Ferrari schrieb:
Ich weiß jetzt das es sich um die Speicherbestückung handelt. Ein- oder Zweiseitig.
Das ist leider falsch 👍
Single- oder Dual Rank bezieht sich auf die logische Verschaltung der Speicherchips und hat nichts mit der Bestückung zu tun... "in der Regel" ist es jedoch (aus Platzugründen) so, dass Dual Rank Speicher fast immer auch beidseitig bestückt sind.
Bei Intel-Systemen gibt es noch eine Besonderheit: Sobald alle vier RAM-Steckplätze beleget sind, schaltet der Speichercontroller der CPU automatisch in den Dual Rank Modus.
Werden also vier Singel Rank Module verwendet (wie bei mir), dann läuft das System trotzdem im Dual Rank Modus 👍
Auszug aus der Wiki:
Bänke/Ranks
Ein DIMM lässt sich mit einer unterschiedlichen Anzahl jeweils gleicher Module aufbauen. Das
JEDEC-Gremium macht dabei ganz bestimmte Vorgaben zum Aufbau der DIMMs. Erlaubt ist es, Chips einzusetzen, die entweder 4 (nur mit Puffer), 8 oder 16 Datenleitungen (s. o. Leitungen) in Anspruch nehmen. Des Weiteren ist immer eine bestimmte Gruppe von DRAM-Chips jeweils einer Bank zugeordnet. Eine Bank oder ein Rank (gemäß JEDEC-Terminologie) ist dabei ein eindeutiger, unabhängig adressierbarer 64 bit breiter Bereich eines Speichermoduls (bei ECC-Modulen 72 bit).
[1][2] Jede Bank verhält sich dabei wie ein separates Speichermodul. Daher belasten beispielsweise Zwei-Bank-Module die Busleitungen genau so stark wie zwei Ein-Bank-Module. Es existieren Speichermodule mit einer Bank, zwei oder vier Bänken (Single-, Dual- und Quad-Rank-DIMMs). Da Chipsätze in der Regel nur maximal 8 Bänke verwalten können (bzw. bei hohem Tempo wie DDR-400 zumeist nur 6 Bänke), muss man für großen Speicherausbau (z. B. 8 × 2 GiB = 16 GiB) auf Ein-Bank-Module zurückgreifen, da mit Zwei-Bank-Modulen mit 4 × 2 Bänken bereits alle 8 Bänke belegt wären. Zudem muss in solchen Fällen meist die Geschwindigkeit der RAMs reduziert werden, zum Beispiel von PC3200 auf PC2700, da ansonsten die Interferenzen auf den Leitungen zu groß werden.
Zwischen der Bankanzahl und der einseitigen oder beidseitigen Bestückung der Speichermodule mit Speicherchips (
Single-sided/double-sided) besteht kein direkter Zusammenhang, d. h. einseitig bestückte Module können zwei Bänke enthalten, und beidseitig bestückte Module können auch nur eine Bank enthalten.
[IMG]https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/cc/DRAM_Rank.svg/550px-DRAM_Rank.svg.png[/IMG]
DRAM-Modul mit 1 Bank:
Die Bank besteht aus 4 DRAM-Bausteinen und wird über das
ChipSelect-Signal aktiviert.
[IMG]https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/3/33/DRAM_Ranks.svg/550px-DRAM_Ranks.svg.png[/IMG]
DRAM-Modul mit 2 Bänken:
Jede Bank besteht aus 4 DRAM-Bausteinen mit je 4 Datenleitungen (×4).
Die jeweilige Bank wird zum Lesen/Schreiben über die
ChipSelect 0/1-Signale ausgewählt.
