation usw. usf. - meinetwegen ok.

Bei industrieller Elektronik oder im Fahrzeug- bzw. Flugzeug-Bereich jedoch kriege ich da schon langsam kalte Füße.

Mein Leben möchte ich ein paar Atomlagen nicht anvertrauen.

Zeit für was Neues, die Grenzen der derzeitigen Halbleiter-Physik kommen immer näher.
Und die Kosten diese auszuloten und kommerziell zu nutzen steigen ganz erheblich.
10-20 Milliarden USD für 'ne Fab ... davon werden wir noch hören.
 
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