News : Intel Fab 32 startet Massenproduktion in 45 nm

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Intel hat heute mit der Eröffnung der 3 Mrd. Dollar teuren Fab 32 die Massenproduktion in 45 nm gestartet. Die Prozessoren der Penryn-Familie kommen als erste in den Genuss der neuen Technologie, bei der der Transistor unter Einsatz eines High-k-Metal-Gates bedeutend verändert wurde. Der Startschuss für den Verkauf fällt am 12. November.

Die Fab 32 ist Intels sechste 300-mm-Wafer-Fabrik und nach Oregon (D1D) das zweite Werk, in dem 45-nm-Chips produziert werden. Die gesamte Fläche der Anlage beträgt gut 92.000 m², die Reinraumfläche beläuft sich auf 17.000 m². Zum Vergleich: ein Fußballfeld hat eine Fläche von rund 7.100 m². Die Belegschaft der neuen Fab zählt mehr als 1.000 Beschäftigte in Produktion und Automation sowie Ingenieure und Fertigungstechniker.

Intel 45-nm-Fertigungstechnologie (P1266)
Intel 45-nm-Fertigungstechnologie (P1266)
Intel P1266 (45 nm) setzt auf High-k und Metal Gate
Intel P1266 (45 nm) setzt auf High-k und Metal Gate

Trotz aller Kapazitäten zählt die Fab 32 zu den umweltfreundlichsten Intel-Fabriken. Intel plant die Fab 32 als erste Fabrik des Unternehmens offiziell nach den Kriterien des Leadership in Energy and Environmental Design (LEED) zertifizieren zu lassen, die für Anlagen dieser Art neu entwickelt wurden. LEED ist ein Rating-System für grüne Gebäude, das vom U.S. Green Building Council ins Leben gerufen wurde und Standards für eine umweltgerechte Bauweise setzt. Die Zertifizierung setzt eine mehrmonatige Laufzeit der Fabrik voraus.

Mit der Fab 32 gehen 45-nm-CPUs in die Massenfertigung. Zwei weitere Anlagen in Kiryat Gat (Israel, Fab 28) und Rio Rancho (New Mexico, USA, Fab 11X) werden im kommenden Jahr an den Start gehen. Für 2009 plant Intel den Wechsel auf 32 nm (P1268) feine Strukturen. Bereits im September 2007 konnte das Unternehmen einen funktionsfähigen Testchip mit SRAM, PLL und anderen Schaltungen demonstrieren. Bei P1268 soll die zweite Generation des High-k-Metal-Gate zum Einsatz kommen. Bei kritischen Fertigungsschritten soll außerdem erstmalig Immersionslithographie eingesetzt werden. AMD möchte Mitte 2008 mit Shanghai die 45-nm-Fertigung beginnen.

Intels 45-nm-Fabs
Intels 45-nm-Fabs

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