News Übernahme: Infineon kauft GaN Systems für 830 Mio. US-Dollar

Volker

Ost 1
Teammitglied
Registriert
Juni 2001
Beiträge
18.362
Infineon und GaN Systems haben einen Vertrag unterzeichnet, demzufolge Infineon GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar erwerben wird. GaN Systems ist ein weltweiter Technologieführer bei der Entwicklung von GaN-basierten Lösungen für die Energiewandlung. GaN gilt als Zukunftsmarkt, in dem sich Infineon stark positioniert.

Zur News: Übernahme: Infineon kauft GaN Systems für 830 Mio. US-Dollar
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: flo.murr, boxte30:Goas, ComputerJunge und 9 andere
Klingt wunderbar. Ist Infineon noch ein deutscher Hersteller?

Hatte vor langer Zeit RAM von denen, der war gar nicht so schlecht.
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: flo.murr
Gleich kommen die hater wieder aus ihren Ecken und behaupten, dass der Akku bei 100W+ nach nicht mal einem Jahr Schrott ist und direkt explodiert.

Andere wiederum freuen sich, dass man sich nie Gedanken ums laden machen muss.
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: Revanator, aid0nex, usernamehere und 4 andere
Tolle Akquise von Infineon, die sich höchstwahrscheinlich lohnen wird. Allein das Thema Stromversorgung eines Elektroautos, wo man durch kleinere Komponenten sowohl Platz als auch Gewicht einsparen kann, sehe ich viel Potential. Und Effizienz bei der Stromversorgung ist in allen Anwendungsgebieten gut.
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: flo.murr, InvalidTexture, zhompster und 6 andere
chb@ schrieb:
Gleich kommen die hater wieder aus ihren Ecken und behaupten, dass der Akku bei 100W+ nach nicht mal einem Jahr Schrott ist und direkt explodiert.
Differenzieren muss man können und Argumente verstehen. Es kommt auf die Kapazität in Ah oder Wh an, ob 100 Watt Laden schon schädlich oder fast nichts für den Akku sind.

Beschäftige dich mit dem C-Koeffizient. 1C ist bei vielen normalen Akkus der Wert der für den Maximalen Ladestrom angegeben ist, damit die Zyklenzahl erreicht wird. Das macht bei einem 3500mAh Akku, dann 3,5 Ampere.

Es ist aber wesentlich differenzierter und komplizierter, wenn man dann sogar noch in verschiedene ZellChemie, Anodenmaterialen und Bauweisen reingeht....
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: paul.muad.dib, Eventer, InvalidTexture und 8 andere
Das schöne am schnellen Laden ist doch, man muss es nicht, niemand zwingt einen.

Jeder kann also sich im Bereich Fakten, Pseudo-Fakten oder Ideologie austoben und nach seinem Gusto laden.
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: linuxxer
Raucherdackel! schrieb:
Klingt wunderbar. Ist Infineon noch ein deutscher Hersteller?

Hatte vor langer Zeit RAM von denen, der war gar nicht so schlecht.
Infineon stellt schon lange keinen RAM mehr her. Das hat die von Infineon im Jahr 2004 ausgegliederte RAM-Sparte Qimonda getan, die aber auch schon wieder seit 2009 pleite ist.

Zum Thema GaN und Infineon kann ich nur folgendes sagen: Auf unserem Workshop letztes Jahr mit Infineon kam alle paar Sekunden der Slogan "Yes we GaN!". Da fragte ich mich ehrlich, was die Münchner da alles an bewusstseinserweiternden Mittelchen geschluckt hatten. :D
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: madmax2010
Ich hoffe infineon hat da den richtigen Riecher und schafft sich da durchzusetzen.

Diese Halbleitertechnik ist hochintetessant für die Zukunft der Elektrotechnik im Allgemeinen.
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: Weyoun
GaN (Niedervolt) und SiC (Hochvolt) sind schon geniale Materialien für Leistungshalbleiter, aber ich habe das Gefühl, dass sich die Entwicklung hauptsächlich im Bereich GaN beschleunigt hat, während sich im Bereich SiC nicht sonderlich viel getan hat die letzten Jahre. Das Frauenhofer IISB hatte da schon 2015, also vor 8 Jahrem, einen 800V DC-DC Wandler auf der Basis von SiC-Leistungshalbleitern mit 200 kW Leistung, einem Volumen von 1,4 Litern und 3,2 kg Gewicht vorgestellt, der bei 98,9% Effizienz operiert (Quelle).
GaN ist halt besonders im Niedervoltbereich interessant für alles was am 230/400V Netz betrieben wird und wegen der Schaltgeschwindigkeit und Empfindlichkeit im Mobilfunk- und Radarbereich.
Wer sich für einen etwas detaillierteren Vergleich von Si, SiC und GaN Leistungshalbleitern interessiert, kann sich ja mal diesen Artikel anschauen: Link
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: kraut1328, zhompster, Revanator und 6 andere
chb@ schrieb:
Gleich kommen die hater wieder aus ihren Ecken und behaupten, dass der Akku bei 100W+ nach nicht mal einem Jahr Schrott ist und direkt explodiert.
Was hat die Technologie GaN, mittels der man effiziente Schaltnetzteile realisieren kann, mit explodierenden Akkus tun? Ich komme nicht ganz mit.
Ergänzung ()

The_Hoff schrieb:
Tolle Akquise von Infineon, die sich höchstwahrscheinlich lohnen wird. Allein das Thema Stromversorgung eines Elektroautos, wo man durch kleinere Komponenten sowohl Platz als auch Gewicht einsparen kann, sehe ich viel Potential. Und Effizienz bei der Stromversorgung ist in allen Anwendungsgebieten gut.
GaN kann vieles, aber keine Stromversorgung für ein E-Auto. Bei 1 bis 2 kW ist erst einmal Schluss bei GaN. Für höhere Leistungen nutzt man SiC (Siliziumcarbid).
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: dualcore_nooby, ETI1120, JackTheRippchen und 2 andere
Raucherdackel! schrieb:
Klingt wunderbar. Ist Infineon noch ein deutscher Hersteller?
Ja. Infineon ist nach wie vor ein deutscher Hersteller.

Auch wenn die größte Anteilseigner zum Teil nicht aus Deutschland kommen.

BlackRock (7%), USA
The Capital Group (3%), USA
Norges Bank (3%), Norwegen
Sun Life Financial (3%), Kanada
Der Staat Kuwait (3%)

Aber neben den 74% Streubesitz sind auch deutsche Investoren beteiligt.
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: zhompster und wwolf1987
Gortha schrieb:
Differenzieren muss man können und Argumente verstehen. Es kommt auf die Kapazität in Ah oder Wh an, ob 100 Watt Laden schon schädlich oder fast nichts für den Akku sind.

Beschäftige dich mit dem C-Koeffizient. 1C ist bei vielen normalen Akkus der Wert der für den Maximalen Ladestrom angegeben ist, damit die Zyklenzahl erreicht wird. Das macht bei einem 3500mAh Akku, dann 3,5 Ampere.

Es ist aber wesentlich differenzierter und komplizierter, wenn man dann sogar noch in verschiedene ZellChemie, Anodenmaterialen und Bauweisen reingeht....
Zumal die 100W - auch bei den Technologiedemonstrationen der Chinesen - lange nicht mehr die Permanentleistung sind, sondern die Peakleistung.

Gerade die letzten Exemplare mit 200W+ hatten eine Ladekurve wie Tesla - bei leerem Akku schnell hoch auf den Maximalwert, danach schnell runter auf die Hälfte und weiter abfallend bis zum Schluss.


P.S.: In Elektroautos wird derzeit verstärkt Siliziumkarbid verwendet, hat GaN dort weiter Vorteile oder kann man das noch nicht absehen weil GaN noch nicht auf diese Leistungen hochskaliert worden ist?
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: Gortha und AlphaKaninchen
Weyoun schrieb:
Was hat die Technologie GaN, mittels der man effiziente Schaltnetzteile realisieren kann, mit explodierenden Akkus tun? Ich komme nicht ganz mit.
Mit GaN kann man Netzteile kompakter bauen. Das gilt für alle Netzteile, auch für solche für den ultramobilen Markt. Entsprechend lässt sich ein Hochleistungsnetzteil für den ultramobilen Markt, das vorher schwer vermarktbar war, auf Basis von GaN durchaus verkaufen.
Und @chb@ wiederum spricht über die Kombi von Hochleistungsnetzteil und ultramobilen Markt.
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: chb@
Weyoun schrieb:
GaN kann vieles, aber keine Stromversorgung für ein E-Auto. Bei 1 bis 2 kW ist erst einmal Schluss bei GaN. Für höhere Leistungen nutzt man SiC (Siliziumcarbid).
Kann man vielleicht parallel schalten, genau wie man Akkuzellen parallel schaltet um überhaupt diese Ladeströme zu bewältigen? GaN ist ja erstmal auch nur für die Wandlung von Wechselstrom zu Gleichstrom interessant, und da ist man bei 11kW am Markt - die Anzahl der 22kW-Optionen, oder gar serienmäßigen Ausstattung ist echt überschaubar. Gibt ja noch genügend Fabrikate bei denen kostet der 11kW-Lader Aufpreis...
 
Gortha schrieb:
Beschäftige dich mit dem C-Koeffizient. 1C ist bei vielen normalen Akkus der Wert der für den Maximalen Ladestrom angegeben ist, damit die Zyklenzahl erreicht wird.
Das ist 20-30 (oder mehr) Jahre altes Halbwissen und das noch verwässert. Was ist ein normaler Akku? NiMh, LiIonen, LiPo und LiFePO4 sind alles normale Akkusorten und doch extrem unterschiedlich. Vor allem LiFePO4, die werden mit konstanter Ladung 3C oder mit Impulsladung mit 6C geladen

1C ist und war einfach nur ein extrem einfach zu verstehender und sicherer Richtwert für das Laden Von NiMH, LiIonen und Lipo Akkus mit dummen Netzteilen ohne Kühlung. Schnellladen ohne Kühlung bei klassischen Akkuzellen und Akkupacks war immer über 1C (1,25 wenn ich mich recht erinnere), mit Kühlung noch etwas mehr.

Zum Vergleich: bei SuperVOOC werden zwei Akkuzellen statt einer benutzt, was in bei etwa gleicher Leistung die halbe Stromstärke bedeutet. Weniger Stromstärke bedeutet weniger Erwärmung beim laden. Ergo kann man für die gleiche Erwärmung mit mehr C laden. Dann wird noch passiv gekühlt und die Temperatur und Verschleiß getrackt. Und dann noch x kleinere Änderungen und voila, 1,5 bis 2 C sind machbar, ohne das reihenweise Smartphones explodieren. 50% Ladung in 30min entspricht ~1,5C, das schaffen einige normale Smartphones, wenn das Ladegerät genug Energie liefern kann.
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: KarlsruheArgus, sightseeer, lamda und 2 andere
so lange meine Aktien von denen hoch gehen ist alles gut :D
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: KlaasKersting und Y2KCertified!
Weyoun schrieb:
GaN kann vieles, aber keine Stromversorgung für ein E-Auto. Bei 1 bis 2 kW ist erst einmal Schluss bei GaN. Für höhere Leistungen nutzt man SiC (Siliziumcarbid).
Doch, auch da kann man es nutzen. Wenn es um das Laden aus dem Niederspannungsnetz geht, eignen sich die Bauteile sehr gut für die PFC-Stufe, weil da theoretisch auch die Bauteile mit Sperrspannungen bis 600 V genügen. Bei den Onboard-Chargern kommt meines Wissens meistens aber dennoch SiC zum Einsatz, u.a. weil die Technologie auch schon sehr viel besser erprobt ist (SiC Schottky Dioden werden ja schon seit einer ganzen Weile genutzt).
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: Weyoun
The_Hoff schrieb:
Allein das Thema Stromversorgung eines Elektroautos, wo man durch kleinere Komponenten sowohl Platz als auch Gewicht einsparen kann, sehe ich viel Potential.
Als ich das Thema noch stärker verfolgt hatte waren gerade im Hochspannungsbereich nicht GAN Transistoren die beste Wahl, sondern eher SIC (Silizium Karbid) Transistoren. In diesen war Infineon aber schon vorher sehr gut besetzt. Spätestens ab 600V gab es keinen Grund mehr GAN zu verfolgen.
Vielleicht hat sich da mittlerweile auch was getan, aber vor 2 Jahren war das noch für mich der Stand der Technik.
 
  • Gefällt mir
Reaktionen: The_Hoff
CDLABSRadonP... schrieb:
Mit GaN kann man Netzteile kompakter bauen. Das gilt für alle Netzteile, auch für solche für den ultramobilen Markt. Entsprechend lässt sich ein Hochleistungsnetzteil für den ultramobilen Markt, das vorher schwer vermarktbar war, auf Basis von GaN durchaus verkaufen.
Und @chb@ wiederum spricht über die Kombi von Hochleistungsnetzteil und ultramobilen Markt.
Aha, ich sehe GaN eher im Bereich USB-Netzteile im allgemeinen (Smartphones sind nur eine einzige Gerätegattung) und Dockingstationen von Laptops zwischen 100 und 240 Watt (hoffentlich mit offiziellem USB_Standard) und künftig auch bei kräftigeren PC-Netzteilen und im Elektroauto bei Steuergeräten, die Energie sparen müssen.
Ergänzung ()

TenDance schrieb:
Kann man vielleicht parallel schalten, genau wie man Akkuzellen parallel schaltet um überhaupt diese Ladeströme zu bewältigen? GaN ist ja erstmal auch nur für die Wandlung von Wechselstrom zu Gleichstrom interessant, und da ist man bei 11kW am Markt - die Anzahl der 22kW-Optionen, oder gar serienmäßigen Ausstattung ist echt überschaubar. Gibt ja noch genügend Fabrikate bei denen kostet der 11kW-Lader Aufpreis...
Ich meinte jetzt eher DC-Laden im Bereich 100 bis 350 kW, wo GaN wenig Sinn mach und nicht das dreiphasige Laden mit 3,7 kW pro Phase. Alles über 5 kW ist überhaupt noch nicht spruchreif bei GaN. Es gab letztes Jahr viele Powerpoint-Folien, aber wenig konkretes, wenn man nach Prototypen gefragt hat.
 
Zuletzt bearbeitet:
Zurück
Oben