News Flash-Speicher: Microns 16-nm-TLC soll im Herbst in SSDs zu finden sein

MichaG

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Nach Samsung und SanDisk/Toshiba bietet auch Micron ab sofort TLC-NAND-Flash für Consumer-SSDs an. Bei gleichem 16-nm-Herstellungsprozess kommt der neue Speicher auf 28 Prozent weniger Fläche pro Die bei gleicher Kapazität wie das MLC-Pendant mit 128 Gigabit. Dies führt langfristig zu geringeren Kosten pro Chip.

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Toll...

TLC gehört zu der NAND Art die ich niemals Kaufen werde/würde.

mfg
 
Hm, meine System SSD hat nach nunmehr 15.000 Betriebsstunden, in denen rein gar nichts optimiert wurde (swapfile ist an, browser cache und adobe temp dateien liegen drauf, etc.) und auch oft mal GB-weise Fotos zur Bearbeitung drauf kopiert wurden, noch ganze 91% health. Die ist zwar MLC, aber auch TLC sollte hier noch viele reserven bieten, sodass ich persönlich keine skrupel hätte mir so eine fürs System zu kaufen. Leider ist der Preisvorteil in der Vergangenheit ja nie sehr groß gewesen.
 
Solange es SSD mit MLC. gibt und man die höheren Preise bezahlen will, kann man auf TLC verzichten.
Man kann sogar noch welche mit SLC kaufen.
 
Naja, welche höheren Preise? Was kosten eine BX100 oder MX200 im Vergleich zu einer 850 Evo?
Die Sandisk Ultra II kostet auch 10€ mehr als eine BX100 und hat sogar noch weniger Speicher.
Es gibt nur einen Grund eine 850 Evo zu kaufen und das ist der Stromverbrauch. Das liegt aber nicht am Flash sondern am Controller.
Wer ausser obigem Grund eine Samsung kauft kann schlicht nicht rechnen.
 
C4rp3di3m schrieb:
TLC gehört zu der NAND Art die ich niemals Kaufen werde/würde.

Sag niemals nie, der Fortschritt hält nicht an!



Hoffe, daß Crucial demnächst wieder einen neuen P/L Brecher rausbringt. Mit der BX Reihe hat sich das in meinen Augen ja leider in Richtung Nachteil für den Kunden verschoben. Wird, aufgrund der Kostenersparnis, vielleicht mit der neuen Reihe auf TLC Basis wieder besser!?
 
Toll, immer noch kleinere Strukturen was die Lebenszeit immer weiter senkt und auch bei Nicht-Benutzung der SSDs die Daten dadurch wohl schneller kaputt gehen.
Und dann wird det Ausschuss dieser 16nm TLC NANDs in Speicherkarten und USB Sticks verbaut?
Also auf eine Speicherkarte, zB für Kameras wird ja gleich viel geschrieben wie gelesen!
Foto im RAW Format gemacht, dann auf PC kopiert. Immer fort Daten schreiben + Schreib zu Lese Ratio 1:1.
Auch auf USB Sticks wird nicht sooo viel mehr gelesen als geschrieben!

Als kleine System SSD wo Auslagerungsdatei, temp ordner und was immer wo anders is vl ok, aber sonst?
Wie wäre es mit 32nm SLC? Gscheitem controller und ECC RAM? Und trotz der Größe 8 NAND channels zwecks Geschwindigkeit?
Ja ich weiß, unbezahlbar! UND wahrscheinlich erhöhter Stromverbrauch durch die große 32nm Fertigung...

MfG
 
C4rp3di3m schrieb:
TLC gehört zu der NAND Art die ich niemals Kaufen werde/würde.

Wird Zeit für QLC, PLC oder HLC. :)

Es hat mich gewundert, wie mit Erscheinen von TLC aus dem Teufelszeug MLC das einzig Wahre wurde und SLC etwas für spinnöse Esotheriker mit zu viel Geld.

Immerhin, weiter als Steintafel bis du ja schon gekommen. :)

Spaß beiseite, man muss sich wohl an ein neues Medium gewöhnen. Zu HDD Zeiten habe ich nie auf die SMART Werte geachtet. Nun habe ich schon einen Blick darauf. In einem Rechner hat nach etwa einem Jahr eine SSD laut SMART 10% seiner Haltbarkeit verloren während andere noch 0% Verschleiss anzeigen. Die mit Verschleiss werde ich eine leichtere Arbeit zuweisen und die ohne etwas härter rannehmen.
 
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HominiLupus schrieb:
Es gibt nur einen Grund eine 850 Evo zu kaufen und das ist der Stromverbrauch. Das liegt aber nicht am Flash sondern am Controller.

Die höhere Leistung und fünf statt drei Jahre Garantie sind egal?
Der TLC 3D NAND in der 850 Evo dürfte übrigens mehr Schreibzyklen aushalten als der 1x nm MLC NAND.
 
Zuletzt bearbeitet:
HominiLupus schrieb:
Es gibt nur einen Grund eine 850 Evo zu kaufen und das ist der Stromverbrauch. Das liegt aber nicht am Flash sondern am Controller.

Der Controller wurde sicher weiter verbrauchsoptimiert. Die wesentliche Verbrauchseinsparung resultiert aber sehr wahrscheinlich aus den Eigenschaften des Flash. Im Vergleich zu planarem NAND kann das V-NAND der 850 mit geringerer Spannung betrieben werden. Die bessere Differenzierbarkeit und Stabilität der Ladungslevel des V-NAND erlauben einfachere Fehlerkorrekturmechanismen.
 
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