Samsung Foundry: Neue Fabrik mit 7-nm-EUV-Chips auch für Qualcomm

Volker Rißka 23 Kommentare
Samsung Foundry: Neue Fabrik mit 7-nm-EUV-Chips auch für Qualcomm
Bild: Samsung

Vier Wochen nach TSMCs Grundsteinlegung für eine neue Fabrik in Taiwan zieht Samsung nach. In Hwaseong, Südkorea, das bereits Standort von einer der größten Samsung-Fabriken ist, wird der erste Spatenstich für eine Erweiterung mit dem Fokus auf 7-nm-Chips inklusive EUV-Nutzung am Freitag vollzogen.

Zur Mitte des letzten Jahres hatte Samsung Investitionen von insgesamt 37 Billionen Won in Chip-Fabriken angekündigt. Sechs Billionen Won, rund 4,5 Milliarden Euro, sollen dabei in den Standort Hwaseong fließen, wo die Fab S3 beheimatet ist – dort baut Samsung die aktuellsten Chips in 10 nm. Nebenan wird nun eine Erweiterung mit dem Fokus auf die 7-nm-Fertigung aber allen voran auch die erstmalige großflächige Nutzung der EUV-Lithografie entstehen, denn Samsung hatte bereits bestätigt, dass aus dem S3-Werk die zukünftigen 7-nm-Chips mit EUV kommen sollen.

EUV kommt im Serieneinsatz an

Die EUV-Lithografie entspringt damit nun wirklich der Forschungs- und Entwicklungsphase und geht in den produktiven Serieneinsatz über. Die meiste Technik dafür stammt auch in Samsungs neuen Werken vom niederländischen Ausrüster ASML, der in fortgeschrittener Generation die Belichtungsmaschinen ausliefert. Nach der lange zehrenden Anfangsphase mit einer Belichtungszeit eines EUV-Wafers im Jahr 2006 in über 21,3 Stunden oder 0,047 wph (Wafer pro Stunde) sind die aktuellen Systeme des Typs NXE:3400B bei 125 wph angelangt. Auf die zehn Auslieferungen von EUV-Systemen im vergangen Jahr sollen 22 Systeme in diesem Jahr folgen – davon dürften auch einige an Samsung gehen.

Samsung will größter Chiphersteller bleiben

Samsung ist gemessen am Umsatz des Konzerns der weltweit größte Chiphersteller . Der Boom in der Speichersparte aber auch bei traditionellen Chips sorgte im abgelaufenen Jahr 2017 für hohe Gewinne, die Samsung direkt wieder investiert. Im Mai des letzten Jahres hatte Samsung einen Fünf-Jahres-Plan offengelegt, der nicht nur die wichtigsten Schritte in der Fertigung rund um 10 und 7 nm zeigt, sondern auch die weiteren geplanten Zwischenlösungen. Demnach wird es diese bei 8, 6 aber auch 5 nm geben, bevor mit 4LPP erstmals Gate All Around FET zum Einsatz kommen soll. Dies wird laut aktuellem Stand jedoch erst ab 2020/2021 der Fall sein.

Update 22.02.2018 07:16 Uhr

Samsung und Qualcomm haben passend zu der Fabrikerweiterung ihre Zusammenarbeit erneuert. Laut beiden Unternehmen wird dabei die 7-nm-Technologie inklusive EUV genutzt. Gleichzeitig setzt die Ankündigung ein Ende unter die Gerüchte, Qualcomm könnte in Zukunft nur noch auf TSMC setzen und Samsung als Foundry-Partner aufgeben.

Update 23.02.2018 11:35 Uhr

Heute ist wie erwartet die Grundsteinlegung für die Erweiterung erfolgt. Bis zu sechs Milliarden US-Dollar sollen dort bis 2020 investiert werden, weitere Gelder aber je nach Bedarf auch danach fließen.

New EUV-Line in Hwaseong
New EUV-Line in Hwaseong (Bild: Samsung)