5/10 EPoX 8KRA2+ mit VIAK KT600 im Test : Holt VIA zum Gegenschlag aus?

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Testsystem

Bei unserem EPoX-Mainboard handelte es sich noch um eine Vor-Serien-Version mit der Revisionsnummer 0.3 und der Northbridge mit dem CD-Stepping. Gerüchte, die besagten, dass VIA eine neue CE-Revision der Northbridge plane, die noch einmal knapp 5% mehr Leistung bringen würde, wurden nun jedoch dementiert. Somit sollte der auf unserem Exemplar verbaute Chipsatz der finalen Version entsprechen.

EPoX 8KRA2+
EPoX 8KRA2+
Asus GeForce 4 Ti4400
Asus GeForce 4 Ti4400
Athlon XP 3200+
Athlon XP 3200+
Corsair TWINX512-3200LLPT
Corsair TWINX512-3200LLPT
  • Prozessor
    • AMD Athlon XP 3200+ (FSB400)
  • Motherboard
    • EPoX 8RDA+ Rev. 1.1, Bios 09.06.2003 (nForce 2)
    • EPoX 8RDA3+ Rev. 1.1, Bios 19.06.2003 (nForce 2 Ultra 400)
    • EPoX 8KRA2+ Rev. 0.3, Bios 04.07.2003 (KT600)
  • Arbeitsspeicher
    • 2x256MB DDR400 Corsair XMS3200C2 'Platinum'
  • Grafikkarte
    • Asus V8440 (GeForce4 Ti4400)
  • Peripherie
    • Waitec Storm 40
    • IBM IC35LC040
  • Treiberversionen
    • nVidia Detonator 44.03
    • Via 4in1 4.48 "Hyperion"
    • nForce Driver Package 2.03
  • Software
    • Windows XP Professional SP1

Wir haben uns für den Test mit drei verschiedenen Settings entschieden. Aus Stabilitätsgründen wurden die Corsair-Module in DIMM 2 und DIMM 3 platziert. Die in unseren Diagrammen dargestellten, als "Normal" deklarierten Testergebnisse, wurden mit den "Load Optimized Default" Settings gefahren. Der Speicher wurde mit mit SPD-Timings betrieben. Die DRAM Burst Lenght betrug 4, Write Recovery Time wurde mit 3 und tWTR mit 2 Takten angesteuert. AGP Fast Writes war deaktiviert und das System wurde mit Standard-Performance betrieben. (CPU Timing: Normal, ROMSIP Table: Normal, DRAM Command: Rate 2T)

Hinter den Testergebnissen "Fast" werden die Werte geführt, welche ohne Spannungserhöhung, in erster Linie also mit einer DIMM-Spannung von 2,6 Volt, erreicht wurden. Unser Speicher wurde über DRAM Timings im Mode "Fastest" und den Timings 2-2-2-6 betrieben. Die DRAM Burst Lenght wurde 8, Write Recovery Time wurde auf 2 und tWTR auf 1 beschleunigt. AGP Fast Writes wurde aktiviert und die System Performance manuell justiert. (CPU Timing: Normal, ROMSIP: Fastest, DRAM Command: Rate 1T)

Bei Fastest haben wir die DIMM-Spannung auf 2,7 Volt angehoben und den Speicher im "Ultra"-Mode über DRAM Timings betrieben. Alle übrigen Einstellungen blieben gegenüber "Fast" unverändert. Übrigens sorgte bei allen Tests ein zusätzlicher Lüfter auf der Northbridge für genügend Frischluft.

Benchmarks

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Wer die Benchmarks bei sich zu Hause selbst einmal nachvollziehen möchte, der findet einen Großteil der oben aufgelisteten Testprogramme bei uns in der Downloadsektion.

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