News Samsung fertigt 512-Mbit-DDR2-RAM in 70 nm

[Pierre]

Samsung hat die nächste Stufe in der Herstellung von Speicherchips erreicht. Das Unternehmen meldet, man habe die Entwicklung des ersten im 70-Nanometer-Prozess gefertigten 512-Megabit-DDR2-SDRAMs abgeschlossen.

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[The_Jackal]

Wie weit wird man eigentlich so noch weitermachen können? 70 Nanometer ist schon extrem. Die Fertigungsanlagen müssen ja entsprechend kleiner sein AFAIK. Meint ihr, dass wir unter 1 nm kommen können?

 

[Simon]

Samsung fertigt 512 Mbit-DD2-RAM in 70 nm <--- da fehlt ein "D" in der Überschrift.

Sehr fein, hoffentlich laufen die 1 GBit Chips gut mit 667+ MHz und 3-2-2-8 Timings, die würden sich dann nächstes Jahr sehr gut in Form von 2x1 GByte Modulen in meinem Conroe System machen.

 

[Pierre]

Warum fehlt da ein "D"? ...DDD2-RAM? Oder meintest du ein "R"? Btw: Wie auch immer.. ist nicht (mehr)....

 

[Simon]

ups...
Ja, meinte natürlich das "R"

*grrrrrrrrrrrrrrrrrrrrr*

mfg Simon

 

[Night-Hawk]

ich denke das 1 nm auf jeden fall nicht mehr gehen wird weil wann irgendwann (wir sie jetzt schon teilweise) solche leckströme bekommen werden, das man signal von rauschen nicht mehr wird unterscheiden können, da auch die isolaoren einer gewissen leistungsgrenze unterliegen. Wenn man die chips supraleitend machen würde, könnte man auf sehr viel niedrigere spannungen ausweichen, diese würden dann wiederum kleinere strukturen zulassen (mal abgesehen davon das man mit lihographieverfahren warscheinlich nicht in diese bereiche wird vordringen können), das problem das selbst hochtemperatur supraleiter erst bei ca. 135°K arbeiten (0°K = 273.15°C), dennoch sind diese nicht als halbleiter geeignet, ich weiß nun leider nicht genau ab wann silizium supraleitend wird, was dann übrigens noch ein poblem generiert, denn wenn, bei genügender kälte, sowohl die leiterbahnen als auch die isolierungen supraleitend sind, funktioniert ein chip auch nicht mehr.

 

[The_Jackal]

Nur falls es dich interessiert.

Silizium wird etwa bei 8 K supraleitend.

Quelle: http://www.poweron.ch/de/stromnetz/content---1--1155.html

Ist die Frage, ob es nicht Alternativen gibt, die geringere Strukturen zulassen würden, die heute noch in in Erwägung gezogen werden.

Ich frage mich deshalb, weil man bei Prozessoren und Grafikkarten bereits bei 90 nm angekommen ist und bei RAM scheinbar ja auch und weiter runter geht. Der Yonah soll in 65 nm gefertigt werden. Wie weit können wir noch runter? Ist das Ende etwas schon in sichtbarer Nähe?

 

[Master3]

Danach wird dann wohl die Nanotechnologie einsetzen.
Die werden jetzt noch die Strukturen so weit wie möglich verkleinern, so dass sie noch gut nutzbar sind.

 

[noxon]

Das Problem liegt ja auch in der Fertigungstechnik.
Die Lithogrphie ist schon fast an ihre Grenzen gekommen. Man benötigt ja immer kurzwelligeres Lich um die Strukturen zu verkleinern und das ist nicht so einfach zu erzeugen.
Soweit ich weiß schaffen wir es mittlerweile Wellenlängen von 13nm zu erreichen, aber das heißt nicht, dass deshalb auch zu kleine Strukturen überhaupt möglich sind. Bei so kurzen Wellenlängen treten eine Menge Probleme auf, die eine praktische und kostendeckende Anwendung eigentlich unmöglich machen.

Es muss also bald was neues her.


EDIT: Hier kann man genaueres nachlesen. Da steht zum Beispiel auch, dass die Oberfläche des Siliziumträgers bei solchen Wellenlängen maximal eine Rauheit von 1/4 nm haben darf. Ich danke mal, dass das auch nicht so einfach sein wird dies zu realisieren.

Besonders interessant ist auch der untere Weblink.

 

[PCB]

@Night-Hawk: Na, bis 1nm ist es noch lange hin, da kommen von 70 nm ausgehend best. noch 10-15 Schritte, also so etwa in 10 Jahren (pi mal Daumen )

Und Supraleitung beim Silizium : 7,9°K ( -265 Grad Celsius) und 120-130kbar (120.000-130.00 bar) Also viiiel zu aufwendig. :-)

Und die 26,2 Mrd Umsatz für DDR2-RAM halte Ich für utopisch, da waren die wohl sehr optimistisch!
Der Mainstream-RAM ist doch IMO immer noch DDR1.

Edit: Und die Xbox 360 benutzt doch GDDR2, was hat das mit DDR2 zu tun, ist doch ne ganz andere Baustelle!

 

[Krik]

1 nm ist nicht erreichbar. Dann wären die Leiterbahnen ca. 5 Atome breit. Es ist viel zu teuer, derartige Mikrotechnik zu produzieren (auch wenn es möglich wäre). Ratsam wäre es sowieso nicht, weil derart feine Strukturen sehr einfach zerstört werden können (ein Staubkorn drauf und schon sind 100+ Leiter zerstört -> Chip im A****).

Ganz allmählich kommen wir an die Grenzen der Silizium-Technik.

 

[Night-Hawk]

es handelt sich hierbei schon um nanotechnologie weil man mit den strukturen schon deutlich am nm bereich bewegt.

 

[Project-X]

Klingt sehr Intressant.
Langsam finde ich selber als langzeitiger DDR Ram Nutzer Intresse an die DDR2 Rams.
Allein die gesenkte Timmings haben mich sehr überzeugt, sowie die niedrigere Spannung.

Zu denn anderen Thema mit denn Technologie Grenzen:
Hab mir schonmal die gedanken darüber gemacht wie es später aussieht mit denn PC Welt.
Allein die Harddisk (Magnet Scheibe) Kapazitäten stossen an Ihren grenzen.
Soviel ich weis ist es nicht möglich 1TB auf 1x 3,5" HD zu bringen. Genau so geht es warscheinlich denn Speicher zu.
Was ist an DDR3 daran so anders? Höhere Takt möglichkeiten, ev. niedrigere Spannung?! Bessere Timming/Takt verhältnisse?!

Mein Fazit: Etwas neues muss her

 

[da tei]

Sind 0°K nicht gleich MINUS 273.15°C, also
(0°K = -273.15°C
Yul

 

[The_Jackal]

Ja Yul. Das ist so bei Supraleitern.

Man braucht viel Energie, um diesen Zustand herzustellen.

Na, bis 1nm ist es noch lange hin, da kommen von 70 nm ausgehend best. noch 10-15 Schritte, also so etwa in 10 Jahren (pi mal Daumen )

Kann schon hinkommen.

2000 waren wir schon bei 0,13 µm und jetzt glaub seit 2004 bei 90 nm und der 65 nm Yonah soll schon Mitte 2006 kommen heißt es.

Dann kommt vielleicht 50 und 40 nm und 30 vielleicht noch und dann wäre schon Schluss, oder?

Ganz allmählich kommen wir an die Grenzen der Silizium-Technik.

Gibt es denn Alternativen?

 

[Krik]

@Yul
Hä? Der absolute Nullpunkt liegt bei 0 K alias -273 °C. (Btw. °K gibt es nicht, nur K.)

> Mein Fazit: Etwas neues muss her
Jo, und das ist auch schon im Kommen - holographischer Speicher.

 

[PCB]

Dann kommt vielleicht 50 und 40 nm und 30 vielleicht noch und dann wäre schon Schluss, oder?

Ich weiss es jetzt nicht genau (muss noch mal nachlesen :-) ) aber mit der neuen EUV-Technik (Extremes UV-Licht) sollte es eigentlich bis an die 10 nm gehen. Durch "tricks" wie bei der jetzigen Belichtung kann man auch sicherlich unterhalb dieser Grenze kommen.

Allerdings treten bei diesen Dimensionen Quanteneffekte auf, d.h. Elektronen können die Isolationsschicht "durchtunneln", da die Aufenthaltswahrsch. des Elektrons über die Isolation hinaus geht. Das ist dann ein echtes Problem, für das es bis heute noch keinen Lösungsansatz gibt, die Quantenmechanik lässt sich halt nicht so einfach überlisten :-)

Für RAM gibts ne Alternative (wie e-Laurin schon bemerkte): Holographischer Speicher, der mit Kunstoffsubstrat und "unendlich" vielen Aufzeichnungswinkeln arbeitet und somit in punkto Kapazität dem normalen RAM weit überlegen ist.
Das Problem sind vielmehr die CPUs, für die ist so eine Alternativtechnik IMO nicht in Sicht (Wir haben hier bei uns ne Fa. die "druckt" Chips auf Plastik, aber da droht dieselbe Sackgasse).

PCB

 

[Deinorius]

Eine gewisse Ausweichmöglichkeit wäre ja die Verwendung von Si/Carbon-Wafern. Carbon/Carbonfasern/Carbonnanoröhren sind ja der High-Tech-Stoff schlecht hin. Fragt sich nur, wie es mit der Wirtschaftlichkeit von Si/Carbon-Wafern aussieht. X_X

Die Produktion nur mit Carbon wäre natürlich die beste Methode und die Nanotechnologie schlechthin. Damit könnte man dann sehr klein produzieren und die Produktion könnte vielleicht sogar billiger stattfinden, als heute mit der Si-Lithographie.
Das Problem ist nur, dass es nicht soviel Kohlenstoff auf der Erdoberfläche gibt, wie Si, was ja im wahrsten Sinn des Wortes wie Sand am Meer (oder der Wüste ) zu finden ist.

Man kommt ja schon heute nicht mehr mit der Produktion von reinem Si nach, um damit sowohl den Informatik- als auch den Solarzellen-Sektor zu bedienen. Obwohl damit könnte man doch mehr Si für den Solarzellen-Sektor bereitstellen.

@e-Laurin
Nur bringt holographischer Speicher doch gar nix, wenn man CPU, GPUs, RAMs oder auch PPUs produzieren will.

 

[Zeitnek]

Also laut wikipedia

http://de.wikipedia.org/wiki/Nanoelektronik

ist nur noch eine Verkleinerung bis auf 23 nm möglich. Danach muss eine ganz Technik her, weil die Lithographie dann an ihre natürlichen Grenzen stösst.
Bin schon gespannt, was das sein wird :-)

 

[kisser]

Eine gewisse Ausweichmöglichkeit wäre ja die Verwendung von Si/Carbon-Wafern. Carbon/Carbonfasern/Carbonnanoröhren sind ja der High-Tech-Stoff schlecht hin. Fragt sich nur, wie es mit der Wirtschaftlichkeit von Si/Carbon-Wafern aussieht. X_X

Die Produktion nur mit Carbon wäre natürlich die beste Methode und die Nanotechnologie schlechthin. Damit könnte man dann sehr klein produzieren und die Produktion könnte vielleicht sogar billiger stattfinden, als heute mit der Si-Lithographie.
Das Problem ist nur, dass es nicht soviel Kohlenstoff auf der Erdoberfläche gibt, wie Si, was ja im wahrsten Sinn des Wortes wie Sand am Meer (oder der Wüste ) zu finden ist.

Also erstens mal gibt es auch Kohlenstoff wie Sand am Meer, weil jedes organische Material auf Kohlenstoff basiert.

Und zweitens, was meinst du mit "nur mit Carbon waere die beste Methode"? Bezieht sich das auf Nanoroehrchen oder auf klassische Waferproduktion?